納米技術(shù)

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中芯國(guó)際第二季度營(yíng)收3.5億美元同比下降6%

8月10日晚間消息，中芯國(guó)際今日晚間公布其截至2011年6月30日的第二財(cái)季報(bào)告。第二財(cái)季營(yíng)收為3.524億美元，與第一財(cái)季3.706億美元相比下降4.9%，較去年同期下降5.9%。第二財(cái)季毛利率為14.3%，較第一財(cái)季的18.6%有所下

半導(dǎo)體
2011-08-11

中芯國(guó)際納米技術(shù) BSP 終端
蘇州納米技術(shù)所與德國(guó)AIXTRON SE簽訂合作協(xié)議

近日，中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所與德國(guó)AIXTRON SE簽訂了“MOCVD培訓(xùn)中心”共建合作協(xié)議。蘇州納米所所長(zhǎng)楊輝與德國(guó)AIXTRON SE首席財(cái)務(wù)官Wolfgang Breme進(jìn)行了簽約。雙方將發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，培訓(xùn)高端

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-07-04

工程師 AI SE 納米技術(shù)
傳GlobalFoundries欲在紐約州興建新芯片廠

據(jù)本周四紐約州當(dāng)?shù)氐哪趁襟w援引工會(huì)官員的話爆料稱，GlobalFoundries可能正悄悄在紐約州興建另外一所新的芯片廠(或至少是對(duì)Fab8芯片廠的規(guī)模進(jìn)行超出原計(jì)劃的擴(kuò)建)。據(jù)這位官員稱：“我們聽說GlobalFoundries正

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-27

芯片廠 GLOBALFOUNDRIES FAB 納米技術(shù)
ST通過CMP為大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)提供28納米CMOS制程

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣布，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的28納米（nm）CMOS制程開發(fā)芯片設(shè)計(jì)。雙方在上一代CM

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2011-06-27

意法半導(dǎo)體 CMOS ST 納米技術(shù)
英特爾擬斥資48億美元升級(jí)擴(kuò)建以色列芯片廠

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，以色列工業(yè)和貿(mào)易部周日稱，英特爾正計(jì)劃再一次擴(kuò)建在以色列南部的芯片廠并且要求以色列政府提供一部分資金。以色列工業(yè)和貿(mào)易部稱，英特爾計(jì)劃投入48億美元擴(kuò)建在以色列南部的Kiryat Gat市的第28芯

消費(fèi)電子
2011-06-14

芯片廠英特爾納米芯片納米技術(shù)
武漢新芯年產(chǎn)能將達(dá)4.5萬片

昨日，省科技投資集團(tuán)與中芯國(guó)際集成電路制造公司正式簽署合資合同，標(biāo)志著雙方的合作邁上新臺(tái)階：雙方將對(duì)武漢新芯集成電路制造有限公司12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目實(shí)施合資經(jīng)營(yíng)，五年內(nèi)，武漢新芯的年產(chǎn)能將擴(kuò)產(chǎn)至4.5萬片

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2011-05-13

集成電路芯片集成電路制造中芯國(guó)際納米技術(shù)
武漢新芯年產(chǎn)能將達(dá)4.5萬片

李鴻忠等出席省科投與中芯國(guó)際合資簽約武漢新芯年產(chǎn)能將達(dá)4.5萬片本報(bào)訊（記者李曉萌鄭新榮）昨日，省科技投資集團(tuán)與中芯國(guó)際集成電路制造公司正式簽署合資合同，標(biāo)志著雙方的合作邁上新臺(tái)階：雙方將對(duì)武漢

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2011-05-13

集成電路芯片集成電路制造中芯國(guó)際納米技術(shù)
臺(tái)積電稱3D晶體管技術(shù)基礎(chǔ)條件尚不成熟

臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,簡(jiǎn)稱：臺(tái)積電)周四表示，在2D芯片容量達(dá)到極限之前，公司不會(huì)啟用3D晶體管技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體，而且3D技術(shù)的基礎(chǔ)條件尚不成熟。英特爾(Intel

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-05-08

晶體管英特爾臺(tái)積電納米技術(shù)
臺(tái)積電:在2D到極限前不采用3D晶體管技術(shù)

臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TSM, 簡(jiǎn)稱：臺(tái)積電)周四表示，在2D芯片容量達(dá)到極限之前，公司不會(huì)啟用3D晶體管技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體，而且3D技術(shù)的基礎(chǔ)條件尚不成熟。英特爾(

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2011-05-05

晶體管英特爾臺(tái)積電納米技術(shù)
富士膠片旗下化妝品搶灘中國(guó)

4月27日，艾詩緹護(hù)膚品冠名中央電視臺(tái)第六屆CCTV電視節(jié)目主持人大賽，將業(yè)界的目光再次吸引到“ASTALIFT艾詩緹”，這個(gè)源自于世界500強(qiáng)企業(yè)富士膠片集團(tuán)的護(hù)膚品牌身上。很多消費(fèi)者對(duì)富士公司的認(rèn)識(shí)都源于富士

消費(fèi)電子
2011-05-03

大賽富士 TV 納米技術(shù)
中芯國(guó)際公布2010年全年業(yè)績(jī)

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中芯國(guó)際”），中國(guó)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路代工廠，日前宣布截至二零一零年十二月三十一日止年度的經(jīng)審核合并業(yè)績(jī)。摘要資料包括：銷售額由二零零九年的

