電解電容會(huì)隨時(shí)間而泄漏。圖1中的電路可以用來(lái)測(cè)試電容,決定它們是否值得使用。通過(guò)CREF/RREF比值可以設(shè)定對(duì)泄漏的限制條件。圖中的值適用于所有電容的一般測(cè)試,從1nF的陶
文中針對(duì)電容和電感的測(cè)量,簡(jiǎn)單介紹了關(guān)于LC振蕩電路測(cè)量電容和電感的設(shè)計(jì)原理。同時(shí)通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明該方案能進(jìn)行高頻電感和電容的測(cè)量。測(cè)量的精度能達(dá)到應(yīng)有要求。1 測(cè)量原
電感常為儲(chǔ)能元件,也常與電容一起用在輸入濾波和輸出濾波電路上, 用來(lái)平滑電流。電感也被稱(chēng)為扼流圈,特點(diǎn)是流過(guò)其上的電流有“很大的慣性”。換句話(huà)說(shuō),由于
使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。
AT89C52是美國(guó)Atmel公司生產(chǎn)的低電壓、高性能CMOS 8位單片機(jī),片內(nèi)含8KB的可反復(fù)擦寫(xiě)的程序存儲(chǔ)器和256B的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM),器件采用Atmel公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS-51指令系統(tǒng),片
電容感測(cè)在很多應(yīng)用中大展拳腳,從接近度檢測(cè)和手勢(shì)識(shí)別,到液面感測(cè)。無(wú)論是哪種應(yīng)用,電容感測(cè)的決定性因素都是根據(jù)一個(gè)特定的基準(zhǔn)來(lái)感測(cè)傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特
此電子鎮(zhèn)流器的AC輸入電壓允許達(dá)277V,適當(dāng)調(diào)節(jié)電感元件(L1)的參數(shù),可配接20~60W的熒光燈。UBA2014由飛利浦公司推出。36W電子鎮(zhèn)流器電路圖如下圖所示,接通AC電源后,通過(guò)
電容感測(cè)在很多應(yīng)用中大展拳腳,從接近度檢測(cè)和手勢(shì)識(shí)別,到液面感測(cè)。無(wú)論是哪種應(yīng)用,電容感測(cè)的決定性因素都是根據(jù)一個(gè)特定的基準(zhǔn)來(lái)感測(cè)傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特
電容感測(cè)在很多應(yīng)用中大展拳腳,從接近度檢測(cè)和手勢(shì)識(shí)別,到液面感測(cè)。無(wú)論是哪種應(yīng)用,電容感測(cè)的決定性因素都是根據(jù)一個(gè)特定的基準(zhǔn)來(lái)感測(cè)傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特
21ic訊 世強(qiáng)日前與國(guó)際電容制造領(lǐng)頭企業(yè)WIMA簽訂中國(guó)區(qū)分銷(xiāo)協(xié)議,前者正式代理涵蓋塑料薄膜電容器、紙介質(zhì)電容器、DC-LINK電容在內(nèi)的WIMA全線(xiàn)產(chǎn)品。 WIMA于1948年在德國(guó)創(chuàng)立,在被動(dòng)電子元件領(lǐng)域有很悠久的歷史,在德
在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中,需要清楚I2C的總線(xiàn)的兩個(gè)特征:1、串行數(shù)據(jù)SDA和串行時(shí)鐘SCL線(xiàn)都是雙向線(xiàn)路,通過(guò)一個(gè)電流源或上拉電阻Rp 連接到正的電源電壓+VDD,當(dāng)總線(xiàn)空閑時(shí)這兩
高壓電容作為一種重要的電路保護(hù)元件,在很多智能產(chǎn)品和電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過(guò)程中是不可缺少的。然而在實(shí)際的應(yīng)用過(guò)程中,原本應(yīng)該固定不變的高壓電容電容量有時(shí)卻會(huì)出現(xiàn)變化的
1、芯片發(fā)熱這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)
下圖是采用LM317構(gòu)成的軟啟動(dòng)電路。在通電瞬間C2上的電壓不能突變,VT被R2、R3偏置而飽和導(dǎo)通,這樣就使R1短路,相當(dāng)于LM317的調(diào)整端接地。電源輸出為1.25V,隨著C2充電時(shí)間
摘要:為了使無(wú)線(xiàn)功率傳輸在給多個(gè)設(shè)備充電時(shí)不再需要電源線(xiàn)和龐大的充電設(shè)備,例如實(shí)驗(yàn)移動(dòng)設(shè)備(如移動(dòng)手機(jī))放在無(wú)線(xiàn)傳輸設(shè)備附近能夠?qū)崿F(xiàn)充電,可以通過(guò)改變手機(jī)等設(shè)備的位置,角度,離發(fā)射設(shè)備的距離等實(shí)現(xiàn)無(wú)線(xiàn)充
1、主存儲(chǔ)器概述(1)主存儲(chǔ)器的兩個(gè)重要技術(shù)指標(biāo)◎讀寫(xiě)速度:常常用存儲(chǔ)周期來(lái)度量,存儲(chǔ)周期是連續(xù)啟動(dòng)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作(如讀操作)所必需的時(shí)間間隔?!虼鎯?chǔ)容量:通常
一、無(wú)差拍 SVPWM 的有源濾波器設(shè)計(jì)有源電力濾波器(Active Power Filter,APF)作為一種用于動(dòng)態(tài)抑制諧波的電力電子裝置,其能夠同時(shí)補(bǔ)償多次諧波電流,能實(shí)時(shí)控制、自動(dòng)跟蹤
CEATEC JAPAN 2015于10月7日~11日在日本幕張國(guó)際會(huì)展中心隆重舉行,該展覽會(huì)已成為亞洲和日本國(guó)內(nèi)電子領(lǐng)域最前沿、規(guī)模最大,產(chǎn)品范圍最廣的世界級(jí)展覽會(huì)。作為日本最具國(guó)際先進(jìn)水平的展覽,眾多消費(fèi)電子以及家用電
美高森美公司(Microsemi Corporation)日前發(fā)布獨(dú)特的全新專(zhuān)利超低電容功率瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管產(chǎn)品系列。新器件充分利用公司在高可靠性TVS技術(shù)領(lǐng)域的50年傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)和獨(dú)特的射頻(RF) PIN二極管專(zhuān)門(mén)技術(shù),以保護(hù)高速數(shù)據(jù)線(xiàn)路和其它應(yīng)用,這些應(yīng)用的電容量嚴(yán)苛要求,大大超過(guò)用于保護(hù)以太網(wǎng)及速率不高于500Mbit/s的數(shù)據(jù)接口的其它典型低電容TVS器件。
21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 推出了一款電容感測(cè)集成電路系列。該系列產(chǎn)品可不被來(lái)自無(wú)線(xiàn)電、電源、光照和電機(jī)等環(huán)境噪聲的影響。與現(xiàn)有電容感測(cè)解決方案相比,在噪聲出現(xiàn)時(shí)