近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)(LANES)實驗室稱,用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導(dǎo)體,或用來制造更小、能效更高的電子芯片,在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域,將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒
北京時間1月19日凌晨消息,美國芯片生產(chǎn)商英特爾-T公司周二表示,該公司將在未來兩年內(nèi)斥資27億美元,更新位于以色列南部KiryatGat的芯片制造工廠,以適應(yīng)22納米技術(shù)芯片的生產(chǎn)。其中包括以色列政府最近批準(zhǔn)的7.4億謝
人類能否發(fā)明某種裝置,像魚兒一樣敏銳感知水中的細(xì)微擾動?或者學(xué)習(xí)蝴蝶,隨著空氣中化學(xué)成分的變化更改翅膀的色彩? 歷經(jīng)幾十億年的進(jìn)化,生物界與自然的融合趨于完美。而模仿生物的特殊結(jié)構(gòu)和功能,一直是
北京時間1月19日凌晨消息,美國芯片生產(chǎn)商英特爾-T公司周二表示,該公司將在未來兩年內(nèi)斥資27億美元,更新位于以色列南部Kiryat Gat的芯片制造工廠,以適應(yīng)22納米技術(shù)芯片的生產(chǎn)。其中包括以色列政府最近批準(zhǔn)的7.4億
俄羅斯商務(wù)咨詢網(wǎng)站11月12日報道,據(jù)調(diào)查,最近幾年全球LED光源市場增長速度達(dá)到25-30%,專家預(yù)測,在未來5年,年增長速度將達(dá)到17-22%,而且這是最悲觀的預(yù)測。另外一些專家估計市場增長速度將擴(kuò)大1-2倍。與此同時,
俄羅斯商務(wù)咨詢網(wǎng)站11月12日報道,據(jù)調(diào)查,最近幾年全球LED光源市場增長速度達(dá)到25-30%,專家預(yù)測,在未來5年,年增長速度將達(dá)到17-22%,而且這是最悲觀的預(yù)測。另外一些專家估計市場增長速度將擴(kuò)大1-2倍。與此同時,在
武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會和中芯國際集成電路制造有限公司日前在武漢市東湖賓館正式簽訂合作協(xié)議,武漢方和中芯國際將通過現(xiàn)金注資的方式,對武漢新芯集成電路制造有限公司12英寸晶圓 生產(chǎn)線專桉實施合資經(jīng)營。
晶圓代工廠中芯在2010年第2季由虧轉(zhuǎn)盈后,第3季持續(xù)獲利,中芯執(zhí)行長王寧國指出,第4季展望樂觀,營收預(yù)估與第3季持平,并上修全年資本支出至7.5億~8億美元,用以擴(kuò)充65納米以下制程產(chǎn)能;中芯目前也正在加快45納米技
臺積電2010年投入高達(dá)59億美元的資本支出,擴(kuò)充先進(jìn)制程,大舉提升臺積電產(chǎn)能與技術(shù)量能,董事長張忠謀指出,在臺積電擴(kuò)大投資的第1年,已開始回收投資效益,并在45/40納米制程大幅領(lǐng)先競爭對手,未來28納米技術(shù)及產(chǎn)
昨日,內(nèi)地最大集成電路制造商中芯國際,與東湖開發(fā)區(qū)正式聯(lián)姻。中芯國際將注資45億美元,助光谷打造國內(nèi)最大高端芯片生產(chǎn)基地?! ≈行緡H是內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。早在2006年,中芯國
臺積電自2010年開始擴(kuò)大資本支出,年營收增幅就將達(dá)4成,若以美元計,年營收將達(dá)130億美元以上,增加30億美元。張忠謀指出,2010年是臺積電擴(kuò)大投資的第1年,資本投資已開始回收,預(yù)期未來成效將更顯著。張忠謀指出,
中芯國際發(fā)布第三季度財報,期內(nèi)實現(xiàn)營收4.101億美元,同比增長26.8%,環(huán)比增長7.6%;凈利潤3040萬美元,教上一季度凈利潤9600萬美元環(huán)比下跌68.3%。第三季度,中芯國際毛利率為24.5%,高于上季度的15.6%,毛利率上升
昨日,內(nèi)地最大集成電路制造商中芯國際,與東湖開發(fā)區(qū)正式聯(lián)姻。中芯國際將注資45億美元,助光谷打造國內(nèi)最大高端芯片生產(chǎn)基地。中芯國際是內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。早在2006年,中芯國際就
中芯國際 書寫集成電路中國制造 2004年底建成投產(chǎn)的中芯國際集成電路制造(北京)有限公司擁有我國第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線,不過在2008年,他們就遭遇了半導(dǎo)體市場的寒冬。為了改善效益,從2008年第二季度開始,
臺積電2010年投入高達(dá)59億美元的資本支出,擴(kuò)充先進(jìn)制程,大舉提升臺積電產(chǎn)能與技術(shù)量能,董事長張忠謀指出,在臺積電擴(kuò)大投資的第1年,已開始回收投資效益,并在45/40納米制程大幅領(lǐng)先競爭對手,未來28納米技術(shù)及產(chǎn)
武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會和中芯國際集成電路制造有限公司日前在武漢市東湖賓館正式簽訂合作協(xié)議,武漢方和中芯國際將通過現(xiàn)金注資的方式,對武漢新芯集成電路制造有限公司12英寸晶圓 生產(chǎn)線專桉實施合資經(jīng)營。
? 臺積電2010年投入高達(dá)59億美元的資本支出,擴(kuò)充先進(jìn)制程,大舉提升臺積電產(chǎn)能與技術(shù)量能,董事長張忠謀指出,在臺積電擴(kuò)大投資的第1年,已開始回收投資效益,并在45/40納米制程大幅領(lǐng)先競爭對手,未來28納米技術(shù)及
東湖高新區(qū)管委會與中芯國際集成電路制造有限公司簽訂合作協(xié)議,中芯國際兩年內(nèi)將向武漢新芯集成電路制造有限公司注資10億美元現(xiàn)金,雙方合資生產(chǎn)世界最先進(jìn)的12英寸集成電路芯片。 中國工程院院長周濟(jì)院士,省委副書
武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會和中芯國際集成電路制造有限公司日前在武漢市東湖賓館正式簽訂合作協(xié)議,武漢方和中芯國際將通過現(xiàn)金注資的方式,對武漢新芯集成電路制造有限公司12英寸晶圓 生產(chǎn)線專桉實施合資經(jīng)營。
北京時間10月29日消息,據(jù)路透社引述日經(jīng)新聞報道指出,英特爾、東芝及三星電子將攜手共同研發(fā)10納米技術(shù),初期研發(fā)資金約100億日元(約合8.2648億元人民幣)。 報道指出,三家公司有意組建一家新集團(tuán),同時廣