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壓力引入的突發(fā)噪聲：陶瓷電容器中的顫噪
在設(shè)計(jì)一個(gè)低噪聲放大器電路時(shí)，我的注意力被某些有意思的運(yùn)行方式所吸引。在我的工作臺(tái)上隨意移動(dòng)印刷電路板 (PCB) 使得輸出電壓突然變化!由于感到很有意思，我決定進(jìn)行一個(gè)測(cè)試：我重復(fù)輕輕敲打PCB，與此同時(shí)觀察
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建立FETching分立式放大器的一些提示
簡(jiǎn)介用于光電二極管、壓電以及其他儀器儀表應(yīng)用的低噪聲放大器所要求的電路參數(shù)一般是：極高的輸入阻抗、低1/f噪聲或亞皮安偏置電流等，而提供的集成產(chǎn)品無(wú)法滿足這些要求。本文討論使用分立元器件設(shè)計(jì)低噪聲放大器
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英飛凌低噪聲放大器在無(wú)線數(shù)據(jù)接收中的應(yīng)用
【引言】本文詳細(xì)闡述了英飛凌低噪聲放大器BGA7x1N6如何有效地降低系統(tǒng)噪聲系數(shù)，提升信道容量，并分析了低噪放性能和電路仿真以及實(shí)測(cè)結(jié)果，結(jié)果表明，使用LTE LNA可提高接收靈敏度約3dB，提高數(shù)據(jù)速率約最高可到
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基站對(duì)高集成度低噪聲放大器的要求
隨著無(wú)線寬帶系統(tǒng)的頻率帶寬越來(lái)越寬，基站性能的要求也越來(lái)越高。低噪放，作為基站塔放中的關(guān)鍵器件之一，它不僅影響基站的覆蓋范圍，而且也決定了其他鄰近基站的發(fā)射
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超小信號(hào)低噪聲放大器（增益大小10dB）
系統(tǒng)簡(jiǎn)介：某款接收機(jī)接收來(lái)至WIFI發(fā)射的信號(hào)，由于WIFI信號(hào)比較小(大約在-90db到-60db左右)，需要通過(guò)一種低噪聲的放大器，來(lái)放大有用信號(hào)，提高接收機(jī)的靈敏度。實(shí)驗(yàn)?zāi)康模焊邊f(xié)議要求放大WIFI小信號(hào)。中心頻率：
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低噪聲放大器
低噪聲放大器
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調(diào)諧電路的基本組成方框圖
調(diào)諧電路的基本組成方框圖
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利用ADS設(shè)計(jì)低噪聲放大器
低噪聲放大器性能指標(biāo)及設(shè)計(jì)步驟低噪聲放大器的性能指標(biāo)頻率范圍: 2. 0 ～2. 25 GHz;信號(hào)源阻抗: 50Ω;增益> 10 dB;噪聲系數(shù)< 2 dB;穩(wěn)定性: Unconditional。設(shè)計(jì)步驟放
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射頻低噪聲放大器電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
1、射頻LNA設(shè)計(jì)要求低噪聲放大器(LNA)作為射頻信號(hào)傳輸鏈路的第一級(jí)，它的噪聲系數(shù)特性決定了整個(gè)射頻電路前端的噪聲性能，因此作為高性能射頻接收電路的第一級(jí)LNA的設(shè)計(jì)必
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基于功耗限制的CMOS低曝聲放大器最優(yōu)化設(shè)計(jì)
在無(wú)線射頻接收機(jī)中，射頻信號(hào)要經(jīng)過(guò)諸如濾波器、低噪聲放大器及中頻放大器等單元模塊進(jìn)行傳輸。由于每個(gè)單元都有固有噪聲，從而造成輸出信噪比變差。采用多級(jí)級(jí)聯(lián)的系統(tǒng)
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采用PLL技術(shù)的接收機(jī)射頻前端的設(shè)計(jì)
射頻前端模塊性能關(guān)系到整個(gè)接收機(jī)的性能。本文通過(guò)對(duì)接收機(jī)進(jìn)行研究，分析了超外差接收機(jī)的特點(diǎn)，提出了一種采用PLL技術(shù)的接收機(jī)的射頻前端方 案，及對(duì)射頻前端的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了分析。并通過(guò)軟硬件平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證
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基于WCDMA接收機(jī)系統(tǒng)的低噪聲放大器設(shè)計(jì)
