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英科學(xué)家成功研制納米級光學(xué)顯微鏡
英國和新加坡研究人員1日報(bào)告說，他們制造出能夠觀測50納米大小物體的光學(xué)顯微鏡，這是迄今觀測能力最強(qiáng)的光學(xué)顯微鏡，也是世界上第一個(gè)能在普通白光照明下直接觀測納米級物體的光學(xué)顯微鏡。 英國曼徹斯特大學(xué)
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海力士導(dǎo)入30納米級DRAM制程
海力士緊跟三星電子之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季
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海力士導(dǎo)入30納米級DRAM制程
海力士(Hynix)緊跟三星電子(SamsungElectronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4G
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美研發(fā)出測量納米級材料相互作用的探針
本報(bào)華盛頓11月17日電（記者毛黎）美國加州大學(xué)洛杉磯分校17日表示，該校納米系統(tǒng)科學(xué)主任保羅·維斯領(lǐng)導(dǎo)的研究小組開發(fā)出了研究納米級材料相互作用的工具——雙掃描隧道顯微和微波頻率探針，可用于測量單個(gè)分子和接
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新型納米級電接觸電阻測量技術(shù)
納米級電氣特性研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會引起材料的
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IBM研發(fā)出全球最小3D地圖：一粒鹽包容千張圖
據(jù)報(bào)道，IBM科學(xué)家近日研發(fā)出了世界上最小的3D地圖。到底有多小呢？生活中的一顆鹽粒就能包含1000幅這樣的地圖。 該3D地圖基于高分子聚合物表面的大小為22 X 11微米，包含50萬個(gè)像素，每個(gè)像素的面積為20平方納米。生
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新型納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)
納米級電氣特性 研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會引起
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新型納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)
納米級電氣特性 研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會引起
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英特爾、Micron聯(lián)手，志重奪NAND工藝領(lǐng)先地位
英特爾和Micron正在NAND工藝技術(shù)之戰(zhàn)中爭取領(lǐng)先地位。在近期的電話會議上，Micron宣布自己的20納米級別NAND產(chǎn)品將在很短時(shí)間內(nèi)出樣。Micron沒有指明具體的工藝，很多人預(yù)期他們將在2010年年初公布更多細(xì)節(jié)。 預(yù)計(jì)Mic
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借力納米“升壓轉(zhuǎn)換器”，樹木能源研究獲進(jìn)展
樹木可以作為電源，但它們的電壓過低，無法為常規(guī)電池充電。位于西雅圖的華盛頓大學(xué)研究人員近期演示了一個(gè)納米級的“升壓轉(zhuǎn)換器”，發(fā)掘了樹木生成的超低壓電勢。 “納米級不僅僅是指體積，同時(shí)代表能量與電力的消耗
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科學(xué)家利用DNA技術(shù)催生新一代納米級芯片，兼顧功率與成本（圖）
IBM與美國加州理工學(xué)院(California Institute of Technology)的研究人員，正合作利用DNA來將碳納米管、硅納米線(nanowires)等微小零組件，組裝成比現(xiàn)今微影技術(shù)可達(dá)到的尺寸小十倍的電路。這種技術(shù)并可望催生速度更快
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，有望挺進(jìn)10納米級
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然，
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，挺進(jìn)10納米級有望
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然，
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全球領(lǐng)先的50納米級技術(shù)將在無錫海力士全面推廣
世界領(lǐng)先的50納米級技術(shù)將在無錫海力士生產(chǎn)線中廣泛推廣使用；到年底，無錫海力士的一半晶圓產(chǎn)品有望使用這項(xiàng)技術(shù)生產(chǎn)。 在晶圓生產(chǎn)中使用的50納米級技術(shù)，比起現(xiàn)在廣泛采用的60、70納米級技術(shù)，使用的硅材料更少，
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納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)的研究
納米級電氣特性研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會引起材料的
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納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)
納米級電氣特性 研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會引起材料
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納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)
納米級電氣特性 研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會引起材料
