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瑞薩推出650V/1250V耐圧IGBT新產(chǎn)品，性能提高30％
瑞薩電子近日發(fā)布了性能指數(shù)(FOM)較上代產(chǎn)品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新產(chǎn)品“G8H系列”，已開(kāi)始供應(yīng)樣品。FOM是開(kāi)關(guān)損耗與集電極-發(fā)射極間飽和電壓(VCE(sat))的乘積，F(xiàn)OM越
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瑞薩電子為無(wú)人駕駛汽車(chē)推出硬件故障探測(cè)及預(yù)警技術(shù)
瑞薩電子近期宣布推出為汽車(chē)運(yùn)算系統(tǒng)的功能安全而研發(fā)的硬件故障探測(cè)及預(yù)警技術(shù)。與此同時(shí)，還成功開(kāi)發(fā)出一種支持ISO26262 ASIL B汽車(chē)功能安全標(biāo)準(zhǔn)、采用16納米FinFET工藝
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瑞薩：MCU將承擔(dān)BMS設(shè)計(jì)的重要角色
在電動(dòng)車(chē)的各大系統(tǒng)中，莫過(guò)于BMS(電池管理系統(tǒng))的表現(xiàn)最為關(guān)鍵，它扮演電動(dòng)車(chē)所有電力輸出的重要來(lái)源，與此同時(shí)，電池壽命的長(zhǎng)短與否也與BMS息息相關(guān)。
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瑞薩車(chē)用MCU 強(qiáng)化讀取與覆寫(xiě)速度
瑞薩電子(Renesas)開(kāi)發(fā)全新28奈米嵌入式快閃記憶體技術(shù)。該技術(shù)可達(dá)更快的讀取與覆寫(xiě)速度，且針對(duì)采用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程技術(shù)的晶片內(nèi)建快閃記憶體微控制器(MCU)所設(shè)計(jì)。新技術(shù)利用記憶體單元電
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瑞薩：從懸崖上成功退身，結(jié)果后面也是懸崖
“這兩年都在拼命精簡(jiǎn)機(jī)構(gòu)，設(shè)法生存下去。所有員工都知道，不改革就必死無(wú)疑，我也一直抱著走錯(cuò)一步公司就會(huì)倒閉的想法。如今終于能走出困境了，今后的目標(biāo)將不再是
1122徐
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