存儲器
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存儲器帶寬瓶頸突破：HBM3與GDDR7的技術(shù)對比分析
在人工智能訓(xùn)練、實時圖形渲染與科學(xué)計算領(lǐng)域，存儲器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當(dāng)前顯存技術(shù)的兩大巔峰之作，分別通過三維堆疊與信號調(diào)制技術(shù)的突破，為不同應(yīng)用場景提供了差異化解決方案。本文從架構(gòu)設(shè)計、性能參數(shù)、應(yīng)用場景及生態(tài)布局四個維度，深度解析兩種技術(shù)的競爭格局與演進(jìn)方向。
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鐵電存儲器（FeFET）的物理機(jī)制，極化翻轉(zhuǎn)、非易失性邏輯的突破
傳統(tǒng)存儲器技術(shù)逼近物理極限，鐵電場效應(yīng)晶體管(FeFET)憑借其獨(dú)特的極化翻轉(zhuǎn)機(jī)制與非易失性邏輯特性，成為突破馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。FeFET通過將鐵電材料集成至晶體管柵極，實現(xiàn)了存儲與邏輯功能的深度融合，其物理機(jī)制涵蓋從原子級極化調(diào)控到器件級非易失性操作的完整鏈條。
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數(shù)據(jù)中心存儲器架構(gòu)：全閃存陣列與持久化內(nèi)存（PMEM）
數(shù)字化轉(zhuǎn)型與人工智能技術(shù)驅(qū)動，數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)磁盤陣列向全閃存與新型內(nèi)存技術(shù)的深度變革。全閃存陣列(AFA)憑借亞毫秒級延遲與高IOPS性能重塑存儲性能基準(zhǔn)，而持久化內(nèi)存(PMEM)則通過填補(bǔ)DRAM與SSD之間的性能鴻溝，重新定義了近內(nèi)存計算范式。這兩大技術(shù)的演進(jìn)路徑，不僅反映了存儲介質(zhì)的技術(shù)突破，更揭示了數(shù)據(jù)中心在容量、性能與成本平衡中的創(chuàng)新邏輯。
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存儲器糾錯碼（ECC）的硬件加速實現(xiàn)與可靠性提升
AI算力與數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，存儲器糾錯碼(ECC)技術(shù)已成為保障數(shù)據(jù)完整性的核心防線。從硬件加速架構(gòu)到算法優(yōu)化，ECC技術(shù)正通過多維度創(chuàng)新，將內(nèi)存錯誤率降低至每萬億小時1次以下，為關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)提供接近零故障的可靠性保障。
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存儲器供應(yīng)鏈安全，晶圓代工和封測的國產(chǎn)化替代路徑
存儲器供應(yīng)鏈安全已成為國家戰(zhàn)略的核心命題，從晶圓代工到封裝測試，中國存儲器產(chǎn)業(yè)正通過關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)突破與生態(tài)重構(gòu)，走出一條從“受制于人”到“自主可控”的替代之路。這條路徑不僅關(guān)乎產(chǎn)業(yè)安全，更承載著數(shù)字經(jīng)濟(jì)時代的技術(shù)主權(quán)。
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存儲器封裝技術(shù)，2.5D到3D異構(gòu)集成的散熱與信號完整性
AI算力需求爆炸式增長，存儲器封裝技術(shù)正經(jīng)歷從2.5D到3D異構(gòu)集成的范式變革。這種變革不僅重構(gòu)了芯片間的物理連接方式，更對散熱設(shè)計與信號完整性提出了全新挑戰(zhàn)。本文從封裝架構(gòu)演進(jìn)、散熱機(jī)制創(chuàng)新與信號完整性保障三個維度，解析新一代存儲器封裝技術(shù)的核心突破。
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存儲器安全技術(shù)，硬件加密與可信執(zhí)行環(huán)境（TEE）
數(shù)據(jù)成為核心生產(chǎn)要素的時代，存儲器安全技術(shù)已成為保障數(shù)字資產(chǎn)隱私與完整性的關(guān)鍵防線。從早期基于硬件的加密引擎到現(xiàn)代可信執(zhí)行環(huán)境(TEE)的生態(tài)構(gòu)建，存儲器安全技術(shù)經(jīng)歷了從單一防護(hù)到體系化協(xié)同的演進(jìn)。本文從硬件加密引擎、存儲器控制器安全增強(qiáng)、到TEE架構(gòu)設(shè)計三個維度，解析存儲器安全技術(shù)的核心突破與應(yīng)用場景。
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數(shù)字信號處理器的設(shè)計有哪些非常復(fù)雜過程
存儲器是一種用于存儲數(shù)據(jù)的集成電路。存儲器的架構(gòu)可以分為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)等類型。
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TrendForce集邦咨詢: 2024年全球前十大封測廠商營收合計415.6億美元，年增3%
May 13, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新半導(dǎo)體封測研究報告，2024年全球封測(OSAT)市場面臨技術(shù)升級和產(chǎn)業(yè)重組的雙重挑戰(zhàn)。從營收分析，日月光控股、Amkor(安靠)維持領(lǐng)先地位，值得關(guān)注的是，得益于政策支持和本地需求帶動，長電科技和天水華天等封測廠營收皆呈雙位數(shù)成長，對既有市場格局構(gòu)成了強(qiáng)大的挑戰(zhàn)。
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如何使用RPi Pico調(diào)試AMD FPGA AXI設(shè)計
像任何行業(yè)幫助開發(fā)可編程邏輯應(yīng)用程序一樣，我們使用標(biāo)準(zhǔn)接口來實現(xiàn)重用和簡化設(shè)計。在FPGA開發(fā)中最流行的接口是Arm可擴(kuò)展接口(AXI)，它為開發(fā)人員提供了一個完整的高性能，如果需要的話，還可以緩存相干存儲器映射總線。
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嵌入式系統(tǒng)開發(fā)流程是怎樣的？開發(fā)應(yīng)避免易失存儲器分配
在這篇文章中，小編將對嵌入式系統(tǒng)的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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物聯(lián)網(wǎng)ram繼承PSRAM的積極特性