消費(fèi)電子
2011-03-31

芯片設(shè)計(jì) 40納米中芯國(guó)際納米技術(shù)
新型照明技術(shù) 納米技術(shù)植物照明燈

為了減少原始用料的浪費(fèi)和環(huán)境污染，科學(xué)家們推出了一種新型照明技術(shù)，可以不必另行鋪設(shè)電源線路和架設(shè)照明燈具，而是讓街道兩旁的樹木為夜晚的街面提供光源。臺(tái)灣的蘇博士稱，給樹木注射的金納米粒子可以誘導(dǎo)植物葉

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2011-03-31

照明燈照明技術(shù) 植物照明納米技術(shù)
新型照明技術(shù) 納米技術(shù)植物照明燈

為了減少原始用料的浪費(fèi)和環(huán)境污染，科學(xué)家們推出了一種新型照明技術(shù)，可以不必另行鋪設(shè)電源線路和架設(shè)照明燈具，而是讓街道兩旁的樹木為夜晚的街面提供光源。臺(tái)灣的蘇博士稱，給樹木注射的金納米粒子可以誘導(dǎo)植物葉

顯示光電
2011-03-22

照明燈照明技術(shù) 植物照明納米技術(shù)
碳納米管塑料基底制造技術(shù)有望開創(chuàng)廉價(jià)電子產(chǎn)品新時(shí)代

日本名古屋大學(xué)的Yutaka Ohno教授、芬蘭阿爾托大學(xué)的EskoI.Kauppinen教授及其研究團(tuán)隊(duì)最近發(fā)現(xiàn)了一種新方法，可以在塑料基底上快速、簡(jiǎn)單地制造高性能薄膜晶體管，并且已經(jīng)成功利用這種新技術(shù)制造了世界上第一個(gè)由碳

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2011-02-22

電子碳納米管過濾器納米技術(shù)
中芯國(guó)際截至2010年12月31日止三個(gè)月業(yè)績(jī)公布

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司于2011年12月17日公布截至二零一零年十二月三十一日止三個(gè)月的綜合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。二零一零年第四季概要二零一零年第四季的總銷售額，由二零一零年第三季的四億一千零一十萬元上升

消費(fèi)電子
2011-02-21

WIN SHARE 中芯國(guó)際納米技術(shù)
中芯國(guó)際第四季凈利潤(rùn)6860萬美元

半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際今日發(fā)布截至2010年12月31日的第四季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，第四季度中芯國(guó)際總銷售額達(dá)到4.12億美元，同比增長(zhǎng)23.6%；股東所占凈利潤(rùn)為6857萬美元，去年同期虧損6.18億美元。第四季度，毛利率由

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2011-02-18

半導(dǎo)體晶圓中芯國(guó)際納米技術(shù)
中芯國(guó)際第四季凈利潤(rùn)6860萬美元

半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際今日發(fā)布截至2010年12月31日的第四季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，第四季度中芯國(guó)際總銷售額達(dá)到4.12億美元，同比增長(zhǎng)23.6%；股東所占凈利潤(rùn)為6857萬美元，去年同期虧損6.18億美元。第四季度，毛利率由

智能硬件
2011-02-18

半導(dǎo)體晶圓中芯國(guó)際納米技術(shù)
中芯國(guó)際第四季財(cái)報(bào)公布

半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際今日發(fā)布截至2010年12月31日的第四季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，第四季度中芯國(guó)際總銷售額達(dá)到4.12億美元，同比增長(zhǎng)23.6%;股東所占凈利潤(rùn)為6857萬美元，去年同期虧損6.18億美元。第四季度，毛利率由

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-02-18

半導(dǎo)體晶圓中芯國(guó)際納米技術(shù)
新一代半導(dǎo)體材料：輝鉬材料異軍突起

　　近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)（LANES）實(shí)驗(yàn)室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導(dǎo)體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域，將比傳統(tǒng)的

汽車電子
2011-02-11

半導(dǎo)體薄膜半導(dǎo)體材料納米技術(shù)
輝鉬材料異軍突起或成為新一代半導(dǎo)體材料

近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)（LANES）實(shí)驗(yàn)室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導(dǎo)體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒

半導(dǎo)體
2011-02-09

半導(dǎo)體薄膜半導(dǎo)體材料納米技術(shù)

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納米技術(shù)

中芯國(guó)際第二季度營(yíng)收3.5億美元同比下降6%

蘇州納米技術(shù)所與德國(guó)AIXTRON SE簽訂合作協(xié)議

傳GlobalFoundries欲在紐約州興建新芯片廠

ST通過CMP為大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)提供28納米CMOS制程

英特爾擬斥資48億美元升級(jí)擴(kuò)建以色列芯片廠

武漢新芯年產(chǎn)能將達(dá)4.5萬片

武漢新芯年產(chǎn)能將達(dá)4.5萬片

臺(tái)積電稱3D晶體管技術(shù)基礎(chǔ)條件尚不成熟

臺(tái)積電:在2D到極限前不采用3D晶體管技術(shù)

富士膠片旗下化妝品搶灘中國(guó)

中芯國(guó)際公布2010年全年業(yè)績(jī)

新型照明技術(shù) 納米技術(shù)植物照明燈

新型照明技術(shù) 納米技術(shù)植物照明燈

碳納米管塑料基底制造技術(shù)有望開創(chuàng)廉價(jià)電子產(chǎn)品新時(shí)代

中芯國(guó)際截至2010年12月31日止三個(gè)月業(yè)績(jī)公布

中芯國(guó)際第四季凈利潤(rùn)6860萬美元

中芯國(guó)際第四季凈利潤(rùn)6860萬美元

中芯國(guó)際第四季財(cái)報(bào)公布

新一代半導(dǎo)體材料：輝鉬材料異軍突起

輝鉬材料異軍突起或成為新一代半導(dǎo)體材料

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