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新思科技面向臺積公司N5A工藝技術(shù)推出業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的廣泛車規(guī)級IP組合
新思科技接口和基礎(chǔ) IP 組合已獲多家全球領(lǐng)先企業(yè)采用，可為 ADAS 系統(tǒng)級芯片提供高可靠性保障
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重磅新品發(fā)力高端工業(yè)市場，兆易創(chuàng)新布局綠色能源“芯”應(yīng)用
進入2023年，工業(yè)4.0背景下工業(yè)控制市場的產(chǎn)業(yè)鏈各級廠商全面發(fā)力，不斷加速工業(yè)制造在數(shù)字化、智能化、綠色化等發(fā)展方向上的推陳出新。據(jù)Prismark統(tǒng)計，2019-2023年全球工業(yè)控制市場規(guī)模年均復(fù)合增長率為3%，預(yù)計2023年全球工業(yè)控制的市場規(guī)模將達到2600億美元。此外，據(jù)Yole Development統(tǒng)計，存儲器細(xì)分領(lǐng)域NOR Flash在2021年的市場規(guī)模為35億美元，預(yù)計2027年增長至49億美元，年均復(fù)合增長率約為6%。可以預(yù)見，MCU芯片、嵌入式存儲器等作為工業(yè)控制領(lǐng)域的核心部件，市場需求量持續(xù)攀升，眾多上游原廠也在爭先發(fā)力，各自推出更高性能、更高可靠性的產(chǎn)品以搶占市場先機。
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格芯聲明：出售新加坡Fab 7廠純屬謠言
近期關(guān)于格芯(GLOBALFOUNDRIES)將出售新加坡Fab 7廠的消息和猜測純屬謠言。任何關(guān)于出售Fab 7廠和出售格芯的傳聞均為無稽之談。
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ASIC和SoC設(shè)計中嵌入式存儲器的優(yōu)化
為新的ASIC/SOC選擇最優(yōu)嵌入式存儲器IP是設(shè)計決策的關(guān)鍵。設(shè)計師應(yīng)了解適用于其特定應(yīng)用程序的最佳存儲器特性的所有關(guān)鍵參數(shù)，其尋求的存儲器IP應(yīng)具有足夠的適應(yīng)性，可滿足目標(biāo)SoC的各種需求。盡管有現(xiàn)成的免費存儲器IP可供使用，但與可為特定應(yīng)用程序提供更好特性的收費IP相比，它并不能總是提供最佳解決方案。
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電子工程師們知道嵌入式存儲器的前世今生嗎？
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
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嵌入式存儲器的過去與現(xiàn)在
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
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嵌入式存儲器的過去與現(xiàn)在
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
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嵌入式存儲器的過去與現(xiàn)在
近期臺積電技術(shù)長孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進行風(fēng)險性試產(chǎn)。預(yù)計試產(chǎn)主要采用22nm工藝。這種次世代存儲將能夠為物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置、高速運算電腦和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快和耗電更低的存儲效能。臺積電此舉讓嵌入式存儲器再度回到人們的視線中。本文將為你闡述嵌入式存儲器的前世今生。
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嵌入式存儲器的設(shè)計方法和策略
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯
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IoT商機滾滾 嵌入式存儲器需求暢旺
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)發(fā)展熱潮將推升嵌入式記憶體需求。行動裝置、汽車、工業(yè)等機器對機器(M2M)裝置對固態(tài)硬碟需求持續(xù)攀升，加上嵌入式系統(tǒng)因應(yīng)巨量資料(Big Data)來臨，對記憶體容
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基于SystemC的通用嵌入式存儲器模型設(shè)計
1 引言 建立芯片模型是在早期進行芯片架構(gòu)決策的有效方法，通過建模不僅可以對芯片的性能做出分析，還可以在硬件沒有完成之前開發(fā)軟件，不僅提高了產(chǎn)品成功率，而且
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為ASIC和SoC選擇最優(yōu)嵌入式存儲器IP
在傳統(tǒng)的大規(guī)模ASIC和SoC設(shè)計中，芯片的物理空間大致可分為以下三部分：1.用于新的定制邏輯2.用于可復(fù)用邏輯(第三方IP或傳統(tǒng)的內(nèi)部IP)3.用于嵌入式存儲如圖1所示，當(dāng)各廠商
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意法半導(dǎo)體FD-SOI技術(shù)配備Memoir嵌入式存儲器
比較：體校晶體管和FD-SOI晶體管元器件交易網(wǎng)訊 11月7日消息，據(jù)外媒 Electronicsweekly報道，Memoir Systems宣布已采用其算法內(nèi)存技術(shù)為意法半導(dǎo)體獨有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣
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Mentor在Kronos單元特征化與分析平臺中添加嵌入式存儲器
Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT）今天宣布其已通過添加嵌入式存儲器成功拓展了Kronos™單元特征化與分析平臺。Kronos平臺可在高級集成環(huán)境中為標(biāo)準(zhǔn)單元、I/O、復(fù)雜單元和嵌入式存儲器高效制作精確的性
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嵌入式存儲器的測試及可測性設(shè)計研究
引言 近年來，消費者對電子產(chǎn)品的更高性能和更小尺寸的要求持續(xù)推動著SoC（系統(tǒng)級芯片）產(chǎn)品集成水平的提高，并促使其具有更多的功能和更好的性能。要繼續(xù)推動這種無止境的需求以及繼續(xù)解決器件集成領(lǐng)域的挑戰(zhàn)，最
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測試嵌入式存儲器的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)
隨著SoC設(shè)計向存儲器比例大于邏輯部分比例的方向發(fā)展，高質(zhì)量的存儲器測試策略顯得尤為重要。存儲器內(nèi)置自測試(BIST)技術(shù)以合理的面積開銷來對單個嵌入式存儲器進行徹底的測試，可提高DPM、產(chǎn)品質(zhì)量及良品率，因而正
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Synopsys推出DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫
Synopsys推出DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫
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通過嵌入式存儲器測試和修復(fù)解決良品率問題
關(guān)鍵字：存儲器測試系統(tǒng)級芯片(SoC)中存儲器容量的增加以及嵌入式存儲器支配整個裸片良品率的事實，使良品率設(shè)計(DFY)面臨日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，特別是在新興的90nm和65nm半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。由于嵌入式存儲器容易產(chǎn)生較高的
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新型的嵌入式存儲器測試算法
新型的嵌入式存儲器測試算法
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測試小型存儲器陣列的新方法
在實際測試中總是得面臨測試工具的成本，測試開發(fā)時間，測試機臺的時間，測試向量的調(diào)試時間，以及測試覆蓋率之間的考量與抉擇。宏測試是可以有效地對那些與日俱增的小型嵌入式模塊進行靜態(tài)與實速故障測試的工具。它甚至可以應(yīng)用到較大的存儲器，透過芯片的功能邏輯，自動執(zhí)行全速測試。
