June 24, 2025 ---- 近期市場(chǎng)對(duì)于NVIDIA RTX PRO 6000系列產(chǎn)品的討論聲量高,預(yù)期在需求支撐下,整體出貨將有不俗表現(xiàn)。然而,TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷認(rèn)為,該系列產(chǎn)品受限于存儲(chǔ)器供應(yīng)緊張等因素,出貨量是否能如市場(chǎng)期待,仍有變量。
在人工智能訓(xùn)練、實(shí)時(shí)圖形渲染與科學(xué)計(jì)算領(lǐng)域,存儲(chǔ)器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當(dāng)前顯存技術(shù)的兩大巔峰之作,分別通過(guò)三維堆疊與信號(hào)調(diào)制技術(shù)的突破,為不同應(yīng)用場(chǎng)景提供了差異化解決方案。本文從架構(gòu)設(shè)計(jì)、性能參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景及生態(tài)布局四個(gè)維度,深度解析兩種技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)格局與演進(jìn)方向。
傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)逼近物理極限,鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FeFET)憑借其獨(dú)特的極化翻轉(zhuǎn)機(jī)制與非易失性邏輯特性,成為突破馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。FeFET通過(guò)將鐵電材料集成至晶體管柵極,實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)與邏輯功能的深度融合,其物理機(jī)制涵蓋從原子級(jí)極化調(diào)控到器件級(jí)非易失性操作的完整鏈條。
數(shù)字化轉(zhuǎn)型與人工智能技術(shù)驅(qū)動(dòng),數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)磁盤陣列向全閃存與新型內(nèi)存技術(shù)的深度變革。全閃存陣列(AFA)憑借亞毫秒級(jí)延遲與高IOPS性能重塑存儲(chǔ)性能基準(zhǔn),而持久化內(nèi)存(PMEM)則通過(guò)填補(bǔ)DRAM與SSD之間的性能鴻溝,重新定義了近內(nèi)存計(jì)算范式。這兩大技術(shù)的演進(jìn)路徑,不僅反映了存儲(chǔ)介質(zhì)的技術(shù)突破,更揭示了數(shù)據(jù)中心在容量、性能與成本平衡中的創(chuàng)新邏輯。
AI算力與數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張,存儲(chǔ)器糾錯(cuò)碼(ECC)技術(shù)已成為保障數(shù)據(jù)完整性的核心防線。從硬件加速架構(gòu)到算法優(yōu)化,ECC技術(shù)正通過(guò)多維度創(chuàng)新,將內(nèi)存錯(cuò)誤率降低至每萬(wàn)億小時(shí)1次以下,為關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)提供接近零故障的可靠性保障。
存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈安全已成為國(guó)家戰(zhàn)略的核心命題,從晶圓代工到封裝測(cè)試,中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)正通過(guò)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)突破與生態(tài)重構(gòu),走出一條從“受制于人”到“自主可控”的替代之路。這條路徑不僅關(guān)乎產(chǎn)業(yè)安全,更承載著數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的技術(shù)主權(quán)。
AI算力需求爆炸式增長(zhǎng),存儲(chǔ)器封裝技術(shù)正經(jīng)歷從2.5D到3D異構(gòu)集成的范式變革。這種變革不僅重構(gòu)了芯片間的物理連接方式,更對(duì)散熱設(shè)計(jì)與信號(hào)完整性提出了全新挑戰(zhàn)。本文從封裝架構(gòu)演進(jìn)、散熱機(jī)制創(chuàng)新與信號(hào)完整性保障三個(gè)維度,解析新一代存儲(chǔ)器封裝技術(shù)的核心突破。
數(shù)據(jù)成為核心生產(chǎn)要素的時(shí)代,存儲(chǔ)器安全技術(shù)已成為保障數(shù)字資產(chǎn)隱私與完整性的關(guān)鍵防線。從早期基于硬件的加密引擎到現(xiàn)代可信執(zhí)行環(huán)境(TEE)的生態(tài)構(gòu)建,存儲(chǔ)器安全技術(shù)經(jīng)歷了從單一防護(hù)到體系化協(xié)同的演進(jìn)。本文從硬件加密引擎、存儲(chǔ)器控制器安全增強(qiáng)、到TEE架構(gòu)設(shè)計(jì)三個(gè)維度,解析存儲(chǔ)器安全技術(shù)的核心突破與應(yīng)用場(chǎng)景。
May 13, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新半導(dǎo)體封測(cè)研究報(bào)告,2024年全球封測(cè)(OSAT)市場(chǎng)面臨技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)重組的雙重挑戰(zhàn)。從營(yíng)收分析,日月光控股、Amkor(安靠)維持領(lǐng)先地位,值得關(guān)注的是,得益于政策支持和本地需求帶動(dòng),長(zhǎng)電科技和天水華天等封測(cè)廠營(yíng)收皆呈雙位數(shù)成長(zhǎng),對(duì)既有市場(chǎng)格局構(gòu)成了強(qiáng)大的挑戰(zhàn)。
像任何行業(yè)幫助開(kāi)發(fā)可編程邏輯應(yīng)用程序一樣,我們使用標(biāo)準(zhǔn)接口來(lái)實(shí)現(xiàn)重用和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在FPGA開(kāi)發(fā)中最流行的接口是Arm可擴(kuò)展接口(AXI),它為開(kāi)發(fā)人員提供了一個(gè)完整的高性能,如果需要的話,還可以緩存相干存儲(chǔ)器映射總線。
