該電路適于用作光柵開關(guān),并且具有很高的接收靈敏度,電路的開關(guān)閾值為10lx。為了調(diào)節(jié)無照電流,電路中接入電位器R1.當(dāng)光敏晶體管上有足夠光照度(最低為10lx)時(shí),末級晶體管導(dǎo)通,輸出端電壓約為19.5V.
3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下:主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用,一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間,而
1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一,其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān),隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,特征尺寸越來越小,管子的柵氧層厚度越來越
電路評估與測試設(shè)備要求(可以用同等設(shè)備代替)EVAL-SDP-CB1Z系統(tǒng)演示平臺CN-0182電路評估板(EVAL-CN0182-SDZ)CN-0182評估軟件TektronixTDS2024,4通道示波器HP-E3630A0V至6V、2.55A±20V、0.5A三路輸出直流電源
視放電路中關(guān)機(jī)消亮點(diǎn)電路如圖2所示。V508, R505, R506, VD504,VD505, VD506及VD501、C510, R536, C512組成關(guān)機(jī)消亮點(diǎn)電路。正常工作時(shí),+9V電源電壓經(jīng)L501, C512, R536向C510充電,充電完成后C510兩端電壓僅為0.6V左
美國華盛頓大學(xué)的一組研究人員成功地演示了樹木產(chǎn)生的電力足以獨(dú)立地維持定制電路的運(yùn)轉(zhuǎn)。這個(gè)研究小組并不指望使用樹電替代太陽能,但這套系統(tǒng)可以為那些可能被用于檢測環(huán)境條件或森林火災(zāi)的樹木傳感器提供一種低成
電路如圖所示。該機(jī)功率放大部分為典型的準(zhǔn)互補(bǔ)推挽輸出電路。BG5與BG7復(fù)合為NPN管,組成推挽的上臂:PNP的。BG6與NPN的BG8復(fù)合為PNP管,組成推挽的下臂。R14與C11組成自舉電路,用以提高電路的開環(huán)增益和正向輸出幅
事實(shí)上,電視轉(zhuǎn)播對奧運(yùn)比賽的改變并不僅僅體現(xiàn)在賽時(shí)安排上,而表現(xiàn)在很多方面,比如運(yùn)動(dòng)員著裝、比賽規(guī)則甚至比賽項(xiàng)目的設(shè)置。雖然,美國選手菲爾普斯8枚金牌,7項(xiàng)世界記錄的成績在百年奧運(yùn)史上已是絕無僅有的奇跡,
富威集團(tuán)推出Silicon Labs 低功耗MCU C8051F9XX應(yīng)用于無端醫(yī)療照護(hù)解決方案。該系列芯片已被廣泛應(yīng)用于RFID標(biāo)簽、水氣表計(jì)量、傳感器接口、能量采集、報(bào)警系統(tǒng)、煙霧檢測以及掌上型醫(yī)療照護(hù)系統(tǒng)等。C8051F9XX是目前業(yè)
圖(a)電路輸出電壓由電位器Rp調(diào)節(jié),并且具有線性調(diào)節(jié)特性。圖(b)示出輸出電壓偏差Ua同負(fù)載電流Ia(0-70mA)的關(guān)系曲線,圖(c)為同輸入電壓Ue的關(guān)系曲線。主要的技術(shù)數(shù)據(jù):輸入電壓:Ue=11~20V輸出電壓:Ua=8~1
由ICL7673構(gòu)成的UPS典型電路如圖3.5.4所示。圖中采用+5V主電源,備用電源選3.6V鎳鎘電池組E。正常工作時(shí),+5V電源還經(jīng)過電阻R和硅二極管VD對鎳鎘電池進(jìn)行涓流充電,輸出電壓Vo也為+5V.當(dāng)電網(wǎng)停電時(shí),改由E對CMOS系統(tǒng)