【導讀】有一種新開發(fā)的半導體材料輝鉬礦(molybdenite,MoS2),其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一,又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne,EPGL)的研究人員并
【導讀】國內封裝材料供應龍頭大廠長華電材董事長黃嘉能表示,日本大地震之后出現(xiàn)的缺料問題已經(jīng)浮現(xiàn),材料成本將全面漲價,如果以日幣做基準,至少漲價了10~20%,有部份材料漲價已經(jīng)是現(xiàn)在進行式,包括銀膠、環(huán)氧樹
近日,日本新一代涂布型電子元器件技術研究聯(lián)盟(ECOW)宣布開發(fā)出了直接噴涂有機半導體材料的技術。新技術有望成為利用“靜電噴霧沉積法(ESD)”技術取代真空蒸鍍技術以及旋涂法和噴墨法等涂布技術的第三種有機半導
3月31日-4月6日,電子行業(yè)表現(xiàn)強勢,在各板塊中處于領漲地位。截止4月4日收盤時,中信電子行業(yè)指數(shù)上漲4.71%,滬深300指數(shù)上漲1.56%,上證指數(shù)微漲0.84%。各子版塊全線上漲,其中分立器件、半導體材料和LED板塊漲幅較
LED半導體照明網(wǎng)訊 1.與成都亞光電子成立廈門市三安集成電路有限公司,注冊資金為5億元人民幣。三安以自有現(xiàn)金出資3.25億元,占合資公司注冊資本65%;亞光電子以現(xiàn)金出資0.75億元,占合資公司注冊資本15
由以色列特拉維夫大學(Tel Aviv University)所獨立的新創(chuàng)公司 StoreDot ,號稱能利用以短鏈胺基酸(short-chain amino acids)制作的半導體組件,在30秒之內把手機電池充飽;該公司日前展示了一款大小跟筆記本電腦充電
近日,國家重點基礎研究發(fā)展計劃項目“2.8-4.0微米室溫高性能半導體激光器材料和器件制備研究”啟動會在中科院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所召開??萍疾?73責任專家組成員中科院物理所呂惠賓研究員,上海市科委基礎處
1.與成都亞光電子成立廈門市三安集成電路有限公司,注冊資金為5億元人民幣。三安以自有現(xiàn)金出資3.25億元,占合資公司注冊資本65%;亞光電子以現(xiàn)金出資0.75億元,占合資公司注冊資本15%;廈門中航國際投資集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)
由國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)公告的SEMI Material Market Data Subscription(MMDS)最新研究報告指出,在全球半導體總營收成長5%的狀況下,2013年全球半導體材料市場總營收為435億美元,相較2012年減少3%
國際半導體設備與材料協(xié)會(SEMI)4月7日公布:2013全球半導體材料銷售額為435億美元,與2012年相比,雖然2013年全球半導體材料市場規(guī)模減少3%,但銷售額增長了5%,這意味著半導體材料市場連續(xù)第二年呈下降趨勢。201
3月20日下午,科技部國際合作司副局級參贊蔡嘉寧、科技部國際合作司美大處處長李昕以及科技部國際合作司美大處副處長楊雪梅一行六人對國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(簡稱CSA)、國際半導體照明聯(lián)盟(ISA)及半導體照
華燦光電17日晚間公告,公司擬以自有資金4000萬元人民幣對其全資子公司華燦光電(蘇州)有限公司進行增資。增資后,子公司的注冊資本將增至5.4億元人民幣。華燦光電(蘇州)有限公司經(jīng)營范圍包括半導體材料
近日,中央組織部人才工作局、海外高層次人才引進工作專項辦公室正式下發(fā)通知,易美芯光執(zhí)行副總裁劉國旭博士入選國家第十批 “千人計劃”創(chuàng)新人才長期項目。 劉國旭博士,畢業(yè)于北京大學,并獲美國伊
3月20日消息,據(jù)外媒Digitimes報道,近期臺灣生產(chǎn)12英寸晶圓產(chǎn)能利用率提高,臺灣半導體公司向上修正第一季度業(yè)績。根據(jù)預測半導體材料和設備供應商的盈利都會大幅度提高。半導體材料硅片、光刻膠和石英管出貨量隨著
又一個要取代矽的新型二維半導體:黑磷又一個要取代矽的新型二維半導體:黑磷又一個要取代矽的新型二維半導體:黑磷近年來,二維晶體材料因其優(yōu)越的電氣特性,成為半導體材料研究的新方向。繼石墨烯、二硫化鉬之后
近日,中央組織部人才工作局、海外高層次人才引進工作專項辦公室正式下發(fā)通知,易美芯光執(zhí)行副總裁劉國旭博士入選國家第十批“千人計劃”創(chuàng)新人才長期項目。 劉國旭博士,畢業(yè)于北京大學,并獲美國伊利諾伊大學博士學
第十三屆全國MOCVD學術會議 第二輪會議通知 2014年5月6~9日,揚州經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū) 網(wǎng)址http://www.MOCVD13.org.cn 主辦單位:中國有色金屬學會 承辦單位:北京大學 國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)
英國利茲大學的研究人員開發(fā)出了世界上功率最大的太赫茲激光器芯片。工程與技術學院電子快報上報道利茲團隊研制的量子級聯(lián)太赫茲激光器的輸出功率超過1W。新記錄比去年維也納團隊的記錄高出一倍以上。太赫茲波具有
一 據(jù)華強北電子市場價格指數(shù)本期集成電路指數(shù):91.21 漲跌值:0.92 漲跌幅:1.02%,集成電路價格指數(shù)如同春天溫度的腳步,這周的小幅上揚給我們如同春風般的沐浴,當寒冷已成往事我們干嘛不去細細的品味這暖暖的愜意,
中國科學院半導體研究所常凱研究組,提出利用表面極化電荷在傳統(tǒng)常見半導體材料GaAs/Ge中實現(xiàn)拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功的證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相,這為拓撲絕緣體的器件應