摘要 介紹了低噪聲放大器的基本工作原理，并對(duì)噪聲源進(jìn)行了分析。提出了采用先進(jìn)的TSMC90 nm工藝，設(shè)計(jì)了一種基于WCDMA接收機(jī)系統(tǒng)的全差分拓?fù)涔苍垂矕判偷驮肼暦糯笃鳌Ｔ摲糯笃髌瑑?nèi)集成了電感、電容。片外配置匹配
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英飛凌新型LTE低噪聲放大器LNA Bank讓智能手機(jī)數(shù)據(jù)速率提升96%
21ic訊 英飛凌科技股份公司近日推出旨在提高智能手機(jī)數(shù)據(jù)速率的全新系列LTE低噪聲放大器(LNA)和四頻LNA Bank。LTE(也稱為4G)是無(wú)線通信最新標(biāo)準(zhǔn)，支持高達(dá)300 Mbit/s的數(shù)據(jù)速率，而最新的UMTS (3G) 版本僅支持 56 M
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英飛凌推出全新系列LTE低噪聲放大器(LNA)和四頻LNA Bank
21ic訊 英飛凌科技股份公司近日推出旨在提高智能手機(jī)數(shù)據(jù)速率的全新系列LTE低噪聲放大器(LNA)和四頻LNA Bank。LTE(也稱為4G)是無(wú)線通信最新標(biāo)準(zhǔn)，支持高達(dá)300 Mbit/s的數(shù)據(jù)速率，而最新的UMTS (3G) 版本僅支持 56 M
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基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設(shè)計(jì)研究
摘要：低噪聲放大器是接收機(jī)中最重要的模塊之一，文中采用了低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、PHEMT技術(shù)設(shè)計(jì)的ATF35176晶體管，設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于5．5～6．5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益，該電路采用三級(jí)級(jí)聯(lián)放
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用電阻噪聲確定一個(gè)低噪聲放大器的特性
如果知道或可以估計(jì)出一款低噪聲放大器的增益或噪聲帶寬，只使用幾只電阻和一只交流電壓表，就可以測(cè)出其它的規(guī)格。本例使用了Johnson方程，它描述的是一只電阻所生成的噪聲
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穩(wěn)定低噪聲放大器中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法(上)
多數(shù)情況下有用信號(hào)都是非常微弱的，在這些應(yīng)用中噪聲系數(shù)成了表征晶體管性能優(yōu)劣的主要參數(shù)。本文討論了一種添加并聯(lián)電阻來(lái)穩(wěn)定低噪聲放大電路中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法。
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穩(wěn)定低噪聲放大器中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法(下)
多數(shù)情況下有用信號(hào)都是非常微弱的，在這些應(yīng)用中噪聲系數(shù)成了表征晶體管性能優(yōu)劣的主要參數(shù)。本文討論了一種添加并聯(lián)電阻來(lái)穩(wěn)定低噪聲放大電路中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法。
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用于高阻抗電路的低失真、低噪聲放大器
用于高阻抗電路的低失真、低噪聲放大器
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2～4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設(shè)計(jì)
摘要：利用pHEMT工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)2～4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設(shè)計(jì)中采用了具有低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、pHEMT技術(shù)設(shè)計(jì)的ATF-54143晶體管，電路采用二級(jí)級(jí)聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)形式，利用微帶電路實(shí)現(xiàn)輸入輸出和級(jí)間
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