3D IC時代即將來臨!拓墣產(chǎn)業(yè)研究中心副理陳蘭蘭表示,當摩爾定律發(fā)展到了極限之際,3D IC趨勢正在形成當中,預料將成為后PC時代的主流,掌握3D IC封裝技術(shù)的業(yè)者包括日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)等將
我們會像當年買PC那樣,拿著一張紙,上面寫著主頻型號、操作系統(tǒng)版本、內(nèi)存等參數(shù)去買手機嗎? 手機世界中的“摩爾定律”還會發(fā)生作用嗎?手機性能的提升是否會像PC行業(yè)的黃金時代那樣,成為行業(yè)發(fā)展的核
3DIC時代即將來臨!拓墣產(chǎn)業(yè)研究中心副理陳蘭蘭表示,當摩爾定律發(fā)展到了極限之際,3DIC趨勢正在形成當中,預料將成為后PC時代的主流,掌握3DIC封裝技術(shù)的業(yè)者包括日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)等將可以領(lǐng)先
3DIC時代即將來臨!拓墣產(chǎn)業(yè)研究中心副理陳蘭蘭表示,當摩爾定律發(fā)展到了極限之際,3DIC趨勢正在形成當中,預料將成為后PC時代的主流,掌握3DIC封裝技術(shù)的業(yè)者包括日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)等將可以領(lǐng)先掌
手機版“摩爾定律”是否存在?
手機版“摩爾定律”是否存在?
拓墣:3D IC明后年增溫 封裝大廠已積極布署
3D IC時代即將來臨! 拓墣產(chǎn)業(yè)研究中心副理陳蘭蘭表示,當摩爾定律發(fā)展到了極限之際,3D IC趨勢正在形成當中,預料將成為后PC時代的主流,掌握3D IC封裝技術(shù)的業(yè)者包括日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)等將可以
今天,Intel研究院主持的第九屆“Research at Intel”(R@I)科研成果展示活動開幕。Intel首席技術(shù)官Justin Rattner親臨會場,介紹了35項正在進行、有望改變未來科技面貌的創(chuàng)新科研項目。 不過最讓我們感興趣的還是
5月4日,英特爾公司美國加州總部宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破。晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的微小的元件。自50多年前硅晶體管發(fā)明以來, 3D結(jié)構(gòu)晶體管史無前例將首次投入批量生產(chǎn)。英特爾將推出被稱為三柵極(
“在北歐神話中,雷神托爾因為執(zhí)有一把‘雷神之錘’成為宇宙力量的化身,只有具有強大力量的英雄才具有資格掌握‘雷神之錘’。”——剛剛上映的電影《雷神》中,只有擁有智
新浪科技訊 北京時間5月18日晚間消息,谷歌董事長埃里克·施密特(Eric Schmidt)周三表示,摩爾定律與Android的結(jié)合在未來幾年內(nèi)將戰(zhàn)勝腐敗和獨裁統(tǒng)治。 施密特說:“去年的Android手機,明年就會變成一款普通手
英特爾(Intel)宣布其電晶體演進的重大突破,電晶體乃是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中十分微小的基礎(chǔ)元件。自從矽電晶體在50年前發(fā)明以來,首度采用三維(3D)立體結(jié)構(gòu)的電晶體即將邁入量產(chǎn)。英特爾于2002年首次公開命名為Tri-Gate的革
2011年5月4日,英特爾公司宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破。晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的微小元件,自50多年前硅晶體管發(fā)明以來,3-D結(jié)構(gòu)晶體管史無前例將首次投入批量生產(chǎn)。英特將推出被稱為三柵級(Tri-Gate)
5月5日消息,據(jù)美聯(lián)社報道,英特爾周三表示,已重新設(shè)計了其芯片上的電子開關(guān)(即晶體管),可使電腦不斷降低價格、功能變得更為強大。晶體管通常是扁的,英特爾通過加入第三維--“鰭”狀的突起物,能生產(chǎn)出更小的晶
英特爾日前宣布完成芯片技術(shù)重大突破,將導入三維晶體管的芯片技術(shù)在22 納米制程生產(chǎn)新款微處理器。臺積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義對此表示,在成本下降、上下游技術(shù)架構(gòu)建立后,臺積電即會導入三維晶體管。2002年英特
英特爾昨(5)宣布完成芯片技術(shù)重大突破,將導入三維晶體管的芯片技術(shù)在22 納米制程生產(chǎn)新款微處理器。臺積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義對此表示,在成本下降、上下游技術(shù)架構(gòu)建立后,臺積電即會導入三維晶體管。 20
英特爾并未透露新晶體管技術(shù)細節(jié),但「邏輯技術(shù)開發(fā)部門」主管波爾(Mark Bohr)指出,該公司將是首家把3D晶體管技術(shù)投產(chǎn)的業(yè)者,與現(xiàn)有的卅二納米制程相比,采用廿二納米制程的3D晶體管,可提高三七%效能,電力消耗
英特爾于5月4日宣布將在22nm節(jié)點采用“Tri-Gate”(三柵)晶體管技術(shù),實現(xiàn)了歷史性的技術(shù)突破。據(jù)英特爾介紹說,3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術(shù)發(fā)展速度,它能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年。該技術(shù)能促進處理器性能大幅提升
英特爾發(fā)布3D晶體管技術(shù)延伸摩爾定律