上接:自制NE555等離子體揚(yáng)聲器詳解(一)焊上63V 0.22微法的滌綸電容(音頻輸入)焊上電容 焊上8050和8550對管控制信號輸出串聯(lián)一個22ohm的電阻把長多出來的引腳剪短然后把NE555電路從大電路板上裁下來焊接完成 來張
準(zhǔn)備材料 :電烙鐵 *1吸錫泵*1松香*1焊錫絲*1洞洞板*1電子元件:四分之一瓦電阻:10K 18K 470ohm 22ohm *13296精密可調(diào)電位器*1三端穩(wěn)壓器 7812*1濾波鋁電解電容*11nF獨(dú)石電容*163V 0.22微法滌綸電容*1IC :NE555 *1
摘要: 近年來,開發(fā)區(qū)大力發(fā)展以旭陽雷迪為龍頭的新能源產(chǎn)業(yè),聚集了迅騰硅業(yè)、旭陽光電、上海超日、中輝特、潤揚(yáng)切割液、華融坩堝等20余個產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目,總投資超過250億元。... 近年來,開發(fā)區(qū)
儀器是如何命名的呢?“計(jì)”和“儀”有什么區(qū)別呢?一般來說,儀器的命名次序應(yīng)該嚴(yán)格與樣品分析時被分析物經(jīng)歷的次序一致,尤其是樣品處理的聯(lián)用技術(shù)較多時這一點(diǎn)顯得更為重要,如ID-FI-IC-ICP-TOF-MS,表示同位素稀
摘要:闡述原子層沉積系統(tǒng)(ALD)中射頻阻抗匹配器的設(shè)計(jì)方案。利用ADS軟件對阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行仿真,通過分析ALD真空腔室內(nèi)等離子體產(chǎn)生前后的負(fù)載阻抗變化,結(jié)合仿真結(jié)果,提出等離子體產(chǎn)生過程中阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的控制方
無極燈的概念及其與LED的對比現(xiàn)在無極燈的技術(shù)也比較成熟,個人感覺它與LED的優(yōu)勢差距不大。以下是從網(wǎng)上搜集的一些資料,請大家看看,然后說說LED與無極燈誰更有優(yōu)勢成為新一代照明燈具。無極燈:Promise Light高頻
無極燈的概念及其與LED的對比現(xiàn)在無極燈的技術(shù)也比較成熟,個人感覺它與LED的優(yōu)勢差距不大。以下是從網(wǎng)上搜集的一些資料,請大家看看,然后說說LED與無極燈誰更有優(yōu)勢成為新一代照明燈具。無極燈:Promise Light高頻
(1)集成電路前工藝設(shè)備根據(jù)其工藝性質(zhì),主要有以下幾種。外延爐:用于外延材料生長。氧化擴(kuò)散設(shè)備:用于制取氧化層和實(shí)現(xiàn)摻雜。制膜設(shè)備:主要有電子束蒸發(fā)臺、磁控濺射臺、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)設(shè)備。離
前言LED是可直接將電能轉(zhuǎn)化為可見光的發(fā)光器件,它有著體積小、耗電量低、使用壽命長、發(fā)光效率高、高亮度低熱量、環(huán)保、堅(jiān)固耐用及可控性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn),發(fā)展突飛猛進(jìn),現(xiàn)已能批量生產(chǎn)整個可見光譜段各種顏色的高亮度
人們一直都在猜測恐龍時代的彗星撞地球是什么樣子的,但是近日,美國探測器卻真實(shí)的拍到了彗星撞太陽的場景。上周正當(dāng)太陽出現(xiàn)爆發(fā)現(xiàn)象時,一顆彗星一頭沖進(jìn)了太陽,美國太陽和太陽風(fēng)層探測器(SOHO) 捕捉到這顆自殺的
前言LED是可直接將電能轉(zhuǎn)化為可見光的發(fā)光器件,它有著體積小、耗電量低、使用壽命長、發(fā)光效率高、高亮度低熱量、環(huán)保、堅(jiān)固耐用及可控性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn),發(fā)展突飛猛進(jìn),現(xiàn)已能批量生產(chǎn)整個可見光譜段各種顏色的高亮度
對氣體施加電壓使之產(chǎn)生輝光放電的技術(shù),或者稱做“等離子體”技術(shù),在醫(yī)療器械領(lǐng)域已經(jīng)成為了一種解決表面預(yù)處理問題的有力工具。等離子體不僅可用于表面的極端清潔和消毒,它還可以改善生物材料對體外診
據(jù)國外媒體報道,歐洲航天局四個空間探測器組成飛行編隊(duì)通過大約距離地球9萬6千公里(地球到月球距離的四分之一)的磁場中心,監(jiān)測到以超過每小時800公里速度向地球沖擊而來的等離子體噴流,該探測器飛行編隊(duì)詳細(xì)檢測
2012年3月,東方集成在上海某研究所成功安裝了SENTECH SI500D等離子體沉積系統(tǒng)。SI500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,用于在基片上沉積 SiOx, SiOxNy或 SiNy薄膜。沉積薄膜的厚度、折射率、應(yīng)力可以簡單的、連續(xù)的
清末光緒帝之死成了謎團(tuán),現(xiàn)在有眾多解釋和推測,但最值得人們采信的則是光緒帝死于砒霜中毒。而這個推斷是怎么得出的呢?又是誰這么厲害發(fā)現(xiàn)了光緒帝的死因呢?但真正的功臣其實(shí)是一臺儀器——電感耦合等離子體質(zhì)譜
上海和舊金山2012年3月20日電 /美通社亞洲/ -- 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡稱“中微”)于 SEMICON China 展會期間宣布,中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備 Primo AD-RIE™ 正式裝配國內(nèi)技術(shù)最先進(jìn)的集成
中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡稱“中微”)于 SEMICON China 展會期間宣布,中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備 Primo AD-RIE? 正式裝配國內(nèi)技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片代工企業(yè)中芯國際,用于32納米至28納米及更先進(jìn)的芯片
上海和舊金山2012年3月20日電 /美通社亞洲/ -- 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡稱“中微”)于 SEMICON China 展會期間宣布,中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備 Primo AD-RIE? 正式裝配國內(nèi)技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片代工企
中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡稱“中微”)于 SEMICON China 展會期間宣布,中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備 Primo AD-RIE? 正式裝配國內(nèi)技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片代工企業(yè)中芯國際,用于32納米至28納米及更先進(jìn)的芯片
2012年3月,東方集成在上海某研究所成功安裝了SENTECH SI500D等離子體沉積系統(tǒng)。SI500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,用于在基片上沉積 SiOx, SiOxNy或 SiNy薄膜。沉積薄膜的厚度、折射率、應(yīng)力可以簡單的、連續(xù)的