NORFlash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護后,積極進行大反撲,除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外,在產(chǎn)品在線也做大幅度的調整,除鞏固車用NORFlash產(chǎn)品線之外,也投入相當大資源在內嵌式NORF
NORFlash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護后,積極進行大反撲,除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外,在產(chǎn)品在線也做大幅度的調整,除鞏固車用NORFlash產(chǎn)品線之外,也投入相當大資源在內嵌式NORFlas
NOR Flash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護后,積極進行大反撲,除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外,在產(chǎn)品在線也做大幅度的調整,除鞏固車用NOR Flash產(chǎn)品線之外,也投入相當大資源在內嵌式NOR F
德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路
1.引言 傳統(tǒng)上 FPGA只能實現(xiàn)相對較小的邏輯電路,隨著工藝技術的提高, FPGA的容量和性能也不斷提高,如今 FPGA已經(jīng)被用于實現(xiàn)大的邏輯電路甚至整個系統(tǒng)。這些大的系統(tǒng)相對于傳統(tǒng)上一直作為 FPGA市場目標的小邏輯分
一種靈活的包含嵌入式存儲器的FPGA結構
基于一種適合于測試靜態(tài)簡化故障的March SS算法,提出了一種改進的嵌入式隨機存取存儲器測試算法-March SSE算法。
本文介紹的設計方法包括設計概念、網(wǎng)表的建立、設計、布線以及存儲器模塊的驗證,該方法可確保存儲器模塊在嵌入SoC時能有效地工作。