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NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高，采購(gòu)意愿薄弱，因此11月上旬合約價(jià)較
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適合RFID與NFC用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP
Synopsys全新超低功耗非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP在將功耗降低90%的同時(shí)面積縮小一半，DesignWare多次可編程N(yùn)VM IP降低了無(wú)線和RFID / NFC標(biāo)簽應(yīng)用的系統(tǒng)成本亮點(diǎn)：• Synopsys
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意法半導(dǎo)體和Memoir Systems整合突破性的存儲(chǔ)器技術(shù)和半導(dǎo)體制造技術(shù)
這一整合讓嵌入式存儲(chǔ)器速度更快、散熱更低、設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單中國(guó)，2013年11月20日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronic
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“云存儲(chǔ)”理念深度剖析
全球數(shù)據(jù)量的猛增使得存儲(chǔ)日益成為一個(gè)更獨(dú)立的專業(yè)問(wèn)題，越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始將存儲(chǔ)作為單獨(dú)的項(xiàng)目進(jìn)行管理。同時(shí)，持續(xù)增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)壓力帶動(dòng)著整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的快速發(fā)展。
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LSI閃存加速卡提高虛擬桌面密度和性能
LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布，其正與VMware進(jìn)行密切合作，為部署VMware Horizon View™帶來(lái)了突破性的虛擬桌面密度。與VMware Horizon View的協(xié)作測(cè)試采用了單一的
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Vista 的存儲(chǔ)技術(shù)揭密-VSS
VSS (Volume Shadow copy Service, 卷映射拷貝服務(wù))，最初是在Windows Server 2003 SP1中引入的存儲(chǔ)技術(shù)。它通過(guò)在卷管理模塊上加入快照功能，在此基礎(chǔ)上就可以創(chuàng)建基于時(shí)
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提高存儲(chǔ)器子系統(tǒng)效率的三種方法
行業(yè)專家認(rèn)為，對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
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專家觀點(diǎn)：對(duì)USB安全性的質(zhì)疑毫無(wú)根據(jù)
最近SRLabs的兩位研究人員 Karsten Nohl 和 Jakob Lell 所發(fā)布的研究報(bào)告受到了許多媒體的關(guān)注。這份研究報(bào)告試圖證明 USB 裝置如何成為惡意軟體進(jìn)入電腦和可攜式電子平臺(tái)
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武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可
武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開(kāi)了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專家評(píng)審會(huì)，業(yè)內(nèi)專家對(duì)該項(xiàng)目的技術(shù)先進(jìn)性
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賽普拉斯的異步SRAM產(chǎn)品系列又添新丁
具有片上錯(cuò)誤校正代碼的低功耗MoBL器件橫空出世。與沒(méi)有ECC功能的SRAM相比，16 Mb SRAM的數(shù)據(jù)可靠性提高了幾千倍，同時(shí)可延長(zhǎng)手持式設(shè)備的電池工作時(shí)間。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
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美光M600 SSD全面提升便攜式計(jì)算體驗(yàn)
美光科技有限公司(納斯達(dá)克股票代碼：MU)今日宣布推出下一代客戶端級(jí)固態(tài)硬盤M600 SATA SSD。該產(chǎn)品采用美光尖端的NAND閃存技術(shù)，滿足了當(dāng)代移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用的存儲(chǔ)需求，包括
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SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)
南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等三大事業(yè)群分開(kāi)各自營(yíng)運(yùn)，事業(yè)群自行加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，而SK海力士將把事業(yè)重心放
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第二季全球DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)9% 韓商稱霸
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示， 2014年第二季全球 DRAM 產(chǎn)值達(dá)108億美元，較上季成長(zhǎng)9%。由于產(chǎn)品比重調(diào)配得宜，三大DRAM廠獲利能
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三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成
全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè)，NA
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旺宏與Spansion的全球?qū)＠V訟與爭(zhēng)議已達(dá)成和解
全球非揮發(fā)性閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏電子(TSE: 2337) 與Spansion公司 (NYSE：CODE) 近日宣布，雙方就全球的專利訴訟及爭(zhēng)議已達(dá)成和解，包括美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(US International
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閃迪宣布支持全閃存VMware Virtual SAN 6架構(gòu)
閃迪第二代Lightning SAS SSD和CloudSpeed SATA SSD的初步性能測(cè)試結(jié)果顯示，新架構(gòu)每分鐘可執(zhí)行兩百萬(wàn)次交換(TPM)全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司(納斯達(dá)克股票
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中國(guó)成為富士通FRAM最大市場(chǎng)，電表工控汽車等領(lǐng)域全面開(kāi)花
近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達(dá)到出色市場(chǎng)量產(chǎn)業(yè)績(jī)的只有FRAM。那么現(xiàn)如今FRAM在中國(guó)的應(yīng)用進(jìn)展如何?在哪些更多的應(yīng)用
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三星與SK海力士達(dá)成專利協(xié)議 提升移動(dòng)芯片供貨
液晶顯示器件有這些無(wú)可比擬的優(yōu)點(diǎn)，并且近兒年來(lái)液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展和產(chǎn)品價(jià)格的不斷降低，液晶顯示器件正在得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。而其應(yīng)用領(lǐng)域也正向由過(guò)去小艦?zāi)！?/p>
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8月NAND合約價(jià) 較上月跌近2成
根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash合約價(jià)在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬續(xù)跌5~10%，亦即8月合約價(jià)較7月重跌11~18%。集邦科技表示
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HOLTEK推出HT24LC128新款大容量串行式EEPROM
HOLTEK推出新款串行式EEPROM產(chǎn)品 -- HT24LC128，使用兩線式串行接口，總共有128K位內(nèi)存容量，內(nèi)存架構(gòu)為16384 x 8位。HT24LC128的最快工作頻率為400kHz，工作電壓為2.2V至
