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英特爾美光推20納米級(jí)NAND芯片 下半年量產(chǎn)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光周四推出一種新型閃存存儲(chǔ)制造技術(shù)，這一技術(shù)使電子存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)更加密集化，有利于縮小產(chǎn)品占據(jù)的空間。此款20納米級(jí)的 NAND芯片產(chǎn)品估計(jì)可在今年下半年大量生產(chǎn)。英特爾和美光曾經(jīng)合
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英科學(xué)家成功研制納米級(jí)光學(xué)顯微鏡
英國(guó)和新加坡研究人員1日?qǐng)?bào)告說(shuō)，他們制造出能夠觀測(cè)50納米大小物體的光學(xué)顯微鏡，這是迄今觀測(cè)能力最強(qiáng)的光學(xué)顯微鏡，也是世界上第一個(gè)能在普通白光照明下直接觀測(cè)納米級(jí)物體的光學(xué)顯微鏡。 英國(guó)曼徹斯特大學(xué)
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海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程
海力士緊跟三星電子之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開(kāi)發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季
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海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程
海力士(Hynix)緊跟三星電子(SamsungElectronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開(kāi)發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4G
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美研發(fā)出測(cè)量納米級(jí)材料相互作用的探針
本報(bào)華盛頓11月17日電（記者毛黎）美國(guó)加州大學(xué)洛杉磯分校17日表示，該校納米系統(tǒng)科學(xué)主任保羅·維斯領(lǐng)導(dǎo)的研究小組開(kāi)發(fā)出了研究納米級(jí)材料相互作用的工具——雙掃描隧道顯微和微波頻率探針，可用于測(cè)量單個(gè)分子和接
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新型納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量技術(shù)
納米級(jí)電氣特性研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會(huì)引起材料的
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IBM研發(fā)出全球最小3D地圖：一粒鹽包容千張圖
據(jù)報(bào)道，IBM科學(xué)家近日研發(fā)出了世界上最小的3D地圖。到底有多小呢？生活中的一顆鹽粒就能包含1000幅這樣的地圖。 該3D地圖基于高分子聚合物表面的大小為22 X 11微米，包含50萬(wàn)個(gè)像素，每個(gè)像素的面積為20平方納米。生
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新型納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量的新技術(shù)
納米級(jí)電氣特性 研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會(huì)引起
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新型納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量的新技術(shù)
納米級(jí)電氣特性 研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會(huì)引起
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英特爾、Micron聯(lián)手，志重奪NAND工藝領(lǐng)先地位
英特爾和Micron正在NAND工藝技術(shù)之戰(zhàn)中爭(zhēng)取領(lǐng)先地位。在近期的電話(huà)會(huì)議上，Micron宣布自己的20納米級(jí)別NAND產(chǎn)品將在很短時(shí)間內(nèi)出樣。Micron沒(méi)有指明具體的工藝，很多人預(yù)期他們將在2010年年初公布更多細(xì)節(jié)。 預(yù)計(jì)Mic
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借力納米“升壓轉(zhuǎn)換器”，樹(shù)木能源研究獲進(jìn)展
樹(shù)木可以作為電源，但它們的電壓過(guò)低，無(wú)法為常規(guī)電池充電。位于西雅圖的華盛頓大學(xué)研究人員近期演示了一個(gè)納米級(jí)的“升壓轉(zhuǎn)換器”，發(fā)掘了樹(shù)木生成的超低壓電勢(shì)。 “納米級(jí)不僅僅是指體積，同時(shí)代表能量與電力的消耗
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科學(xué)家利用DNA技術(shù)催生新一代納米級(jí)芯片，兼顧功率與成本（圖）
IBM與美國(guó)加州理工學(xué)院(California Institute of Technology)的研究人員，正合作利用DNA來(lái)將碳納米管、硅納米線(xiàn)(nanowires)等微小零組件，組裝成比現(xiàn)今微影技術(shù)可達(dá)到的尺寸小十倍的電路。這種技術(shù)并可望催生速度更快
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，有望挺進(jìn)10納米級(jí)
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，人們普遍對(duì)該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說(shuō)，NAND供貨商在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來(lái)得長(zhǎng)。當(dāng)然，
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，挺進(jìn)10納米級(jí)有望
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，人們普遍對(duì)該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說(shuō)，NAND供貨商在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來(lái)得長(zhǎng)。當(dāng)然，
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全球領(lǐng)先的50納米級(jí)技術(shù)將在無(wú)錫海力士全面推廣
世界領(lǐng)先的50納米級(jí)技術(shù)將在無(wú)錫海力士生產(chǎn)線(xiàn)中廣泛推廣使用；到年底，無(wú)錫海力士的一半晶圓產(chǎn)品有望使用這項(xiàng)技術(shù)生產(chǎn)。 在晶圓生產(chǎn)中使用的50納米級(jí)技術(shù)，比起現(xiàn)在廣泛采用的60、70納米級(jí)技術(shù)，使用的硅材料更少，
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納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量的新技術(shù)的研究
納米級(jí)電氣特性研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會(huì)引起材料的
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納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量的新技術(shù)
納米級(jí)電氣特性 研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會(huì)引起材料
