4年前實(shí)驗(yàn)室人員的一個(gè)疏忽,卻導(dǎo)致了一個(gè)意外發(fā)現(xiàn),最終成就了一個(gè)世界首創(chuàng)的工藝。最近,天津大學(xué)材料學(xué)院量子點(diǎn)材料與器件研究組開發(fā)出了環(huán)保高 效的單分散量子點(diǎn)合成新工藝,成果發(fā)表在《Nature Communications》
4年前實(shí)驗(yàn)室人員的一個(gè)疏忽,卻導(dǎo)致了一個(gè)意外發(fā)現(xiàn),最終成就了一個(gè)世界首創(chuàng)的工藝。最近,天津大學(xué)材料學(xué)院量子點(diǎn)材料與器件研究組開發(fā)出了環(huán)保高 效的單分散量子點(diǎn)合成新工藝,成果發(fā)表在《Nature Communications》
TI 納米級定時(shí)器可延長電池供電及能量采集系統(tǒng)的工作時(shí)間21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出兩款能顯著降低系統(tǒng)待機(jī)功耗的可編程系統(tǒng)定時(shí)器。支持看門狗定時(shí)器的 TPL5000
電子簽名、指紋掃描、以及機(jī)器人觸感皮膚之間有什么共同點(diǎn)?得益于一套能將氧化鋅納米線陣列轉(zhuǎn)化成微型LED的新系統(tǒng),這三種技術(shù)或?qū)⒑芸毂煌七M(jìn)。每根"線"會(huì)用發(fā)亮的方式來響應(yīng)外部施加的機(jī)械壓力,通過分析微小的"光
導(dǎo)語:相比于機(jī)械硬盤,光盤技術(shù)的發(fā)展更加遲緩,甚至已經(jīng)基本停滯,不過澳大利亞墨爾本市斯溫伯爾尼理工大學(xué)(Swinburne University)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)宣稱已經(jīng)超越了光盤存儲的基本法則,可以實(shí)現(xiàn)PB級別(1000
相比于機(jī)械硬盤,光盤技術(shù)的發(fā)展更加遲緩,甚至已經(jīng)基本停滯,不過澳大利亞墨爾本市斯溫伯爾尼理工大學(xué)(Swinburne University)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)宣稱已經(jīng)超越了光盤存儲的基本法則,可以實(shí)現(xiàn)PB級別(1000TB)的光盤存儲。該校
一個(gè)由美國密歇根大學(xué)等單位研究人員組成的國際小組開發(fā)出一種納米級的“溫度計(jì)”,能從原子尺度測量熱散逸,并首次建立了一種框架,來解釋納米級系統(tǒng)的熱散逸現(xiàn)象。這一成果為開發(fā)體積更小、功能更強(qiáng)的電
一個(gè)由美國密歇根大學(xué)等單位研究人員組成的國際小組開發(fā)出一種納米級的“溫度計(jì)”,能從原子尺度測量熱散逸,并首次建立了一種框架,來解釋納米級系統(tǒng)的熱散逸現(xiàn)象。這一成果為開發(fā)體積更小、功能更強(qiáng)的電
近日,長春理工大學(xué)12名師生正在研制機(jī)器人微納米操縱系統(tǒng),它可以對細(xì)胞和微納米級的物體進(jìn)行操作。無塵實(shí)驗(yàn)室里,在一個(gè)角落看到一臺高40厘米,與顯微鏡相似的黑色機(jī)械。它的“腳”被固定在氣浮平臺上,“手臂”垂
移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)開啟了人們對于智能手機(jī)的全新體驗(yàn)時(shí)代,現(xiàn)如今,手機(jī)不再是通信工具,而成為集合娛樂、社交、通信以及定位等多種功能的多媒體終端。但是,大容量的互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)和24小時(shí)聯(lián)網(wǎng)在線也耗費(fèi)了手機(jī)電池中絕大部分
日前,記者從中國科大獲悉,郭光燦院士領(lǐng)導(dǎo)的中科院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室孫方穩(wěn)研究組,日前在國際上首次利用量子統(tǒng)計(jì)測量技術(shù),實(shí)現(xiàn)不受傳統(tǒng)光學(xué)散射極限限制的相鄰發(fā)光物體的測量與分辨,其精度可達(dá)納米量級。研究成
全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)日前宣布,Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗(yàn)證。為了擴(kuò)大在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取
首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)方案在28納米級芯片上獲驗(yàn)證
很長時(shí)間以來,科研人員以及開發(fā)人一直希望能用鋰空氣電池代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鋰離子電池,因?yàn)殇嚳諝怆姵氐男铍娔芰Ρ刃阅茏詈玫匿囯x子電池都要高出10倍以上,但是由于鋰空氣電池內(nèi)
三星電子繼2010年12月成功研發(fā)出業(yè)內(nèi)首款30納米級2GB DDR4模塊后,又在今年6月針對CPU廠商及控制器廠商推出了高性能16GB和8GB的DDR4 RDIMM模塊,把超高速DRAM應(yīng)用成功地延伸至服務(wù)器領(lǐng)域。 該模塊的運(yùn)行
半導(dǎo)體廠商三星電子近日宣布將推出全球首款30納米級4GB DDR4服務(wù)器DRAM模塊。三星電子繼2010年12月成功研發(fā)出業(yè)內(nèi)首款30納米級2GB DDR4模塊后,又在今年6月針對CPU廠商及控制器廠商推出了高性能16GB和8GB的DDR4 RDIM
半導(dǎo)體廠商三星電子近日宣布將推出全球首款30納米級4GB DDR4服務(wù)器DRAM模塊。三星電子繼2010年12月成功研發(fā)出業(yè)內(nèi)首款30納米級2GB DDR4模塊后,又在今年6月針對CPU廠商及控制器廠商推出了高性能16GB和8GB的DDR4 RDIM
化學(xué)Ni/Au(ENIG)、化學(xué)鍍錫、化學(xué)鍍銀、化學(xué)鍍Ni/Pd/Au(ENEPIG)和有機(jī)可焊性保護(hù)劑(OSP)等PCB可焊性表面涂(鍍)覆層不是納米級的表面涂(鍍)覆材料,它們的表面涂覆厚度都在300nm(0.3um)以上。而新開發(fā)的有機(jī)金屬OM(Or
日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產(chǎn)20納米級工藝的4GbLPDDR2DRAM,旨在全面擴(kuò)大其4GbDRAM市場。三星電子繼2012年3月開始批量生產(chǎn)20納米級8GBDDR3筆記本電腦模塊,4月又開始批量生產(chǎn)20納米級4GbLPDDR2DRAM,從而
日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產(chǎn)20納米級(1納米=10億分之一米)工藝的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM,旨在全面擴(kuò)大其4Gb DRAM市場。三星電子為滿足消費(fèi)者的需求,繼2012年3月開始批量生產(chǎn)20納