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氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)推動(dòng)電力電子技術(shù)變革
單器件雙向控制，開(kāi)啟無(wú)限可能
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雙向開(kāi)關(guān)是如何工作的-接線(xiàn)和演示
年輕的工程師在實(shí)驗(yàn)室里學(xué)到的一個(gè)簡(jiǎn)單而有趣的連接圖是樓梯照明的設(shè)置。也許我們大多數(shù)人可能已經(jīng)使用過(guò)它，而不太關(guān)注它是如何工作的。就這一點(diǎn)而言，家里或任何其他地方的樓梯照明通常是用一種叫做雙向開(kāi)關(guān)的東西來(lái)完成的。
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英飛凌實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)突破——單片高壓CoolGaN BDS大幅簡(jiǎn)化雙向開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)GaN
受到低碳可持續(xù)發(fā)展和AI兩大需求方向推動(dòng)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在飛速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2026年將達(dá)到262億美元市場(chǎng)規(guī)模。傳統(tǒng)的硅基設(shè)備（包括整流器、晶閘管、雙極型晶體管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模塊及IPM）在某些應(yīng)用中會(huì)有所增長(zhǎng)，但在其他市場(chǎng)正逐步被寬帶隙（WBG）技術(shù)產(chǎn)品所取代。氮化鎵（GaN）預(yù)計(jì)會(huì)快速增長(zhǎng)，目前主要應(yīng)用在消費(fèi)電子領(lǐng)域，但將逐步進(jìn)入工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域。碳化硅（SiC）則將繼續(xù)在高功率汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中保持增長(zhǎng)并擴(kuò)大滲透率。具體市場(chǎng)估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高電子遷移率晶體管），包括分立器件和集成器件，市場(chǎng)規(guī)模約為10億美元；SiC MOSFETs和二極管，包括分立器件和模塊，市場(chǎng)規(guī)模約為30億美元。
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英飛凌推出CoolGaN雙向開(kāi)關(guān)和CoolGaN Smart Sense，提高功率系統(tǒng)的性能和成本效益
【2024年7月9日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出兩項(xiàng)全新的CoolGaN?產(chǎn)品技術(shù)：CoolGaN?雙向開(kāi)關(guān)（BDS）和CoolGaN? Smart Sense。CoolGaN? BDS擁有出色的軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開(kāi)關(guān)，適用于移動(dòng)設(shè)備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等。CoolGaN? Smart Sense 產(chǎn)品具有無(wú)損電流檢測(cè)功能，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并進(jìn)一步降低了功率損耗，同時(shí)將各種晶體管開(kāi)關(guān)功能集成到一個(gè)封裝中，適用于消費(fèi)類(lèi)USB-C 充電器和適配器。
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雙向開(kāi)關(guān)前置的單相升壓APFC變換器建模和仿真
0 引言傳統(tǒng)單相升壓APFC電路已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到功率因數(shù)校正電路中，但是該方案需要獨(dú)立的不可控整流橋，置后的升壓電感需要解決抗直流偏磁問(wèn)題，而且升壓電感的位置很不利于
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三種常見(jiàn)光電耦合器運(yùn)行講解
作為在近幾年當(dāng)中迅速崛起的一種半導(dǎo)體光電器件，光電耦合器擁有很多優(yōu)點(diǎn)，比如體積小、壽命長(zhǎng)，能在干擾較強(qiáng)的環(huán)境下工作等。因此，光電耦合器開(kāi)始被大量的應(yīng)用在電子電路
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風(fēng)力發(fā)電用VSG的比較研究
本文首先討論了基于變壓器和雙向開(kāi)關(guān)的VSG 及基于全功率變流器的VSG的工作原理，基于變壓器和雙向開(kāi)關(guān)的VSG 可以選擇使用繼電器、晶閘管或IGBT 構(gòu)成雙向開(kāi)關(guān)，構(gòu)建了實(shí)驗(yàn)樣機(jī)，對(duì)幾種不同的實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行了比較研究，分析并通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比了幾種方案的優(yōu)缺點(diǎn)。
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風(fēng)力發(fā)電用VSG的比較研究
本文首先討論了基于變壓器和雙向開(kāi)關(guān)的VSG 及基于全功率變流器的VSG的工作原理，基于變壓器和雙向開(kāi)關(guān)的VSG 可以選擇使用繼電器、晶閘管或IGBT 構(gòu)成雙向開(kāi)關(guān)，構(gòu)建了實(shí)驗(yàn)樣機(jī)，對(duì)幾種不同的實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行了比較研究，分析并通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比了幾種方案的優(yōu)缺點(diǎn)。
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矩陣變換器在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的應(yīng)用研究
摘要：風(fēng)力發(fā)電是一種重要的新能源技術(shù)。介紹了應(yīng)用于新型風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的矩陣變換器，詳細(xì)分析了具有9個(gè)雙向開(kāi)關(guān)的傳統(tǒng)矩陣變換器與改進(jìn)的雙橋結(jié)構(gòu)矩陣變換器，以及各自的優(yōu)缺點(diǎn)。通過(guò)分析比較得出，雙橋結(jié)構(gòu)矩陣變換
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矩陣式變換器雙向開(kāi)關(guān)四步換流技術(shù)研究
摘要：對(duì)矩陣式變換器(MC)中雙向開(kāi)關(guān)的安全換流課題進(jìn)行了研究。分析了各種換流方案，進(jìn)而提出采用可編程邏輯元件(GAL)的四步換流方案，仿真和實(shí)驗(yàn)的結(jié)果證實(shí)了這種換流方案的可行性與可靠性。 關(guān)鍵詞：矩陣式變換器
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矩陣式變換器雙向開(kāi)關(guān)四步換流技術(shù)研究
摘要：對(duì)矩陣式變換器(MC)中雙向開(kāi)關(guān)的安全換流課題進(jìn)行了研究。分析了各種換流方案，進(jìn)而提出采用可編程邏輯元件(GAL)的四步換流方案，仿真和實(shí)驗(yàn)的結(jié)果證實(shí)了這種換流方案的可行性與可靠性。 關(guān)鍵詞：矩陣式變換器
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CMOS雙向開(kāi)關(guān)工作原理
CMOS雙向開(kāi)關(guān)也稱(chēng)CMOS傳輸門(mén)。CMOS雙向開(kāi)關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開(kāi)關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優(yōu)良，使用方便且成本低。每個(gè)開(kāi)關(guān)只有一個(gè)控制端和兩互為輸入/輸出信號(hào)端，
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雙向開(kāi)關(guān)前置的單相升壓APFC變換器建模和仿真
0 引言 傳統(tǒng)單相升壓APFC電路已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到功率因數(shù)校正電路中，但是該方案需要獨(dú)立的不可控整流橋，置后的升壓電感需要解決抗直流偏磁問(wèn)題，而且升壓電感的位置很不利于整個(gè)功率電路的集成。這些引起了人們對(duì)
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矩陣式變換器雙向開(kāi)關(guān)四步換流技術(shù)研究
對(duì)矩陣式變換器(MC)中雙向開(kāi)關(guān)的安全換流課題進(jìn)行了研究。分析了各種換流方案，進(jìn)而提出采用可編程邏輯元件(GAL)的四步換流方案
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矩陣式變換器雙向開(kāi)關(guān)四步換流技術(shù)研究
對(duì)矩陣式變換器(MC)中雙向開(kāi)關(guān)的安全換流課題進(jìn)行了研究。分析了各種換流方案，進(jìn)而提出采用可編程邏輯元件(GAL)的四步換流方案
