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半導(dǎo)體工業(yè)或進(jìn)入碳時(shí)代
《中國(guó)科學(xué)報(bào)》24日?qǐng)?bào)道，國(guó)防科技大學(xué)教授徐暉表示，憶阻器帶來的變革，將在世界電子科技領(lǐng)域引發(fā)一場(chǎng)基礎(chǔ)性的影響重大的競(jìng)賽。憶阻器是一種能夠模仿神經(jīng)功能的微電子元件，由極薄的納米薄膜(二氧化鈦納米薄膜)制成
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ReRAM將能代替內(nèi)存和硬盤
固態(tài)硬盤供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲(chǔ)器，未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說，關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠
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閃存終結(jié)者憶阻器或于2013年商用化
惠普實(shí)驗(yàn)室資深院士Stan Williams聲稱，該公司自2008年開始研發(fā)，基于“憶阻器”技術(shù)的兩端點(diǎn)、非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，可望在未來18個(gè)月內(nèi)投入市場(chǎng)，甚至取代閃存。“我們有很多相關(guān)計(jì)劃，也正和Hynix半
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取代NAND閃存，惠普和海力士擬于2013年推出憶阻器
（21ic電子網(wǎng)配圖）【OFweek電子工程網(wǎng)原創(chuàng)】：惠普實(shí)驗(yàn)室高級(jí)研究員Stan Williams表示，惠普公司自2008年開始研發(fā)的憶阻器非易失性內(nèi)存技術(shù)將于一年半后上市，將搶占閃存芯片市場(chǎng)。Williams在國(guó)際電子論壇上表示：&
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五大突破性芯片技術(shù) 改變未來計(jì)算
請(qǐng)想象一下這樣一個(gè)世界：各種電子設(shè)備可以自己充電，音樂播放器可以終其壽命不停地播放歌曲，電池可以自充電，芯片可以實(shí)時(shí)改變其處理能力等等。根據(jù)美國(guó)各大實(shí)驗(yàn)室正在研究的項(xiàng)目來看，所有這些事物并非沒有可能，
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2010年度硬件十大新聞 iPad一枝獨(dú)秀
2010年度硬件十大新聞 iPad一枝獨(dú)秀
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憶阻器技術(shù)準(zhǔn)備邁向商業(yè)化
惠普(HP)近日宣布與韓國(guó)業(yè)者海力士(Hynix)簽署合作研發(fā)協(xié)議，旨在將憶阻器(memristor)技術(shù)商業(yè)化；這兩家公司將共同開發(fā)新的材料與制程整合技術(shù)，好將HP的憶阻器技術(shù)由研發(fā)階段，推向以電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(resistive
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美科學(xué)家開發(fā)出寬度5納米憶阻器
上世紀(jì)60年代，英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律:集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進(jìn)一步小型化遇到越來越多的技術(shù)局限。在傳統(tǒng)硅
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用憶阻器來模擬人腦學(xué)習(xí)過程
我們一般把人腦的位細(xì)胞叫做突觸(synapses)，美國(guó)密西根大學(xué)研究人員指出，憶阻器(memristor)的功能特性是所有的電子組件中與突觸最相近的;他們最近展示單一憶阻器如何以與人腦相同的方式來學(xué)習(xí)同樣的技術(shù)。 人類的
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可配置憶阻器將戰(zhàn)勝CPU？
惠普(HP)展示了一款能在邏輯運(yùn)作與內(nèi)存儲(chǔ)存之間動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換的憶阻器(memristor)，其可配置架構(gòu)展現(xiàn)了HP號(hào)稱某天將可取代CPU器件的“狀態(tài)邏輯(stateful logic)”——也就是透過動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換的電路來維持恒定內(nèi)存狀態(tài)，如此可
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可配置憶阻器：能否成為CPU終結(jié)者？
惠普(HP)展示了一款能在邏輯運(yùn)作與內(nèi)存儲(chǔ)存之間動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換的憶阻器(memristor)，其可配置架構(gòu)展現(xiàn)了HP號(hào)稱某天將可取代CPU器件的“狀態(tài)邏輯(stateful logic)”——也就是透過動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換的電路來維持恒定內(nèi)存狀態(tài)，如此可
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美制成與大腦突觸類似的憶阻器電路
幾乎從計(jì)算機(jī)問世那天起，科學(xué)家和技術(shù)人員就夢(mèng)想著有朝一日計(jì)算機(jī)也能像人腦一樣工作。日前，美國(guó)密歇根大學(xué)的一個(gè)研究小組稱，他們制成了一種模擬大腦突觸的憶阻器電路，證實(shí)了此前關(guān)于憶阻器能用于電腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)制
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后危機(jī)時(shí)代，傳統(tǒng)電子組件迎來創(chuàng)新與變革
目前，在一個(gè)典型的電子產(chǎn)品中，IC和分立的傳統(tǒng)元件占全部電子元器件及零部件的生產(chǎn)總成本的約50%和10%，而在總安裝成本中情況恰恰相反，分立元件的安裝成本占據(jù)了50%，某些片式元件的管理和安裝成本已經(jīng)超過其價(jià)格。
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DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門
據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology；NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相
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DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門
據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology；NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相
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美研制出納米級(jí)憶阻器芯片
美國(guó)密歇根大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片，該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶阻器
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美研制出納米級(jí)憶阻器芯片
美國(guó)密歇根大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片，該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶
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美研制出納米級(jí)憶阻器芯片
本報(bào)訊美國(guó)密歇根大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片，該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。憶
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HP實(shí)驗(yàn)室展示集CMOS電路與憶阻器3D芯片
據(jù)電子工程專輯報(bào)道，惠普實(shí)驗(yàn)室(HP Labs)日前在加州柏克萊(Berkeley)舉行的一場(chǎng)研討會(huì)上，介紹了該機(jī)構(gòu)正在研發(fā)中的首款3D憶阻器(memristor)芯片原型。該原型是惠普研究人員Qiangfei Xia將憶阻器縱橫栓(crossbar)內(nèi)
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