晶圓制造產(chǎn)業(yè)屬于典型的資產(chǎn)和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè),羅方格晶圓廠,總投資的80%用于購(gòu)買(mǎi)設(shè)備,而購(gòu)買(mǎi)設(shè)備中的80%是晶圓制造設(shè)備。光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備為晶圓制造核心設(shè)備,分別占晶圓制造環(huán)節(jié)的23%、30%、25%。
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出價(jià)格實(shí)惠且尺寸緊湊的STM32 Nucleo-144系列開(kāi)發(fā)板,
近年來(lái)存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的占比穩(wěn)步提升,2017年已經(jīng)達(dá)到 24%左右,在集成電路中的比重更是超過(guò)了30%,在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)極為重要的地位。北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司在NOR Flash領(lǐng)域已經(jīng)成為全球三大供應(yīng)商之一,同時(shí)也在積極發(fā)展2D NAND和DRAM,是國(guó)內(nèi)布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的主要廠商之一。日前,兆易創(chuàng)新全資子公司合肥格易集成電路有限公司投資興建的,公益性集成電路科技館“兆易集成電路科技館”,在合肥市舉行開(kāi)館儀式。借此之機(jī),記者采訪了兆易創(chuàng)新董事長(zhǎng)朱一明,探討在當(dāng)前情況下中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之策。
半導(dǎo)體設(shè)備材料大廠家登近日召開(kāi)股東會(huì),董事長(zhǎng)邱銘干表示,2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)亮眼,營(yíng)收、設(shè)備及硅晶圓出貨金額都創(chuàng)下歷史新高,近年大陸喊出智能制造2025大戰(zhàn)略,投資新建許多的8英寸及12英寸晶圓廠,強(qiáng)勁帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出擴(kuò)張,再加上5G、挖礦熱潮、區(qū)塊鏈等數(shù)位金融的興起,這些新技術(shù)都需要建構(gòu)在高端納米級(jí)芯片上的技術(shù)持續(xù)深耕才具有可行性,都讓未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可期,家登受惠兩岸12英寸廠晶圓新產(chǎn)能開(kāi)出,12英寸前開(kāi)式晶圓傳送盒(300mm FOUP)大單陸續(xù)落袋,加上極紫外光光罩盒(EUV POD)
近日,浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院趙毅教授課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲(chǔ)器。這項(xiàng)基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝的工作,將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度,降低網(wǎng)絡(luò)芯片的制造成本,進(jìn)而從理論上為“萬(wàn)物互聯(lián)”打下基礎(chǔ)。同時(shí),還可為數(shù)據(jù)“打上”標(biāo)簽,為未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)社會(huì)增添更多想象。
深圳華強(qiáng)公告,公司自2015年開(kāi)始沿著電子產(chǎn)業(yè)鏈不斷延伸和拓展,通過(guò)收購(gòu)湘海電子、鵬源電子、淇諾科技、芯斐電子以及增資控股香港慶瓷等優(yōu)秀的電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商,不斷整合國(guó)內(nèi)電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)業(yè)務(wù)。目前已進(jìn)入國(guó)內(nèi)電子元器件分銷(xiāo)商第一梯隊(duì)。公司擬對(duì)公司電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)業(yè)務(wù)進(jìn)行進(jìn)一步的、全方位的深度整合。為此,公司將組建華強(qiáng)半導(dǎo)體集團(tuán),公司現(xiàn)已將全資子公司深圳華強(qiáng)聯(lián)大電子信息有限公司公司更名為深圳華強(qiáng)半導(dǎo)體集團(tuán)有限公司。
2017年5月2日,公司(NASDAQ: LSCC),客制化智能互連解決方案市場(chǎng)的領(lǐng)先供應(yīng)商,宣布推出全新的,它是首款專(zhuān)為需要靈活的低成本、低功耗圖像處理架構(gòu)的移動(dòng)相關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)
