半導(dǎo)體材料
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鍺/III-V元素可成為矽材料替代品
半導(dǎo)體制程的演進(jìn)一直是媒體爭(zhēng)相報(bào)道的焦點(diǎn)，然而半導(dǎo)體材料的更迭卻也同樣不容忽視。近日，臺(tái)灣媒體報(bào)道稱業(yè)界發(fā)現(xiàn)鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，將有希望成
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半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(I
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半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(I
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半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(I
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半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族
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聚合物太陽(yáng)電池研究項(xiàng)目入選科技部2012年度“中國(guó)科學(xué)十大進(jìn)展”
日前，由華南理工大學(xué)吳宏濱教授和中國(guó)科學(xué)院曹鏞院士首創(chuàng)并具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的水/醇溶性聚合物太陽(yáng)電池界面調(diào)控材料與技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過(guò)在氧化銦錫表面引入水(醇)溶性共軛
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄面臨直接競(jìng)爭(zhēng)
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。SiC早在
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料
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印度推出國(guó)家電子產(chǎn)業(yè)振興政策
印度《商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)報(bào)》10月26日?qǐng)?bào)道，印度內(nèi)閣25日批準(zhǔn)了國(guó)家電子產(chǎn)業(yè)振興政策，希望通過(guò)財(cái)政激勵(lì)措施大力興建電子制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)，促進(jìn)電子產(chǎn)品制造業(yè)發(fā)展與振興。報(bào)道稱，印政府希望通過(guò)新政策實(shí)施，在電子設(shè)備制造業(yè)領(lǐng)
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TFT-LCD背板爆發(fā)性增長(zhǎng) 2012年全球LTPS面板產(chǎn)量將增150%
智慧手機(jī)和平板電腦爆發(fā)式成長(zhǎng)，使得LTPS低溫多晶硅技術(shù)和IGZO組成的非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體技術(shù)等生產(chǎn)高解析度顯示器技術(shù)更為重要。這些TFT技術(shù)采用高移動(dòng)速率半導(dǎo)體材料以減小TFT維度，提高光穿透率。解析度超過(guò)每英寸
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對(duì)日招商再添佳績(jī) 半導(dǎo)體材料商N(yùn)amics2.86億銅鑼建廠
記者曹逸雯／臺(tái)北報(bào)導(dǎo) 對(duì)日招商再添佳績(jī)！日本半導(dǎo)體材料世界級(jí)領(lǐng)導(dǎo)廠商納美仕（Namics）公司26日在銅鑼廠舉行新建工程動(dòng)土典禮，Namics公司社長(zhǎng)小田嶋并親自來(lái)臺(tái)主持，初期將投資新臺(tái)幣2.86億元，預(yù)計(jì)明（2013）
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半導(dǎo)體材料業(yè)發(fā)展十年實(shí)現(xiàn)大跨越
近期，SEMI機(jī)構(gòu)公布了世界半導(dǎo)體材料銷售市場(chǎng)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果。從數(shù)據(jù)中看到，2011年全世界半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的銷售額達(dá)到478.6億美元，比2010年增長(zhǎng)6.7%。其中中國(guó)內(nèi)地的半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額在2011年年增長(zhǎng)率最高，達(dá)到12.
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臺(tái)積擴(kuò)產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光
臺(tái)積電（2330）明年將持續(xù)擴(kuò)增28與20奈米產(chǎn)能，市場(chǎng)預(yù)期資本支出也將再往沖高，為了降低設(shè)備的投資成本，臺(tái)積電近年來(lái)開(kāi)始積極扶植本土設(shè)備廠商，包括無(wú)塵室、自動(dòng)化等相關(guān)設(shè)備廠漢唐（2404）、盟立（2464）、家登（
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臺(tái)積擴(kuò)產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光
【楊喻斐╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】臺(tái)積電（2330）明年將持續(xù)擴(kuò)增28與20奈米產(chǎn)能，市場(chǎng)預(yù)期資本支出也將再往沖高，為了降低設(shè)備的投資成本，臺(tái)積電近年來(lái)開(kāi)始積極扶植本土設(shè)備廠商，包括無(wú)塵室、自動(dòng)化等相關(guān)設(shè)備廠漢唐（2404）、
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臺(tái)灣后段設(shè)備規(guī)模14億美元
SEMI預(yù)估，臺(tái)灣今年后段設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到約14億美元；日月光、矽品和力成持續(xù)在臺(tái)加碼投資建置先進(jìn)封裝設(shè)備。 臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備與材料大展(Semicon Taiwan2012)今天起到7日在臺(tái)北世貿(mào)南港展覽館盛大登場(chǎng)，主辦單位國(guó)
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Q2臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值季成長(zhǎng)10%
工研院IEKITIS計(jì)畫(huà)日前發(fā)表2012年第二季臺(tái)灣電子材料產(chǎn)業(yè)回顧與展望報(bào)告，調(diào)查顯示當(dāng)季臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值新臺(tái)幣749億元，較2012年第一季成長(zhǎng)10.1%，但較2011年同期退6.4%。第二季應(yīng)逐步進(jìn)入電子材料產(chǎn)業(yè)的旺季，但PCB
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Q2臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值季成長(zhǎng)10%
工研院IEKITIS計(jì)畫(huà)日前發(fā)表2012年第二季臺(tái)灣電子材料產(chǎn)業(yè)回顧與展望報(bào)告，調(diào)查顯示當(dāng)季臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值新臺(tái)幣749億元，較2012年第一季成長(zhǎng)10.1%，但較2011年同期退6.4%。第二季應(yīng)逐步進(jìn)入電子材料產(chǎn)業(yè)的旺季，但PCB
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DENSO傳研發(fā)次世代半導(dǎo)體材料SiC晶圓 2年后量產(chǎn)
日經(jīng)新聞23日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球汽車零組件巨擘DENSO已攜手昭和電工、日本新能源暨產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)共同研發(fā)出環(huán)保車高性能晶片用次世代半導(dǎo)體材料「碳化矽(SiC)晶圓」。報(bào)導(dǎo)指出，和現(xiàn)行矽晶圓相比，SiC晶圓結(jié)晶困
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日本：DISCO欲將半導(dǎo)體制造裝置產(chǎn)能提高一倍
據(jù)日本媒體報(bào)道，DISCO于8月7日發(fā)布消息稱，將在主力的桑畑工廠(廣島縣吳市)建設(shè)新廠房，力爭(zhēng)將半導(dǎo)體制造及研磨裝置的產(chǎn)能提高一倍。投資額約為110億日元(約合1.4009億美元)，預(yù)計(jì)于2014年10月竣工。DISCO此次提高產(chǎn)
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