國(guó)研院今發(fā)表積層型 3D-IC 技術(shù)

國(guó)研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術(shù)，可將訊號(hào)傳輸速度提升數(shù)百倍、耗能降低至少一半。預(yù)計(jì)今年便可運(yùn)用在顯示器上，未來(lái)將陸續(xù)與國(guó)內(nèi)記憶體、面板及晶圓代工產(chǎn)業(yè)合作，估計(jì)技轉(zhuǎn)金約需上億元，是國(guó)研院截至目前為止的最

國(guó)研院開(kāi)發(fā)新芯片 大幅提升訊號(hào)傳輸速度

國(guó)研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術(shù)，可將訊號(hào)傳輸速度提升數(shù)百倍、耗能降低至少一半。預(yù)計(jì)今年便可運(yùn)用在顯示器上，未來(lái)將陸續(xù)與國(guó)內(nèi)記憶體、面板及晶圓代工產(chǎn)業(yè)合作，估計(jì)技轉(zhuǎn)金約需上億元，是國(guó)研院截至目前為止的最

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

能源采集元件市場(chǎng)可期 半導(dǎo)體廠商積極布局

能源采集(Energy Harvesting)市場(chǎng)熱度正迅速加溫。在各式無(wú)線感測(cè)器及薄膜電池(Film Battery)當(dāng)?shù)赖内厔?shì)帶動(dòng)下，能源采集勢(shì)力將在行動(dòng)裝置、機(jī)器對(duì)機(jī)器(M2M)等各式應(yīng)用領(lǐng)域中快速崛起，成為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不可或缺的重要

五角大樓允許F-35戰(zhàn)斗機(jī)項(xiàng)目使用中國(guó)產(chǎn)元件

盡管美國(guó)官員反復(fù)表示擔(dān)心中國(guó)的間諜活動(dòng)和加強(qiáng)軍備，但為了幫助3920億美元的洛克希德馬丁F-35戰(zhàn)斗機(jī)項(xiàng)目走上正軌，五角大樓在2012年和2013年多次豁免了禁止使用中國(guó)產(chǎn)元件的禁令。美國(guó)的隱形戰(zhàn)斗機(jī)并沒(méi)有使用中國(guó)產(chǎn)

能源采集元件市場(chǎng)可期 半導(dǎo)體廠商積極布局

能源采集(Energy Harvesting)市場(chǎng)熱度正迅速加溫。在各式無(wú)線感測(cè)器及薄膜電池(Film Battery)當(dāng)?shù)赖内厔?shì)帶動(dòng)下，能源采集勢(shì)力將在行動(dòng)裝置、機(jī)器對(duì)機(jī)器(M2M)等各式應(yīng)用領(lǐng)域中快速崛起，成為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不可或缺的重要

能源采集元件市場(chǎng)可期 半導(dǎo)體廠商積極布局

能源采集(EnergyHarvesting)市場(chǎng)熱度正迅速加溫。在各式無(wú)線感測(cè)器及薄膜電池(FilmBattery)當(dāng)?shù)赖内厔?shì)帶動(dòng)下，能源采集勢(shì)力將在行動(dòng)裝置、機(jī)器對(duì)機(jī)器(M2M)等各式應(yīng)用領(lǐng)域中快速崛起，成為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不可或缺的重要技

環(huán)球儀器推出針對(duì)異形元件的Fuzion平臺(tái)

21ic訊 環(huán)球儀器在異形元件組裝方面，在業(yè)內(nèi)擁有超過(guò)20年的領(lǐng)先經(jīng)驗(yàn)。在這個(gè)基礎(chǔ)上，環(huán)球儀器日前推出FuzionOF平臺(tái)，專門(mén)應(yīng)對(duì)回流前或回流后的異形元件組裝挑戰(zhàn)，進(jìn)一步擴(kuò)展旗艦Fuzion™平臺(tái)的系列產(chǎn)品，作為業(yè)

PMIC廠家插旗能源采集市場(chǎng)

(EnergyHarvesting)市場(chǎng)熱度正迅速加溫。在各式無(wú)線感測(cè)器及薄膜電池(FilmBattery)當(dāng)?shù)赖内厔?shì)帶動(dòng)下，能源采集勢(shì)力將在行動(dòng)裝置、機(jī)器對(duì)機(jī)器(M2M)等各式應(yīng)用領(lǐng)域中快速崛起，成為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不可或缺的重要技術(shù)，而電

矽品京元電 上月上季營(yíng)收都比預(yù)期好

同為聯(lián)發(fā)科封測(cè)陣營(yíng)的矽品（2325）及京元電昨（6）日公布去年12月及第4季合并營(yíng)收均優(yōu)于預(yù)期。 矽品去年12月合并營(yíng)收60.89億元，月增1.8%，年增26.5%；去年第4季合并營(yíng)收為188.44億元，季減1.3%，優(yōu)于預(yù)期；累計(jì)去

優(yōu)化變速箱元件效率 提升汽車?yán)锍?/a>

我國(guó)半導(dǎo)體分立器件出口喜中有憂

我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)屬于國(guó)家重點(diǎn)鼓勵(lì)行業(yè)，受到國(guó)家有關(guān)部門(mén)的大力扶持。近年來(lái)，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)不斷發(fā)展壯大。據(jù)海關(guān)信息網(wǎng)(www.haiguan.info)統(tǒng)計(jì)，今年1-11月我國(guó)出口二極管及類似半導(dǎo)體器件(以下簡(jiǎn)稱

我國(guó)半導(dǎo)體分立器件出口量持續(xù)增長(zhǎng) 企業(yè)仍臨挑戰(zhàn)

我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)屬于國(guó)家重點(diǎn)鼓勵(lì)行業(yè)，受到國(guó)家有關(guān)部門(mén)的大力扶持。近年來(lái)，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)不斷發(fā)展壯大。據(jù)海關(guān)信息網(wǎng)統(tǒng)計(jì)，今年1-11月我國(guó)出口二極管及類似半導(dǎo)體器件（以下簡(jiǎn)稱半導(dǎo)體器件）3204

【SID】“可彎曲”有機(jī)EL顯示器趨于高精細(xì)化和大型化

本屆“SID 2013”上有很多關(guān)于柔性有機(jī)EL顯示器的發(fā)表。其中一部分已開(kāi)始走向全高清（1920像素×1080像素）等高精細(xì)化和大型化。另外，此次發(fā)表的所有面板都采用了InGaZnO（IGZO）TFT作為驅(qū)動(dòng)元件。 松下開(kāi)發(fā)出

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

熱電偶響應(yīng)時(shí)間受哪些要素影響？

熱電偶（thermocouple）是溫度測(cè)量?jī)x表中常用的測(cè)溫元件，它直接測(cè)量溫度，并把溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換成熱電動(dòng)勢(shì)信號(hào)，通過(guò)電氣儀表（二次儀表）轉(zhuǎn)換成被測(cè)介質(zhì)的溫度。各種熱電偶的外形常因需要而極不相同，但是它們的基本結(jié)

新一代功率半導(dǎo)體：元件開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后