我國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r不盡相同，高端領(lǐng)域缺口大

2018年，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料在各方共同努力下，部分領(lǐng)域取得了可喜成績(jī)，但中高端領(lǐng)域用關(guān)鍵材料本土化上進(jìn)展緩慢，取得的突破較少，總體情況不容樂(lè)觀。

第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會(huì)在上海召開(kāi)

2018年11月7-8日，第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會(huì)在上海召開(kāi)，由泰克公司攜手復(fù)旦大學(xué)，聯(lián)合南京大學(xué)、中科院上海技術(shù)物理研究所、中國(guó)科學(xué)院納米中心共同舉辦。本屆會(huì)議旨在加強(qiáng)全國(guó)各相關(guān)領(lǐng)域研究隊(duì)伍的交流、提供學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界相互分享最新研究成果的機(jī)會(huì)，推動(dòng)我國(guó)先進(jìn)電子材料與器件的發(fā)展，促進(jìn)杰出青年科學(xué)家的迅速成長(zhǎng)和協(xié)同創(chuàng)新。

院士郝躍：我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新

2018年11月7-8日，第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會(huì)在上海召開(kāi)，本屆會(huì)議旨在加強(qiáng)全國(guó)各相關(guān)領(lǐng)域研究隊(duì)伍的交流、提供學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界相互分享最新研究成果的機(jī)會(huì)，推動(dòng)我國(guó)先進(jìn)電子材料與器件的發(fā)展，促進(jìn)杰出青年科學(xué)家的迅速成長(zhǎng)和協(xié)同創(chuàng)新。

寬禁帶半導(dǎo)體是什么？多為專(zhuān)家為你解讀！

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車(chē)，光伏，機(jī)車(chē)牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。

漲價(jià)缺貨的野火擴(kuò)散至CMOS傳感器

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，漲價(jià)缺貨的野火如今已擴(kuò)散到CMOS圖像感測(cè)元件上，今年電子關(guān)鍵零組件及半導(dǎo)體材料接二連三調(diào)漲售價(jià)，有錢(qián)也拿不到貨，前車(chē)之鑒，讓代理商及客戶端一聽(tīng)到缺貨就害怕，而這一波CMOS供貨吃緊，就是在這樣的氛圍下醞釀成形，且有跡可尋，早在今年第2季，中國(guó)大陸高端鏡頭馬達(dá)就已傳出供貨吃緊情況。

基于太赫茲時(shí)域光譜的半導(dǎo)體材料參數(shù)測(cè)量

中國(guó)電科二所實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)新突破

近日，在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國(guó)電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)。

受惠臺(tái)積電等晶圓代工廠沖刺先進(jìn)制程 崇越Q2營(yíng)收要再拚新高

受惠于臺(tái)積電等晶圓代工廠持續(xù)沖刺先進(jìn)制程，代理半導(dǎo)體設(shè)備和硅晶圓的崇越科技(5434)今年首季合并營(yíng)收已創(chuàng)64.46億元單季新高，崇本季在半導(dǎo)體、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)材料出貨持續(xù)增加下，有望再拼新高。

銦泰公司：84年歷史鑄就更精密的半導(dǎo)體材料

3月14日至16日，2018慕尼黑上海電子生產(chǎn)設(shè)備展在上海新國(guó)際博覽中心如期舉辦。慕尼黑上海電子生產(chǎn)設(shè)備展是中國(guó)電子制造行業(yè)領(lǐng)軍展會(huì)，旨在聚焦精密電子生產(chǎn)設(shè)備和制造組裝服務(wù)，展示電子制造核心科技。全球領(lǐng)先的材

Entegris：半導(dǎo)體先進(jìn)制程臨近極限，材料創(chuàng)新日益重要

據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體行業(yè)2017年的銷(xiāo)售總額達(dá)到了4122億美元，這是該行業(yè)有史以來(lái)的最高銷(xiāo)售額。對(duì)比2016年數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2016年?duì)I收達(dá)到3389億美元，同比增長(zhǎng)了21.6%，創(chuàng)下有史以

真空互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)新型半導(dǎo)體材料和器件創(chuàng)新

日前，由中科院蘇州納米所牽頭承辦的第608次香山科學(xué)會(huì)議在蘇州舉行，來(lái)自國(guó)內(nèi)外的40多位專(zhuān)家學(xué)者參會(huì)。本次大會(huì)的主題為“化合物半導(dǎo)體器件的異質(zhì)集成與界面調(diào)控”，中科院院士李樹(shù)深、黃如、中科院蘇州納米所所長(zhǎng)楊輝、香港大學(xué)教授謝茂海擔(dān)任本次大會(huì)的執(zhí)行主席。

產(chǎn)業(yè)“新發(fā)動(dòng)機(jī)” 第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速

“到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭(zhēng)全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國(guó)際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%。”這是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲所描述的我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展前景。

產(chǎn)業(yè)“新發(fā)動(dòng)機(jī)” 第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速

“到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭(zhēng)全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國(guó)際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%?！边@是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲所描述的我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展前景。

第三代半導(dǎo)體材料機(jī)會(huì)來(lái)了？前兩代都有啥瓶頸

照明技術(shù)的迅猛發(fā)展使得該領(lǐng)域有更廣的拓展與實(shí)踐，半導(dǎo)體照明一直是照明技術(shù)的關(guān)鍵領(lǐng)域。

2017年：新一代半導(dǎo)體材料應(yīng)用與需求分析

半導(dǎo)體材料升級(jí)換代。作為集成電路發(fā)展基礎(chǔ)，半導(dǎo)體材料逐步更新?lián)Q代，第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)為主導(dǎo)，目前，95%的半導(dǎo)體器件和 99%以上的集成電路都是硅材料制作。

第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)

藍(lán)光LED(發(fā)光二極管)的技術(shù)專(zhuān)利受制于歐美日等從事該行業(yè)較早的國(guó)家。因此處于發(fā)展初期的基于AlGaN(鋁鎵氮)材料的紫外LED成為突破專(zhuān)利壟斷的最佳領(lǐng)域。另外，紫外LED也是目前氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢(shì)，擁有廣闊的應(yīng)用前景。

新材料江湖博弈之局，第三代半導(dǎo)體材料大勢(shì)所趨

繼第一代元素半導(dǎo)體材料(si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料后，第三代禁帶寬度半導(dǎo)體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經(jīng)在獲得了眾多半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可。第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速

比石墨烯更好的半導(dǎo)體！“石墨烯之父”又一重磅研究成果

近十年來(lái)，全世界對(duì)石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒(méi)有白費(fèi)。近期，一種可應(yīng)用于未來(lái)超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦 (InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。本月，曼

“石墨烯之父”找到比石墨烯更好的半導(dǎo)體材料

近十年來(lái)，全世界對(duì)石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒(méi)有白費(fèi)。近期，一種可應(yīng)用于未來(lái)超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦(InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。本月，曼

人類(lèi)拍到半導(dǎo)體材料內(nèi)部電子運(yùn)動(dòng)

英國(guó)《自然·納米技術(shù)》雜志11日在線發(fā)表論文稱，科學(xué)家們利用飛秒技術(shù)首次成功拍攝到半導(dǎo)體材料內(nèi)部電子狀態(tài)變化。該成果將提供對(duì)半導(dǎo)體核心器件前所未有的洞察。自