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基于CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路的設(shè)計(jì)
本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸
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低功耗應(yīng)用中µC外圍設(shè)備的選擇
設(shè)計(jì)出色的低功耗應(yīng)用需要同時(shí)考慮終端應(yīng)用的需求和各種可用的 µC 特性?！ ≡O(shè)計(jì)人員可能會(huì)提出以下問(wèn)題：是否能夠重新充電?尺寸能夠做到多小?典型的工作時(shí)間是多少?速度必須多快?要連接哪種類(lèi)型的外圍器
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采用壓電振蕩器的白光LED供能方法
接收單電池供電的LED驅(qū)動(dòng)器正受到廣泛關(guān)注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點(diǎn)亮白光LED的高電壓，主要需要某種電子振蕩器，最簡(jiǎn)單的為壓電蜂鳴 器。壓電轉(zhuǎn)換器特殊地用于振蕩器和驅(qū)動(dòng)白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電
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阻塞振蕩器
系列振蕩器電路圖，供學(xué)習(xí)參考！
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簡(jiǎn)單的正弦振蕩器
系列振蕩器電路圖，供學(xué)習(xí)參考！
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電子樂(lè)器中用的振蕩器
系列振蕩器電路圖，供學(xué)習(xí)參考！
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低頻振蕩器
系列振蕩器電路圖，供學(xué)習(xí)參考！
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采用TCA580的低頻振蕩器
系列振蕩器電路圖，供學(xué)習(xí)參考！
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RC低頻振蕩器
系列振蕩器電路圖，供學(xué)習(xí)參考！
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1MHZ振蕩器
系列振蕩器電路圖，供學(xué)習(xí)參考！
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1khz-1MHZ的正弦振蕩器
系列振蕩器電路圖，供學(xué)習(xí)參考！
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針對(duì)千兆以太網(wǎng)進(jìn)行優(yōu)化的XpressO振蕩器（Fox）
Fox Electronics 最近推出了新系列 XpressO 振蕩器，明確用于滿(mǎn)足千兆以太網(wǎng)與10GbE 應(yīng)用的需求。新系列 Application Specific XpressO 中的每個(gè)模型均有符合經(jīng)過(guò)預(yù)配置專(zhuān)用精確標(biāo)準(zhǔn)的商業(yè)成品供應(yīng)，封裝尺寸為業(yè)界標(biāo)
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維氏電橋振蕩器原理
1940年，William Hewlett和David Packard兩人將他們?cè)谲?chē)庫(kù)中制作的一種產(chǎn)品投放市場(chǎng)，這種產(chǎn)品就是維氏電橋（Wien-Bridge）振蕩器。它由一個(gè)單極點(diǎn)高通濾波器與一個(gè)單極點(diǎn)低通濾波串聯(lián)而成。為了保持增益恒定不變，該
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維氏電橋振蕩器原理
1940年，William Hewlett和David Packard兩人將他們?cè)谲?chē)庫(kù)中制作的一種產(chǎn)品投放市場(chǎng)，這種產(chǎn)品就是維氏電橋（Wien-Bridge）振蕩器。它由一個(gè)單極點(diǎn)高通濾波器與一個(gè)單極點(diǎn)低通濾波串聯(lián)而成。為了保持增益恒定不變，該
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變化范圍大的CR掃描振蕩器
電路工作功能頻率變化范圍大的掃描振蕩器用于頻率特性的自動(dòng)測(cè)定。掃描范圍在對(duì)數(shù)軸需要3格數(shù)左右。本電路能獲得與控制電壓VC成正比的頻率，在對(duì)數(shù)掃描中，增加反對(duì)數(shù)電路，當(dāng)輸入鋸齒波時(shí)還能進(jìn)行自動(dòng)掃描也可以作為
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可在數(shù)兆赫茲CR振蕩器中應(yīng)用的復(fù)合式高速積分電路
電路的功能OP放大器的開(kāi)環(huán)特性與積分器的特性接近，最適合用于積分電路，但高頻時(shí)其增益下降，不能進(jìn)行穩(wěn)定的積分。本電路把高速OP放大器組合起來(lái)，以提高積分速率。原先曾考慮用一個(gè)高速OP放大器成積分電路，但普通
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SiTime公告其MEMS FirstTM 全硅振蕩器和時(shí)脈產(chǎn)生器出貨第2千萬(wàn)片的里程碑
2010年五月三日，美國(guó)加州森尼韋爾市(SUNNYVALE), - 全硅MEMS摸擬半導(dǎo)體時(shí)脈方案領(lǐng)導(dǎo)公司SiTimeCorporation今天宣布其MEMS First TM 全硅振蕩器和時(shí)脈產(chǎn)生器總出貨量將于今年五月內(nèi)超過(guò)2千萬(wàn)片。SiTime具有世界領(lǐng)
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技術(shù)到位 MEMS振蕩器市場(chǎng)起飛
在經(jīng)過(guò)數(shù)年研發(fā)以及制造產(chǎn)能建置之后，微機(jī)電系統(tǒng)振蕩器(MEMS oscillator)市場(chǎng)似乎已經(jīng)起飛；包括美商SiTimes、Discera等的小巧MEMS芯片產(chǎn)品，都藉由搶走笨重石英晶體振蕩器的生意，讓市占率穩(wěn)定成長(zhǎng)中。 Silicon
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MEMS First 全硅振蕩器和時(shí)脈產(chǎn)生器出貨2千萬(wàn)片
2010年五月三日，美國(guó)加州森尼韋爾市(SUNNYVALE), - 全硅MEMS摸擬半導(dǎo)體時(shí)脈方案領(lǐng)導(dǎo)公司SiTime Corporation今天宣布其MEMS FirstTM 全硅振蕩器和時(shí)脈產(chǎn)生器總出貨量將于今年五月內(nèi)超過(guò)2千萬(wàn)片。SiTime具有世界領(lǐng)先地
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全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級(jí)性能的公司。這些集成電路滿(mǎn)足小型化要求
