在存儲(chǔ)器領(lǐng)域中，讀寫(xiě)速度更快、可靠性更強(qiáng)、體積更小的存儲(chǔ)器有望誕生。近日，復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院微電子學(xué)系教授江安全在高密度鐵電阻變存儲(chǔ)器（Ferro-RRAM）的研究中取得重大進(jìn)展，他帶領(lǐng)的研究小組與中科院物理所、首爾大學(xué)、劍橋大學(xué)等合作，證明了一種鐵電自發(fā)極化方向調(diào)制的p-n結(jié)電流，可運(yùn)用于高密度信息的非揮發(fā)存儲(chǔ)。

江安全介紹，鐵電存儲(chǔ)器最大的優(yōu)點(diǎn)在于讀寫(xiě)速度快。目前，在使用電腦讀取硬盤(pán)時(shí)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)較快速度的原因不在于CPU的技術(shù)，而是因?yàn)榇罅康臅r(shí)間耗費(fèi)在數(shù)據(jù)交換上。相比現(xiàn)在使用廣泛的閃存硬盤(pán)以毫秒為單位的運(yùn)轉(zhuǎn)速度，鐵電存儲(chǔ)器可以達(dá)到幾十納秒，快了106倍，可廣泛應(yīng)用于高性能移動(dòng)數(shù)字設(shè)備和電腦中，大大提升了讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的效率。

同時(shí)，把存儲(chǔ)器做得越來(lái)越小且容量越來(lái)越大，也就是提高存儲(chǔ)器的密度，是諸多研究人員的努力方向。江安全介紹說(shuō)，正是由于鐵電變阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它單位體積內(nèi)的存儲(chǔ)容量比現(xiàn)有的電容存儲(chǔ)器等有了巨大的提升空間。在未來(lái)，像現(xiàn)有U盤(pán)大小的存儲(chǔ)器可以有幾十個(gè)G的存儲(chǔ)量，將不再是夢(mèng)想。

除了信息高密度存儲(chǔ)和快速擦寫(xiě)特性，鐵電存儲(chǔ)器還具備了電壓低、成本低、損耗低、體積小的優(yōu)點(diǎn)，具有極大的產(chǎn)業(yè)化潛力，尤其是在電子標(biāo)簽、移動(dòng)電話(huà)、公交卡、隨身聽(tīng)、游戲卡和數(shù)碼相機(jī)等耗電少的電子產(chǎn)品中，將率先得到應(yīng)用和發(fā)展。