在這篇文章中,小編將對(duì)嵌入式系統(tǒng)的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度,和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
PSRAM,作為一種融合了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)高密度特性與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)易用性的存儲(chǔ)技術(shù),其重要性不言而喻。從結(jié)構(gòu)上看,PSRAM 內(nèi)部主要由 DRAM 存儲(chǔ)單元負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),SRAM 接口電路將 DRAM 的操作轉(zhuǎn)換為外部系統(tǒng)可識(shí)別的 SRAM 操作模式,刷新控制電路則自動(dòng)執(zhí)行 DRAM 的刷新操作以確保數(shù)據(jù)完整性。這種獨(dú)特的架構(gòu)設(shè)計(jì)賦予了 PSRAM 一系列出色的技術(shù)特點(diǎn)。
April 17, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,近期國(guó)際形勢(shì)變化已實(shí)質(zhì)改變存儲(chǔ)器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示,由于買賣雙方急于完成交易、推動(dòng)生產(chǎn)出貨,以應(yīng)對(duì)未來(lái)市場(chǎng)不確定性,預(yù)期第二季存儲(chǔ)器市場(chǎng)的交易動(dòng)能將隨之增強(qiáng)。
2025年4月17日,中國(guó) —— 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出內(nèi)置xMemory的Stellar車規(guī)級(jí)微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲(chǔ)配置的存儲(chǔ)器,可徹底改變開(kāi)發(fā)軟件定義汽車 (SDV) 和升級(jí)電動(dòng)汽車平臺(tái)的艱難過(guò)程。
2025年3月27日,Semicon China 2025期間,全球領(lǐng)先的真空設(shè)備制造商愛(ài)發(fā)科集團(tuán)正式推出三款面向先進(jìn)半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備:?多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX?、?針對(duì)12英寸晶圓的?集群式先進(jìn)電子制造系統(tǒng)uGmni-300以及離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H?。此次發(fā)布的產(chǎn)品以“靈活高效、智能協(xié)同”為核心設(shè)計(jì)理念,覆蓋晶圓制造、化合物半導(dǎo)體及封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域,助力客戶實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與產(chǎn)能升級(jí)。
新加坡—2025年3月26日—Kulicke and Soffa Industries,股份有限公司(NASDAQ:KLIC)(“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”)宣布推出適用于大容量存儲(chǔ)器應(yīng)用的ATPremier MEM PLUS?。
March 18, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新AI Server供應(yīng)鏈調(diào)查,預(yù)期NVIDIA(英偉達(dá))將提早于2025年第二季推出GB300芯片,就整柜式Server系統(tǒng)來(lái)看,其計(jì)算性能、存儲(chǔ)器容量、網(wǎng)絡(luò)連接和電源管理等性能皆較GB200提升,因此,ODM需要更多時(shí)間進(jìn)行測(cè)試與執(zhí)行客戶驗(yàn)證。觀察供應(yīng)鏈近期動(dòng)態(tài),GB300相關(guān)供應(yīng)商將于今年第二季陸續(xù)規(guī)劃設(shè)計(jì)作業(yè),其中,預(yù)估GB300芯片及Compute Tray(運(yùn)算匣)等將于5月開(kāi)始生產(chǎn),ODM廠進(jìn)行初期ES(Engineering Sample)階段樣機(jī)設(shè)計(jì);預(yù)期第三季待機(jī)柜系統(tǒng)、電源規(guī)格設(shè)計(jì)、SOCAMM等陸續(xù)定案及量產(chǎn)后,GB300系統(tǒng)可望逐步擴(kuò)大出貨規(guī)模。
在數(shù)字化信息飛速增長(zhǎng)的時(shí)代,存儲(chǔ)器作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與讀取的關(guān)鍵載體,其性能與特性對(duì)各類電子設(shè)備及系統(tǒng)的運(yùn)行效率起著決定性作用。從廣泛應(yīng)用的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器,到嶄露頭角的新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),每一種都在存儲(chǔ)領(lǐng)域中占據(jù)著獨(dú)特的地位,展現(xiàn)出各異的特點(diǎn)。
在數(shù)字信號(hào)處理(DSP)領(lǐng)域,數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)的性能表現(xiàn)直接關(guān)系到各類應(yīng)用的效果。而片內(nèi)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的大小,是影響 DSP 效率的一個(gè)至關(guān)重要的因素。擁有較大片內(nèi) RAM 的 DSP 在數(shù)據(jù)處理能力、程序執(zhí)行速度以及系統(tǒng)整體性能等方面,都展現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢(shì),下面我們將深入探討其中的原因。
單片機(jī)是一種集成度很高的微型計(jì)算機(jī),其核心由微處理器、存儲(chǔ)器和輸入輸出接口組成。單片機(jī)的應(yīng)用領(lǐng)域廣。