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Spansion改弦更張 發(fā)力嵌入式存儲(chǔ)器
NORFlash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護(hù)后，積極進(jìn)行大反撲，除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外，在產(chǎn)品在線也做大幅度的調(diào)整，除鞏固車用NORFlash產(chǎn)品線之外，也投入相當(dāng)大資源在內(nèi)嵌式NORF
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飛索轉(zhuǎn)型求生存鎖定嵌入式存儲(chǔ)器
NORFlash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護(hù)后，積極進(jìn)行大反撲，除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外，在產(chǎn)品在線也做大幅度的調(diào)整，除鞏固車用NORFlash產(chǎn)品線之外，也投入相當(dāng)大資源在內(nèi)嵌式NORFlas
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飛索轉(zhuǎn)型求生存 鎖定嵌入式存儲(chǔ)器
NOR Flash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護(hù)后，積極進(jìn)行大反撲，除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外，在產(chǎn)品在線也做大幅度的調(diào)整，除鞏固車用NOR Flash產(chǎn)品線之外，也投入相當(dāng)大資源在內(nèi)嵌式NOR F
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滿足StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器要求的LDO應(yīng)用電路
德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
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滿足StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器要求的LDO應(yīng)用電路
滿足StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器要求的LDO應(yīng)用電路
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一種靈活的包含嵌入式存儲(chǔ)器的FPGA結(jié)構(gòu)
1.引言 傳統(tǒng)上 FPGA只能實(shí)現(xiàn)相對(duì)較小的邏輯電路，隨著工藝技術(shù)的提高， FPGA的容量和性能也不斷提高，如今 FPGA已經(jīng)被用于實(shí)現(xiàn)大的邏輯電路甚至整個(gè)系統(tǒng)。這些大的系統(tǒng)相對(duì)于傳統(tǒng)上一直作為 FPGA市場(chǎng)目標(biāo)的小邏輯分
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一種靈活的包含嵌入式存儲(chǔ)器的FPGA結(jié)構(gòu)
一種靈活的包含嵌入式存儲(chǔ)器的FPGA結(jié)構(gòu)
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一種改進(jìn)的嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試算法
基于一種適合于測(cè)試靜態(tài)簡(jiǎn)化故障的March SS算法，提出了一種改進(jìn)的嵌入式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器測(cè)試算法－March SSE算法。
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嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)方法和策略
本文介紹的設(shè)計(jì)方法包括設(shè)計(jì)概念、網(wǎng)表的建立、設(shè)計(jì)、布線以及存儲(chǔ)器模塊的驗(yàn)證，該方法可確保存儲(chǔ)器模塊在嵌入SoC時(shí)能有效地工作。
