戴安應(yīng)用技術(shù)講座圓滿落幕

4月12日，北京。戴安公司應(yīng)用技術(shù)講座在北京翠宮飯店舉行，來(lái)自中科院各研究機(jī)構(gòu)、清華北大等高校、質(zhì)檢機(jī)構(gòu)、各大醫(yī)院、藥檢所的分析工作者和專家，以及網(wǎng)絡(luò)和新聞媒體的170多位嘉賓參加了本次會(huì)議。 提到戴安公司，

負(fù)氧離子發(fā)生器電路

島津發(fā)布羅丹明B檢測(cè)新方法

羅丹明B，也稱玫瑰紅B，俗稱花粉紅，是一種堿性熒光染料。光度測(cè)定金、鎵、汞、銻(V)、鉈(III)；熒光測(cè)定錳、鈷等，比色測(cè)定鎘；氧化還原指示劑用以滴定錫、銻、鈮、鉭的沉淀劑；生物染色劑；系列激光染料。我國(guó)和歐

新式晶體管能傳輸質(zhì)子流 有望開(kāi)發(fā)新設(shè)備

人類的各種用電器，從電燈泡到iPod都是通過(guò)電子來(lái)傳輸信息，而人體和其他生物自身卻是用離子和質(zhì)子來(lái)傳輸信號(hào)并執(zhí)行任務(wù)。據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，華盛頓大學(xué)材料科學(xué)家制造出一種能傳輸質(zhì)子流的新式晶體管，

LED散熱新趨勢(shì)—靜音氣冷技術(shù)

由于現(xiàn)今的電子產(chǎn)品不僅需要高效率的散熱裝置，還必須在比以往更小、更薄的空間內(nèi)運(yùn)作，但是較小型的散熱風(fēng)扇要產(chǎn)生更大的工作量及更快的轉(zhuǎn)速，才能達(dá)到如大型風(fēng)扇一樣的空氣流通量。只是提高轉(zhuǎn)速的同時(shí)也意味著噪音

伊利諾伊大學(xué)研制出三維納米電極的電池 充放電只需幾秒

伊利諾伊大學(xué)厄巴納—香檳分校(University of Illinois at Urbana-Champaign)材料科學(xué)和工程教授Paul Braun同碩士生于新迪（Xindi Yu）、博士后研究員張惠剛（Huigang Zhang）研制出了擁有三維納米結(jié)構(gòu)電極的電

從月球衛(wèi)星到太陽(yáng)系探測(cè)器，嫦娥二號(hào)完美變身

從月球衛(wèi)星變成太陽(yáng)系的探測(cè)器，這可能么？當(dāng)然可能，雖然要克服很多困難，但是我國(guó)的嫦娥二號(hào)還是做到了。目前，嫦娥二號(hào)已經(jīng)到達(dá)拉格朗日L2點(diǎn)，并穩(wěn)定運(yùn)行了5天。而之后的一年中，圍繞拉格朗日L2點(diǎn)看展一系列探測(cè)活

Johnson Controls完成鋰離子汽車電池合資公司收購(gòu)

Johnson Controls, Inc.和Saft已達(dá)成協(xié)議，結(jié)束其合資公司 Johnson Controls-Saft。該合資公司建于 2006 年，主營(yíng)鋰離子汽車電池的開(kāi)發(fā)和制造。據(jù)協(xié)議條款，Johnson Controls 將現(xiàn)金收購(gòu)Saft所占 $1.45 億美元的公司

ASMC國(guó)內(nèi)首條MEMS工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

量產(chǎn) “上海先進(jìn)”（ASMC /上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司）在MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）代工領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，在打造國(guó)內(nèi)MEMS工藝生產(chǎn)平臺(tái)的同時(shí)首條MEMS工藝生產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)。“上海先進(jìn)”MEMS 生產(chǎn)線可以代工的器件包

上海先進(jìn)國(guó)內(nèi)首條MEMS工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

“上海先進(jìn)”（ASMC/上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司）在MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）代工領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，在打造國(guó)內(nèi)MEMS工藝生產(chǎn)平臺(tái)的同時(shí)首條MEMS工藝生產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)?！吧虾Ｏ冗M(jìn)”MEMS生產(chǎn)線可以代工的器件包括：三軸

稀土摻雜半導(dǎo)體納米發(fā)光材料研究取得新進(jìn)展

稀土摻雜TiO2納米晶敏化發(fā)光和上轉(zhuǎn)換發(fā)光示意圖 稀土離子和半導(dǎo)體納米晶（或量子點(diǎn)）本身都是很好的發(fā)光材料，二者的有效結(jié)合能否生出新型高效發(fā)光或激光器件一直是國(guó)內(nèi)外學(xué)者關(guān)注的科學(xué)問(wèn)題。與絕緣體納米晶相

