日本政府要求關閉濱岡核電廠,讓復工中的日本半導體材料供貨商雪上加霜。業(yè)界指出,日本夏日電力不足將導致材料供給低于預期,包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導體材料漲勢確立,第2、第3季漲幅恐將達20~30%。日本關
日本政府要求關閉濱岡核電廠,讓復工中的日本半導體材料供應商雪上加霜。業(yè)界指出,日本夏日電力不足將導致材料供給低于預期,包括矽晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導體材料漲勢確立,第2、第3季漲幅恐將達20~30%。日本關
日本政府要求關閉濱岡核電廠,讓復工中的日本半導體材料供貨商雪上加霜。業(yè)界指出,日本夏日電力不足將導致材料供給低于預期,包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導體材料漲勢確立,第2、第3季漲幅恐將達20~30%。日本
日本政府要求關閉濱岡核電廠,這將讓復工中的日本半導體材料供應商雪上加霜。分析人士指出,由濱岡核電廠關閉而引起的日本東北部夏日電力供應不足,將導致包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導體材料必然漲價,第二、三
專業(yè)晶圓測試廠欣銓(3264)總經理張季明預估,今年第二季的合并營收約與第一季持平,第三季的能見度還不明朗,市場都在等待5月中旬的到來,屆時半導體材料供應鏈是否斷鏈將見分曉。張季明表示,欣銓今年第一季合并營收
歐洲化學品管理局風險評估委員會(REACH)新近出臺的有關有害物質管理的一項動議,把GaAs、InP 等重要化合物半導體材料列入了管制范圍。這一動議一旦被接受成為法律,預計將對歐洲的化合物半導體材料以及芯片制造商帶
分地區(qū)來看,臺灣、韓國和中國大陸創(chuàng)下了比上年增長30%左右的增長率紀錄,其他地區(qū)也達到了20%左右的增長率。對此SEMI表示,由于引線鍵合使用的金(Au)的價格高漲,如果后工序的產能較高,則該地區(qū)的市場就有望擴
封測大廠矽品(2325-TW)今(6)日公布 3 月合并營收,達50.4億元,較 2 月成長14.2%,較去年同期成長8.5%,第 1 季合并營收達133.1億元,較去年第 4 季下滑6.5%,較去年同期也下滑7.8%。矽品 3 月非合并營收為46.07億元
國際半導體制造裝置材料協(xié)會(SEMI)宣布,2010年全球半導體材料市場比上年增長25%,達到435億5000萬美元。其中晶圓處理工序(前工序)用材料為比上年增長29%的179億美元,封裝組裝工序(后工序)用材料為比上年增長21%的2
由于半導體產業(yè)出貨量創(chuàng)新高,2010年全球半導體材料市場較2009年增長25%,超過了2007年426.7億美元的高位。2010年全球半導體材料市場收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元,
SEMI發(fā)表研究報告指出,2010年全球半導體材料市場達435.5億美元,臺灣占91億元。并預估2011年臺灣半導體材料支出,將以96億美元奪冠。SEMI Material Market Data Subscription(MMDS)最新研究報告指出,根據(jù)半導體產業(yè)
黃銘章/DIGITIMES 半導體上游材料產業(yè)成長率低于半導體產業(yè),相較于DRAM、Flash Memory等半導體產品,屬于波動較小的半導體子產業(yè)之一。由于需要先進的化學及材料技術,因此盡管日本在半導體市場的占有率逐年下降,
半導體材料代理商華立(3010)代理的中國保利協(xié)鑫能源(3800HK)矽晶圓營運蒸蒸日上,已是華立前三大供應商之一,躍為節(jié)能環(huán)保的通路商。 受到日本311重創(chuàng)日本東北地區(qū),由于該地區(qū)為日本半導體材料主要供應區(qū),國內代
從2010年開始,中國集成電路市場步入新一輪成長期,但市場的發(fā)展速度將不會再現(xiàn)前幾年的高速增長態(tài)勢,平穩(wěn)增長將成為未來中國集成電路市場發(fā)展的主旋律。未來3年中國集成電路市場發(fā)展速度將保持在10%以上。因此,國
新電池可以使太陽能更好地匹配太陽光譜,價格低于每千瓦小時10美分。有一家新創(chuàng)公司名為太陽能交*公司(SolarJunction),這家公司說,它的先導制造工廠正在生產太陽能電池組,這些電池的效率超過目前市場上最好的產
有一種新開發(fā)的半導體材料輝鉬礦(molybdenite,MoS2),其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一,又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne,EPGL)的研究人員并指出,這
有一種新開發(fā)的半導體材料輝鉬礦(molybdenite,MoS2),其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一,又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne,EPGL)的研究人員并指出,這
近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院(EPFL)納米電子學與結構(LANES)實驗室稱,用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導體,或用來制造更小、能效更高的電子芯片,在下一代納米電子設備領域,將比傳統(tǒng)的
近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院(EPFL)納米電子學與結構(LANES)實驗室稱,用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導體,或用來制造更小、能效更高的電子芯片,在下一代納米電子設備領域,將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒
根據(jù)國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(SEMI)的最新預測報告, 2010年由供應商出貨給各家晶圓廠的矽晶圓(silicon wafer)營收成長了43.0%,達到101.9億美元;估計該數(shù)字在 2011年還可成長5.9%。但整體半導體IC市場 2010年營