日本強(qiáng)震導(dǎo)致許多關(guān)鍵原物料與零組件面臨缺貨風(fēng)險(xiǎn),漲價(jià)壓力已是蠢蠢欲動(dòng),裸晶圓就是其中之一,根據(jù)日商大和證券亞洲科技產(chǎn)業(yè)研究部主管陳慧明28日的預(yù)估,12寸裸晶圓價(jià)格從第3季起將有超過(guò)15%的上漲空間。陳慧明指
日本整合元件大廠(IDM)因地震出現(xiàn)委外釋單潮,聯(lián)電(2303)昨(29)日表示,公司目前尚未獲得類似訂單,但這是長(zhǎng)期趨勢(shì),聯(lián)電正面以對(duì)。 聯(lián)電2009年12月底收購(gòu)旗下聯(lián)日半導(dǎo)體(UMCJ),其位于本千葉縣館山市(T
日本強(qiáng)震導(dǎo)致許多關(guān)鍵原物料與零組件面臨缺貨風(fēng)險(xiǎn),漲價(jià)壓力已是蠢蠢欲動(dòng),裸晶圓就是其中之一,根據(jù)日商大和證券亞洲科技產(chǎn)業(yè)研究部主管陳慧明昨(28)日的預(yù)估,12寸裸晶圓價(jià)格從第3季起將有超過(guò)15%的上漲空間。
中國(guó)環(huán)境保護(hù)部日前公開(kāi)的資料顯示,中國(guó)境內(nèi)最大的半導(dǎo)體代工企業(yè):中芯國(guó)際計(jì)畫(huà)在北京新建集成電路工廠,總投資高達(dá)67億美元(約合460.6億元人民幣),以滿足中國(guó)日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。 新浪科技報(bào)導(dǎo),中國(guó)環(huán)境
受到日本強(qiáng)震影響,NOR快閃存儲(chǔ)器大廠飛索半導(dǎo)體(Spansion)原本投片的日本德儀晶圓廠受到損傷,為了避免后續(xù)晶圓代工產(chǎn)能不足問(wèn)題,飛索決定將訂單移轉(zhuǎn)到大陸晶圓代工廠中芯國(guó)際,并傳出已包下中芯轉(zhuǎn)投資的武漢12寸
企業(yè)看好LED驅(qū)動(dòng)IC行業(yè)——展商專訪:華冠半導(dǎo)體
瑞薩電子2011年3月18日公布了截至當(dāng)天12時(shí),受地震和計(jì)劃停電影響的日本國(guó)內(nèi)8處生產(chǎn)基地的情況?! “l(fā)布資料顯示,繼已宣布恢復(fù)生產(chǎn)的瑞薩東日本半導(dǎo)體東京元器件本部(半導(dǎo)體后工序,東京青梅市)之后,
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體),宣布其專為微控制器(MCU)開(kāi)發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn),包括低本高效的OTP ,高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPROM制程平臺(tái)。低本高效的
環(huán)保部公告泄露中芯國(guó)際巨額投資計(jì)劃(新浪科技配圖) 新浪科技訊 3月28日晚間消息,中國(guó)環(huán)境保護(hù)部今日公示的資料顯示,國(guó)內(nèi)最大半導(dǎo)體代工企業(yè)中芯國(guó)際計(jì)劃在北京新建集成電路工廠,總投資高達(dá)460.6億元。環(huán)境保護(hù)部
一位美國(guó)華爾街分析師指出,日本東北大地震對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈所帶來(lái)的影響,將會(huì)是暫時(shí)性且程度有限的,主要是因?yàn)閺S商具備庫(kù)存緩沖,并能找到替代供應(yīng)來(lái)源?!拔覀?nèi)钥春冒雽?dǎo)體領(lǐng)域,因?yàn)槲覀儗⒛壳暗幕靵y視為暫時(shí)
21ic訊 盛群半導(dǎo)體推出HT48R06xD與HT46R06xD高電流驅(qū)動(dòng)LED系列MCU。HT48R06xD系列家族成員共3顆、HT46R06xD系列家族成員也有3顆,分別是HT48R064D與HT46R064D可直接驅(qū)動(dòng)32顆LED、HT48R065D、HT46R065D、HT48R066D與H
21ic訊 全系列符合工業(yè)上-40℃~ +85℃工作溫度與高抗噪聲的性能要求。工作電壓為2.0V~3.6V。RF部分可支持300MHz~450MHz的發(fā)射頻率,以ASK方式調(diào)變。在3.5V工作電壓下,發(fā)射功率最高可達(dá)安規(guī)范圍上限10dBm。 HT12x2Tx
根據(jù)環(huán)境保護(hù)部今日公示的資料,國(guó)內(nèi)最大半導(dǎo)體代工企業(yè)中芯國(guó)際計(jì)劃在北京新建集成電路工廠,總投資高達(dá)460.6億元。 環(huán)保部網(wǎng)站今日公布了“2011年3月21日—3月25日環(huán)境保護(hù)部受理環(huán)境影響報(bào)告書(shū)情況”,其中第一
臺(tái)積電(2330)松江廠擴(kuò)產(chǎn)積極,第二期工程近日通過(guò)上海市政府環(huán)境評(píng)估審查。臺(tái)積電昨(28)日表示,松江廠第二期將每月新增7.5萬(wàn)片8吋晶圓產(chǎn)能,加上第一期的3.5萬(wàn)片,明年底全產(chǎn)能上看每月11萬(wàn)片吋,是目前產(chǎn)能的一
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體),宣布其專為微控制器(MCU)開(kāi)發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn),包括低本高效的OTP ,高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPROM制程平臺(tái)。低本高效的OTP技
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)日前宣布,該公司已在經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局協(xié)助下,與15家供應(yīng)商夥伴共同于2月份完成“半導(dǎo)體供應(yīng)鏈碳足跡輔導(dǎo)與推廣計(jì)劃”;這是臺(tái)積電繼2009年6月份帶領(lǐng)其供應(yīng)商夥伴成功完成“供應(yīng)鏈碳盤(pán)查輔導(dǎo)計(jì)
21ic訊 日本東京,特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 開(kāi)發(fā)了10.5V 工作電壓、200mA高速低消耗電流LDO 電壓調(diào)整器XC6505系列產(chǎn)品。XC6505系列產(chǎn)品是消耗電流只有5.5μA,還實(shí)現(xiàn)了與既往的高速LDO具有相同等級(jí)
21ic訊 日本東京,特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 開(kāi)發(fā)了10.5V 工作電壓、200mA高速低消耗電流LDO 電壓調(diào)整器XC6505系列產(chǎn)品。XC6505系列產(chǎn)品是消耗電流只有5.5μA,還實(shí)現(xiàn)了與既往的高速LDO具有相同等級(jí)
日本2011年3月11日下午發(fā)生9.0級(jí)強(qiáng)震,雖然日系兩大存儲(chǔ)器廠東芝(Toshiba)和爾必達(dá)(Elpida)工廠并不在直接災(zāi)區(qū)附近,但仍對(duì)于整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)生巨大影響。震央附近的巖手縣,其半導(dǎo)體廠包括東芝、富士通、索尼等,其中
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,因地震、海嘯災(zāi)難關(guān)閉的部分日本芯片工廠已經(jīng)恢復(fù)生產(chǎn),但其他工廠則仍然面臨電力短缺等問(wèn)題的困擾。業(yè)內(nèi)人士指出,目前,芯片業(yè)最關(guān)注的問(wèn)題是地震和海嘯災(zāi)難對(duì)全球高科技產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的影響。盡管未