中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)在芯片設(shè)計(jì)、晶圓代工、封裝測(cè)試三個(gè)細(xì)分行業(yè)中競(jìng)爭(zhēng)力依次增強(qiáng)。其中封裝測(cè)試行業(yè)的江蘇長(zhǎng)電已經(jīng)排進(jìn)世界第三名;在晶圓代工方面大陸也在急速追趕,12吋晶圓制造線已經(jīng)成為全世界的集中地;然而,芯片設(shè)計(jì)的傳統(tǒng)領(lǐng)域仍處于劣勢(shì),新應(yīng)用領(lǐng)域(人工智能、物聯(lián)網(wǎng))正在迎頭趕上。中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等也已經(jīng)成為業(yè)界知名企業(yè)。最為尖端的芯片設(shè)計(jì)IP部分,中國(guó)最為薄弱,但ARM也已經(jīng)在中國(guó)設(shè)立了合資企業(yè)。
近日消息,據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布最新報(bào)告顯示,由于2018年上半年高端智能手機(jī)需求不如預(yù)期,以及廠商推出的高端及中端智能手機(jī)分界越來(lái)越模糊,智能手機(jī)廠商推出的新功能并未如預(yù)期刺激消費(fèi)者換機(jī)需求,間接壓抑智能
“不惜投資500億元、要做前十大……”近日,家電巨頭紛紛拋出了自己在芯片產(chǎn)業(yè)上的目標(biāo)。繼董明珠高調(diào)對(duì)外稱(chēng)格力將不惜投500億元進(jìn)入芯片領(lǐng)域后,近日康佳集團(tuán)也宣稱(chēng),康佳集團(tuán)將成立半導(dǎo)體科
過(guò)去10年,半導(dǎo)體硅晶圓因供過(guò)于求,使得價(jià)格不斷走跌。但從2017年初起,情勢(shì)出現(xiàn)大反轉(zhuǎn),供不應(yīng)求推升硅晶圓的報(bào)價(jià)逐季飆漲,第一季度整體報(bào)價(jià)漲幅約達(dá)20%。硅晶圓漲價(jià)的主要原因體現(xiàn)在兩個(gè)方面,一方面是車(chē)聯(lián)網(wǎng)、
多年來(lái),無(wú)錫市集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模在全國(guó)均處于“第一軍團(tuán)”,2017年的表現(xiàn)更是不俗。不僅全年集成電路產(chǎn)值達(dá)890億元,同比增長(zhǎng)10%,同時(shí)集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)投資總額也高達(dá)228億美元。但是,有消息人士分析指出,無(wú)錫市集成電路產(chǎn)業(yè)分布并不均衡,主要集中在封測(cè)和制造領(lǐng)域,而上游設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)動(dòng)力不足。
“不惜投資500億元、要做前十大……”近日,家電巨頭紛紛拋出了自己在芯片產(chǎn)業(yè)上的目標(biāo)。 繼董明珠高調(diào)對(duì)外稱(chēng)格力將不惜投500億元進(jìn)入芯片領(lǐng)域后,近日康佳集團(tuán)也宣稱(chēng),康佳集團(tuán)將成立半導(dǎo)體科技事業(yè)部,正式進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
日經(jīng)亞洲評(píng)論日前報(bào)導(dǎo),來(lái)自美國(guó)、歐洲、亞洲的九大半導(dǎo)體制造商/半導(dǎo)體設(shè)備制造商(包括三星電子、美光、應(yīng)用材料)最近一季純益季增將近 40% 至破紀(jì)錄的 278 億美元。報(bào)導(dǎo)指出,這九家廠商最近一季的營(yíng)收、盈余均出現(xiàn)年增。
全球半導(dǎo)體景氣持續(xù)攀升,且晶圓代工龍頭臺(tái)積電上修全年資本支出至112美元?dú)v史新高之際,全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭美商應(yīng)材卻看淡本季營(yíng)運(yùn)。 業(yè)界認(rèn)為,應(yīng)材展望淡,應(yīng)與三星搶食蘋(píng)果新世代A12處理器再度遭到挫敗,影響應(yīng)材出貨有關(guān)。
一、光敏電阻光敏電阻是用硫化隔或硒化隔等半導(dǎo)體材料制成的特殊電阻器,表面還涂有防潮樹(shù)脂,具有光電導(dǎo)效應(yīng)。 二、特性光敏電阻對(duì)光線十分敏感。光照愈強(qiáng),阻值就愈低。隨著光照強(qiáng)度的升高,電阻值迅速降低,可降
半導(dǎo)體材料取自于元素周期表中金屬與非金屬的交界處。常溫下半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間。本征半導(dǎo)體純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。(由于不含雜質(zhì)且為晶體結(jié)構(gòu),所以導(dǎo)電性比普通半導(dǎo)體差)常溫
尺寸縮小有其物理限制不過(guò),制程并不能無(wú)限制的縮小,當(dāng)我們將晶體管縮小到 20 奈米左右時(shí),就會(huì)遇到量子物理中的問(wèn)題,讓晶體管有漏電的現(xiàn)象,抵銷(xiāo)縮小 L 時(shí)獲得的效益。作為改善方式,就是導(dǎo)入 FinFET(Tri-Gate)
"P型半導(dǎo)體即空穴濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體",空穴不是相當(dāng)于帶正電嗎,既然空穴濃度大于自由電子濃度,那么和電子中和以后,剩余的空穴不還是帶正電嗎?回答:P型半導(dǎo)體一般由硅元素?fù)饺肱鹪匦纬?,而硅?/p>
半導(dǎo)體一般由鍺和硅兩種材料構(gòu)成,而由于我們生活的環(huán)境的溫度不是絕對(duì)零度,所有會(huì)有本征激發(fā)(電子脫離質(zhì)子的吸引力而轉(zhuǎn)變成為自由電子 如下圖),這就是溫度可以改變半導(dǎo)體的特性。那么我就要引入能級(jí)了。本征激發(fā)