手機(jī)語(yǔ)音識(shí)別應(yīng)用中DSP的選擇策略

隨著DSP技術(shù)的進(jìn)步，計(jì)算能力更強(qiáng)、功耗更低和體積更小的DSP已經(jīng)出現(xiàn)，使3G手機(jī)上植入更精確更復(fù)雜的自動(dòng)語(yǔ)音識(shí)別(ASR)功能成為可能。目前，基本ASR應(yīng)用可以分成三大類(lèi)：1. 語(yǔ)音-文本轉(zhuǎn)換(語(yǔ)音輸入)；2. 講者識(shí)別；3. 語(yǔ)音命令控制(語(yǔ)音控制)。 這三類(lèi)功能包含了3G所需的眾多ASR性能。語(yǔ)音-文本轉(zhuǎn)換的典型實(shí)例是語(yǔ)音撥號(hào)和電子郵件聽(tīng)寫(xiě)。講者識(shí)別功能可以通過(guò)語(yǔ)音識(shí)別安全地讀出存儲(chǔ)器中的個(gè)人數(shù)據(jù)，從而滿足信用卡定購(gòu)和銀行服務(wù)等保密性高的應(yīng)用需要。語(yǔ)音命令控制功能包括連接語(yǔ)音擴(kuò)展標(biāo)記語(yǔ)言(VXML)網(wǎng)站內(nèi)容的語(yǔ)音接口，它支持財(cái)經(jīng)服務(wù)與目錄助理等業(yè)務(wù)。目前VXML被用于規(guī)范網(wǎng)站內(nèi)容的語(yǔ)音標(biāo)簽。

手機(jī)語(yǔ)音識(shí)別應(yīng)用中DSP的選擇策略

隨著DSP技術(shù)的進(jìn)步，計(jì)算能力更強(qiáng)、功耗更低和體積更小的DSP已經(jīng)出現(xiàn)，使3G手機(jī)上植入更精確更復(fù)雜的自動(dòng)語(yǔ)音識(shí)別(ASR)功能成為可能。目前，基本ASR應(yīng)用可以分成三大類(lèi)：1. 語(yǔ)音-文本轉(zhuǎn)換(語(yǔ)音輸入)；2. 講者識(shí)別；3. 語(yǔ)音命令控制(語(yǔ)音控制)。 這三類(lèi)功能包含了3G所需的眾多ASR性能。語(yǔ)音-文本轉(zhuǎn)換的典型實(shí)例是語(yǔ)音撥號(hào)和電子郵件聽(tīng)寫(xiě)。講者識(shí)別功能可以通過(guò)語(yǔ)音識(shí)別安全地讀出存儲(chǔ)器中的個(gè)人數(shù)據(jù)，從而滿足信用卡定購(gòu)和銀行服務(wù)等保密性高的應(yīng)用需要。語(yǔ)音命令控制功能包括連接語(yǔ)音擴(kuò)展標(biāo)記語(yǔ)言

新型納機(jī)電開(kāi)關(guān)存儲(chǔ)器問(wèn)世，將與晶體管開(kāi)關(guān)硅存儲(chǔ)器相抗衡

新形勢(shì)下的世界半導(dǎo)體業(yè)及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的前景(下)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移 全世界大概有600個(gè)IC芯片制造廠，具體分布如下：中國(guó)有40多個(gè)，美國(guó)158個(gè)，歐洲89個(gè)，日本最多，有182個(gè)。日本半導(dǎo)體業(yè)還是很扎實(shí)，盡管表面上看似困難重重，幾次機(jī)構(gòu)重組，感覺(jué)總是找不到正確

上海威爾泰選擇Ramtron串行F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16

非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布，中國(guó)壓力變送器與電磁流量計(jì)供應(yīng)商上海威爾泰工業(yè)自動(dòng)化股份有限公司已將Ramtron的FM25L16 16千位(Kb)

嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的存儲(chǔ)碎片收集策略

隨著嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)對(duì)象處理量的急劇增加，對(duì)存儲(chǔ)碎片收集的實(shí)時(shí)性能的要求也顯得日益突出，本文介紹的真正高效、實(shí)時(shí)、確定性的兩種存儲(chǔ)碎片收集技術(shù)將對(duì)(中國(guó))工程師提供策略上的指導(dǎo)。

單芯片的一致多處理(圖)

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半導(dǎo)體項(xiàng)目的高風(fēng)險(xiǎn)剖析

IBM與Spansion及Matheson簽署合作協(xié)議

IBM公司分別與Spansion公司及日本Taiyo Nippon Sanso公司的子公司Matheson Tri-Gas簽署了合作協(xié)議。 IBM和Matheson (Basking Ridge, N.J.)簽署了一項(xiàng)為期四年的協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)32nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新型制造材料及工

使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。