PSRAM，作為一種融合了動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)高密度特性與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)易用性的存儲技術(shù)，其重要性不言而喻。從結(jié)構(gòu)上看，PSRAM 內(nèi)部主要由 DRAM 存儲單元負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲，SRAM 接口電路將 DRAM 的操作轉(zhuǎn)換為外部系統(tǒng)可識別的 SRAM 操作模式，刷新控制電路則自動執(zhí)行 DRAM 的刷新操作以確保數(shù)據(jù)完整性。這種獨(dú)特的架構(gòu)設(shè)計賦予了 PSRAM 一系列出色的技術(shù)特點。
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TrendForce集邦咨詢: 國際形勢變化帶動拉貨潮，預(yù)估2Q25存儲器合約價漲幅將擴(kuò)大
April 17, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，近期國際形勢變化已實質(zhì)改變存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買賣雙方急于完成交易、推動生產(chǎn)出貨，以應(yīng)對未來市場不確定性，預(yù)期第二季存儲器市場的交易動能將隨之增強(qiáng)。
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意法半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的、帶有可改變存儲配置存儲器的車規(guī)微控制器解決方案，確保滿足下一代汽車的未來需求
2025年4月17日，中國 —— 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出內(nèi)置xMemory的Stellar車規(guī)級微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲配置的存儲器，可徹底改變開發(fā)軟件定義汽車 (SDV) 和升級電動汽車平臺的艱難過程。
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愛發(fā)科發(fā)布多款半導(dǎo)體制造利器，引領(lǐng)先進(jìn)制程技術(shù)革新
2025年3月27日，Semicon China 2025期間，全球領(lǐng)先的真空設(shè)備制造商愛發(fā)科集團(tuán)正式推出三款面向先進(jìn)半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備：?多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX?、?針對12英寸晶圓的?集群式先進(jìn)電子制造系統(tǒng)uGmni-300以及離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H?。此次發(fā)布的產(chǎn)品以“靈活高效、智能協(xié)同”為核心設(shè)計理念，覆蓋晶圓制造、化合物半導(dǎo)體及封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域，助力客戶實現(xiàn)技術(shù)突破與產(chǎn)能升級。
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Kulicke & Soffa 推出全新垂直線焊解決方案，市場領(lǐng)先地位繼續(xù)擴(kuò)大 ATPremier MEM PLUS?進(jìn)一步提高存儲器封裝密度
新加坡—2025年3月26日—Kulicke and Soffa Industries，股份有限公司(NASDAQ:KLIC)(“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”)宣布推出適用于大容量存儲器應(yīng)用的ATPremier MEM PLUS?。
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TrendForce集邦咨詢: 英偉達(dá)GB300芯片多項設(shè)計規(guī)格將全面提升，預(yù)估3Q25后整柜系統(tǒng)將逐步擴(kuò)大出貨規(guī)模
March 18, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新AI Server供應(yīng)鏈調(diào)查，預(yù)期NVIDIA(英偉達(dá))將提早于2025年第二季推出GB300芯片，就整柜式Server系統(tǒng)來看，其計算性能、存儲器容量、網(wǎng)絡(luò)連接和電源管理等性能皆較GB200提升，因此，ODM需要更多時間進(jìn)行測試與執(zhí)行客戶驗證。觀察供應(yīng)鏈近期動態(tài)，GB300相關(guān)供應(yīng)商將于今年第二季陸續(xù)規(guī)劃設(shè)計作業(yè)，其中，預(yù)估GB300芯片及Compute Tray(運(yùn)算匣)等將于5月開始生產(chǎn)，ODM廠進(jìn)行初期ES(Engineering Sample)階段樣機(jī)設(shè)計;預(yù)期第三季待機(jī)柜系統(tǒng)、電源規(guī)格設(shè)計、SOCAMM等陸續(xù)定案及量產(chǎn)后，GB300系統(tǒng)可望逐步擴(kuò)大出貨規(guī)模。
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當(dāng)前存儲器和新興非易失性存儲器技術(shù)的特點
在數(shù)字化信息飛速增長的時代，存儲器作為數(shù)據(jù)存儲與讀取的關(guān)鍵載體，其性能與特性對各類電子設(shè)備及系統(tǒng)的運(yùn)行效率起著決定性作用。從廣泛應(yīng)用的傳統(tǒng)存儲器，到嶄露頭角的新興非易失性存儲器技術(shù)，每一種都在存儲領(lǐng)域中占據(jù)著獨(dú)特的地位，展現(xiàn)出各異的特點。
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為什么片內(nèi) RAM 大的 DSP 效率高
在數(shù)字信號處理(DSP)領(lǐng)域，數(shù)字信號處理器(DSP)的性能表現(xiàn)直接關(guān)系到各類應(yīng)用的效果。而片內(nèi)隨機(jī)存取存儲器(RAM)的大小，是影響 DSP 效率的一個至關(guān)重要的因素。擁有較大片內(nèi) RAM 的 DSP 在數(shù)據(jù)處理能力、程序執(zhí)行速度以及系統(tǒng)整體性能等方面，都展現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢，下面我們將深入探討其中的原因。
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單片機(jī)的應(yīng)用及其重要性分析
單片機(jī)是一種集成度很高的微型計算機(jī)，其核心由微處理器、存儲器和輸入輸出接口組成。單片機(jī)的應(yīng)用領(lǐng)域廣。