上海先進(jìn)國(guó)內(nèi)首條MEMS工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

“上海先進(jìn)”（ASMC /上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司）在MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）代工領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，在打造國(guó)內(nèi)MEMS工藝生產(chǎn)平臺(tái)的同時(shí)首條MEMS工藝生產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)。 “上海先進(jìn)”MEMS 生產(chǎn)線可以代工的器件包括：

“上海先進(jìn)”國(guó)內(nèi)首條MEMS工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

“上海先進(jìn)”(ASMC/上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司)在MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))代工領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，在打造國(guó)內(nèi)MEMS工藝生產(chǎn)平臺(tái)的同時(shí)首條MEMS工藝生產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)。“上海先進(jìn)”MEMS 生產(chǎn)線可以代

PCB行業(yè)自我救贖 實(shí)行單獨(dú)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)

目前，我國(guó)印制電路板(PCB)產(chǎn)量位居世界第一，產(chǎn)品質(zhì)量及技術(shù)水平也得到很大提升。然而要使PCB行業(yè)實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，企業(yè)必須在節(jié)能減排、清潔生產(chǎn)上下工夫。日前在江蘇大豐召開(kāi)的“2011年環(huán)保技術(shù)研討會(huì)”

日本研發(fā)出新型“超離子”固態(tài)鋰電池

近日，日本研究人員開(kāi)發(fā)出“超離子”固態(tài)鋰電池，這種高導(dǎo)電性的固態(tài)鋰電池能在更寬的溫度范圍下供電，抵抗物理?yè)p傷和高溫的能力更強(qiáng)，如果大量生產(chǎn)有望降低消費(fèi)型電子設(shè)備的價(jià)格。目前高能效、高密度的化學(xué)電池只能

增強(qiáng)硅中摻鉺發(fā)光強(qiáng)度的途徑研究

摘要：硅在微電子學(xué)領(lǐng)域有著極其廣泛的應(yīng)用，但它是一種間接能隙半導(dǎo)體，發(fā)光器件領(lǐng)域是它的缺項(xiàng)。利用在硅中摻入鉺發(fā)光中心，研制出一種新的發(fā)光二極管(Si：Er LED)，它的發(fā)光波長(zhǎng)為1．54 μm，恰好滿足石英光纖通

增強(qiáng)硅中摻鉺發(fā)光強(qiáng)度的途徑研究

摘要：硅在微電子學(xué)領(lǐng)域有著極其廣泛的應(yīng)用，但它是一種間接能隙半導(dǎo)體，發(fā)光器件領(lǐng)域是它的缺項(xiàng)。利用在硅中摻入鉺發(fā)光中心，研制出一種新的發(fā)光二極管(Si：Er LED)，它的發(fā)光波長(zhǎng)為1．54 μm，恰好滿足石英光纖通

隆源光電首推負(fù)離子LED燈將產(chǎn)品做專做精

近年來(lái)，在政府的大力推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)外企業(yè)紛紛參與led開(kāi)發(fā)和應(yīng)用，搶灘潛力巨大的中國(guó)LED照明市場(chǎng)，一場(chǎng)來(lái)勢(shì)洶涌的LED大潮已經(jīng)迅速席卷了整個(gè)中國(guó)照明行業(yè)。然而，盡管LED照明市場(chǎng)炙手可熱，但與光伏產(chǎn)業(yè)類似，處于成

大發(fā)開(kāi)發(fā)出可在JC08模式下實(shí)現(xiàn)30km/L燃效的低燃耗技術(shù)

大發(fā)工業(yè)于近日宣布開(kāi)發(fā)出了可在JC08模式下實(shí)現(xiàn)30km/L燃效的技術(shù)“e：s Technology”。據(jù)大發(fā)工業(yè)介紹，通過(guò)改進(jìn)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)和車身構(gòu)造等，燃效可比原來(lái)提高約40％。預(yù)定2011年9月上市的新款車，將配備此

200mm晶圓的金屬接合時(shí)間減半，三菱重工推出常溫接合裝置

展示的樣品為了便于觀察，由150mm和75mm不同尺寸（直徑）的晶圓接合而成。對(duì)各自表面上形成的銅層進(jìn)行了常溫接合。筆者拍攝。（點(diǎn)擊放大） 在形成有硅貫通電極（TSV）的LSI的三維積層中，晶圓表面上形成的金屬層之