存儲器的兼容性設(shè)計

介紹了借助存儲器芯片引腳之間的相似性和采用跳線方式實現(xiàn)存儲器系統(tǒng)兼容性的設(shè)計方法。

存儲器市場的大變數(shù) 閃存時代是否來臨？

基于CPLD的容錯存儲器的設(shè)計實現(xiàn)

ST 推出2-Kbit存儲芯片

存儲卡中國標準將出臺 有望不再交高額專利費

在信產(chǎn)部牽頭的“移動存儲器標準工作組”(以下簡稱標準工作組)成立兩年后，中國自己的存儲卡標準近期將有望出臺。昨天，記者從標準工作組組長單位普天集團了解到，由普天牽頭的中國存儲卡標準項目有望在近期出臺正式

存儲卡中國標準將出臺 有望不再交高額專利費

Credence將暫停存儲器測試研發(fā)

據(jù)Semiconductor Reporter網(wǎng)站報道，測試設(shè)備供應(yīng)商Credence Systems Corp.近期宣布其第二季度的銷售有所增長；但同時宣布由于市場需求的停滯，該公司將暫停下一代存儲器測試設(shè)備的研發(fā)。Credence第二季度凈銷售達到

延長EEPROM使用壽命的方法

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read一Only Memory)即電子擦除式只讀存儲器，它是一種非揮發(fā)性存儲器，與擦除式只讀存儲器(EPROM)類似，電源消失后，儲存的數(shù)據(jù)依然存在，要消除儲存在其中的內(nèi)容，不是用紫外線照射方式，而是以電子信號直接消除即可。

ST集成以太網(wǎng)控制器、大容量存儲器和ARM9E核心

世界第一個基于ARM9的內(nèi)置閃存的通用微控制器催生新一代聯(lián)網(wǎng)嵌入式應(yīng)用 意法半導(dǎo)體率先在通用閃存微控制器系列產(chǎn)品內(nèi)集成以太網(wǎng)接口、ARM9E處理器核心和大容量嵌入式SRAM和閃存。新的STR910F系列為基于ARM的閃存微控

日半導(dǎo)體業(yè)設(shè)備投資創(chuàng)紀錄 達10140億日元

《日本經(jīng)濟新聞》日前匯總的數(shù)據(jù)顯示，２００６財務(wù)年度日本半導(dǎo)體行業(yè)的計劃設(shè)備投資總額將超過１萬億日元，達到１０１４０億日元，創(chuàng)歷史最高紀錄。 由于世界范圍內(nèi)的數(shù)碼家電銷售旺盛，數(shù)碼家電所需的存儲器、互

英國半數(shù)企業(yè)面臨閃存盤數(shù)據(jù)泄密危險

由英國政府有關(guān)部門資助的一項調(diào)查顯示，超過一半的英國企業(yè)尚未采取足夠的安全措施，以保證手機和閃存盤中的數(shù)據(jù)安全。 據(jù)英國廣播公司4月27日報道，對于英國企業(yè)的信息安全來說，智能手機、iPod(美國蘋果公司的一種

調(diào)查稱英半數(shù)企業(yè)面閃存盤數(shù)據(jù)泄密危險

由英國政府有關(guān)部門資助的一項調(diào)查顯示，超過一半的英國企業(yè)尚未采取足夠的安全措施，以保證手機和閃存盤中的數(shù)據(jù)安全。 據(jù)英國廣播公司4月27日報道，對于英國企業(yè)的信息安全來說，智能手機、iPod(美國蘋果