改革開放30年來,電子信息產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)的發(fā)展為集成電路產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)帶來了盎然生機(jī),而集成電路的不斷躍升也給電子信息制造業(yè)的升級(jí)換代奠定了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。沒有集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,沒有規(guī)?;笊a(chǎn)的建
看準(zhǔn)行動(dòng)電視高分辨率小尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng),晶圓代工龍頭臺(tái)積電5日宣布推出新的0.13微米高壓制程,分別是1.5/6/32伏特高電壓制程。臺(tái)積電不僅積極布局40/45納米以下先進(jìn)制程技術(shù),對(duì)于已相對(duì)成熟的0.13微米制程技
純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)日前宣布,與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計(jì)公司的合作順利進(jìn)行。基于華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝(“EF130”)生產(chǎn)的SIM卡產(chǎn)品完成產(chǎn)品的可靠性測(cè)試
SEMI將于11月10-13日召開會(huì)議,聯(lián)合業(yè)界廠商確定下一代450mm硅晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。 在經(jīng)過幾輪爭(zhēng)議之后,芯片制造協(xié)會(huì)Sematech和集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本確定了所謂的“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”,將450mm硅晶圓的厚度設(shè)定在925±25微米,也就
國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料協(xié)會(huì)(SEMI)將于11月10-13日召開會(huì)議,聯(lián)合業(yè)界廠商確定下一代450mm硅晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。 在經(jīng)過幾輪爭(zhēng)議之后,芯片制造協(xié)會(huì)Sematech和集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本確定了所謂的“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”
SEMI將于11月10-13日召開會(huì)議,聯(lián)合業(yè)界廠商確定下一代450mm硅晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。 在經(jīng)過幾輪爭(zhēng)議之后,芯片制造協(xié)會(huì)Sematech和集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本確定了所謂的“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”,將450mm硅晶圓的厚度設(shè)定在925±25微米,也
雖然全球宏觀經(jīng)濟(jì)不景氣,中芯國(guó)際正借開發(fā)新技術(shù)芯片彌補(bǔ)損失,以期實(shí)現(xiàn)第3季度營(yíng)收增長(zhǎng)5-8%。 中芯國(guó)際日前宣布,已成功開發(fā)0.11微米CMOS圖像感測(cè)器(CIS)工藝技術(shù),并已經(jīng)開始進(jìn)入試生產(chǎn)階段,未來幾個(gè)月后也將
北京時(shí)間10月23日消息,中芯國(guó)際(NYSE: SMI)今日宣布成功開發(fā)0.11微米CMOS 圖像傳感器(CIS)工藝技術(shù),在此工藝下生產(chǎn)的 CIS 器件,其分辨率、暗光噪聲和相對(duì)照度都將得到增強(qiáng)。中芯國(guó)際在中國(guó)提供完整的 CIS 代工服務(wù)
純晶圓代工廠上海華虹NEC電子有限公司近日宣布,公司推出了0.5微米CA500C模擬工藝平臺(tái)。 在確立了以模擬電路為核心業(yè)務(wù)之一的戰(zhàn)略發(fā)展方向后,華虹NEC持續(xù)加強(qiáng)該業(yè)務(wù)領(lǐng)域的核心技術(shù)能力,以提供更全面、更可靠的工藝