在存儲(chǔ)器領(lǐng)域中,讀寫(xiě)速度更快、可靠性更強(qiáng)、體積更小的存儲(chǔ)器有望誕生。近日,復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院微電子學(xué)系教授江安全在高密度鐵電阻變存儲(chǔ)器(Ferro-RRAM)的研究中取得重大進(jìn)展,他帶領(lǐng)的研究小組與中科
大型電動(dòng)車(chē)輛大多采用雙電機(jī)驅(qū)動(dòng)。為增加啟動(dòng)轉(zhuǎn)矩,降低啟動(dòng)電流。要求轉(zhuǎn)子回路串入頻敏電阻器,同時(shí)為了確保兩電機(jī)速度一致,要求各自所串入的頻敏變阻器性能參數(shù)一致,否則會(huì)發(fā)生車(chē)體偏扭,加重導(dǎo)軌側(cè)磨,同時(shí)增加
為強(qiáng)化通訊市場(chǎng)布局,臺(tái)灣地區(qū)無(wú)源器件領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商國(guó)巨宣布推出全系列積層芯片壓敏變阻器(Multilayer varistor, MLV),產(chǎn)品尺寸涵蓋0201到0805,主要功能在于防止突波和靜電(ESD)、保護(hù)電子設(shè)備。該系列積層芯片壓敏變阻
為強(qiáng)化通訊市場(chǎng)布局,臺(tái)灣地區(qū)無(wú)源器件領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商國(guó)巨宣布推出全系列積層芯片壓敏變阻器(Multilayer varistor, MLV),產(chǎn)品尺寸涵蓋0201到0805,主要功能在于防止突波和靜電(ESD)、保護(hù)電子設(shè)備。該系列積層芯片壓敏變阻