日本大地震雖已過去兩個(gè)多月,但福島核電站還在發(fā)射放射性物質(zhì)。這讓日本民眾對核輻射十分擔(dān)憂,各種監(jiān)測輻射的檢測儀受到熱捧。在首都東京的很多電器行,檢測儀熱賣到脫銷。據(jù)日本AKIBAOO商店銷售經(jīng)理 MAKOTO OGASA
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
富士電機(jī)于2011年會計(jì)年度(2010年4月~2011年3月)對功率半導(dǎo)體的投資額高達(dá)185億日圓(約2.4億美元),約占該公司總投資額的一半。士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。 富
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
因接獲來自中國大陸廠商的大單,故日本綜合性電機(jī)產(chǎn)品大廠富士電機(jī)(FujiElectric)計(jì)劃藉由提高旗下熊本工廠產(chǎn)能利用率將薄膜型太陽能電池產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的10倍。據(jù)報(bào)導(dǎo),富士電機(jī)的薄膜型太陽能電池以樹脂薄膜作為基
富士電機(jī)日前決定建設(shè)用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)建設(shè)該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工廠的
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工廠的
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。 發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用
2010年由于歐洲國家對光伏產(chǎn)業(yè)的補(bǔ)貼并未出現(xiàn)預(yù)期中的大幅縮減,該行業(yè)意外迎來了一個(gè)爆發(fā)式增長的時(shí)期。不少國內(nèi)光伏面板廠商透露,今年上半年對歐洲出貨量明顯增加,尤其是德國、意大利的訂單占據(jù)了相當(dāng)部分比例,
富士電機(jī)開發(fā)完成了用于SiC功率半導(dǎo)體元件(以下:功率元件)的新封裝。據(jù)富士電機(jī)介紹,體積約為原來Si功率元件封裝的1/4。另外,通過采用無需引線鍵合的布線技術(shù)、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹脂等,實(shí)