具有片上錯誤校正代碼的低功耗MoBL器件橫空出世。

與沒有ECC功能的SRAM相比，16 Mb SRAM的數(shù)據(jù)可靠性提高了幾千倍，同時可延長手持式設備的電池工作時間。

靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb低功耗異步SRAM 已開始出樣。全新MoBL® (More Battery Life™，更久電池續(xù)航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水準的數(shù)據(jù)可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設計并節(jié)省電路板空間。該MoBL器件可延長工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療和消費電子等應用領域里手持設備的電池續(xù)航時間。

背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內容，丟失重要數(shù)據(jù)。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有錯誤校正動作，無需用戶干預，因而具有業(yè)界最佳的軟錯誤率(SER)性能，錯誤率僅有0.1 FIT/Mb(1個FIT相當于器件每工作十億小時發(fā)生一個錯誤)。 這些新器件與現(xiàn)有的異步低功耗SRAM管腳兼容，客戶不必更改電路板設計即可提高系統(tǒng)可靠性。16Mb MoBL 異步SRAM還具有可選的錯誤指示信號，可指示單位(Single-Bit)錯誤的發(fā)生和校正。

賽普拉斯異步SRAM事業(yè)部高級總監(jiān)Sunil Thamaran說：“自從我們去年推出帶ECC的快速SRAM以來，客戶反響非常強烈。在這一系列中增加MoBL器件，可使更多的應用受益于我們的片上 ECC技術。賽普拉斯致力于不斷開發(fā)SRAM新技術，更好地為客戶服務，鞏固我們毫無爭議的市場領導地位。”

賽普拉斯的16Mb MoBL異步SRAM具有業(yè)界標準的x8, x16 和 x32配置。器件具有多種工作電壓(1.8V， 3V和5V)，工作溫度范圍為-40◦C 至 +85◦C(工業(yè)級)和-40◦C 至 +125◦C(汽車級)。