QMEMS將擠壓石英晶振和硅MEMS的空間

MEMS振蕩器采用集成電路工藝制造出機械振動器件，這樣可以被集成在硅芯片中。傳統(tǒng)的石英晶體需要切割和傾斜(beveling)加工，但體積可以做的更小，溫度漂移的適應(yīng)性好，采用印刷技術(shù)的成本和功耗可以更低。 聲稱已經(jīng)

數(shù)據(jù)控制的可變頻振蕩器

　　如圖所示，VT1～VT11的基極偏置電路加進11位二進制數(shù)據(jù)(高電平為“1”，低電平為“0”)，有211=2048種組合。當(dāng)某一位為低電平時，對應(yīng)的VT管導(dǎo)通，則C2通過RA+R2對其充電，RA為各導(dǎo)通管所接電阻的等效阻值，則振

射頻驅(qū)動音頻振蕩器

如圖所示，555和Rl、RPl、C1等組成可控音頻振蕩器，f=1．44／(R1+2RP1)C1，圖示參數(shù)的頻率在600Hz～20kHz之間，可通過調(diào)節(jié)RP1來選定。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width=newX;

利用Vc端控制占空比的壓控式振蕩器

業(yè)界最高穩(wěn)定性的全硅振蕩器（Silicon Labs）

Silicon Laboratories （芯科實驗室有限公司）發(fā)表具有業(yè)界最高穩(wěn)定性的全CMOS振蕩器，以此進入消費性定時市場，新產(chǎn)品不僅交貨時間較短、成本較低、可靠度較高且性能更佳，成為一種取代石英振蕩器（XO）的理想方案。

轉(zhuǎn)速低限報警器(556)電路圖

如圖所示為轉(zhuǎn)速低限報警電路。該報警器采用556雙時基集成電路，其中左側(cè)構(gòu)成一個轉(zhuǎn)速鑒別電路．右側(cè)構(gòu)成一個振蕩頻率為1kHz的振蕩器。 晶體管放大限幅電路接轉(zhuǎn)速鑒別電路的輸入端，當(dāng)輸入正極性脈沖時，BG1管飽和導(dǎo)通

新款LVPECL 振蕩器（Fox）

頻率控制解決方案供應(yīng)商 Fox Electronics 通過發(fā)布封裝尺寸為5 mm x 3.2 mm 的振蕩器拓展該公司 XpressO LVPECL 振蕩器系列產(chǎn)品。

帶顯示功能的定時器電路圖

該定時器的特點是：(1)定時周期寬。開機時間和保持時間從幾秒到2h，分別連續(xù)可調(diào)。(2)開機、保持時間分別用兩種顏色，各10個發(fā)光二極管分段顯示工作，剩余時間一目了然。(3)定時器可單次工作，也可重復(fù)工作。(4)定時

一階有源相移振蕩器(F007)電路圖

如圖所示為一階有源相移振蕩電路。該電路中，A1和A2組成一階有源移相器，并與A3構(gòu)成環(huán)路。A3為反相比例放大器，起主放大作用，其增益調(diào)節(jié)為-l，相移為π。D1、D2為穩(wěn)壓管2DW7C，起穩(wěn)幅作用。根據(jù)振蕩所需滿足的條件，

ZXB一1型低頻振蕩器及其振蕩電路等效電路圖

等效電路:

800Hz振蕩器電路

如圖所示的800Hz振蕩器，具有電路簡單、頻率準(zhǔn)確度高及輸出電平穩(wěn)定的特點。它由四運算放大集成塊Al～A3(LM324)與SJT(YYZ-2-800Hz)音叉構(gòu)成的800Hz振蕩器。當(dāng)SJT產(chǎn)生出800Hz振蕩信號反饋至Al、A2組成的兩級運算放大器

鍵控振蕩器電路

如圖所示電路是由雙單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器CC4098、四2輸入端與非門CC4011等構(gòu)成的鍵控振蕩器。該電路是由單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器構(gòu)成的頻率和占空比可調(diào)的鍵控振蕩器，主要用作精度要求不 高的低頻信號發(fā)生器。 function resizeImage(e

減小功耗的ISOll3電路圖

　　如圖所示為減小功耗的ISO113電路。對于單通道或多通道同步應(yīng)用要求Vcc1電流小于±15mA，可采用一個振蕩器產(chǎn)生TTL電平，去驅(qū)動同步輸入端(③腳)和使能端(①腳)，以降低電源功耗.

減小功耗的ISO103電路圖

如圖所示為減小功耗的ISO103電路。對于多通道同步應(yīng)用要求Vcc1電流小于±15mA，如圖所示可以采用一個振蕩器產(chǎn)生TTL電平，去驅(qū)動同步輸入端(15腳)和使能端(13腳)，以降低電源功耗。 function resizeImage(evt,obj){