MIM單元結構及通信機理

MIM是由金屬、絕緣體、金屬三層薄膜組成的夾心結構。用于液晶顯示的MIM結構如圖1所示，主要有兩種： (1)圖1(a)是比較常見的“T”形結構。這種結構的工藝過 程比較簡單，早期研制的MIM基本是這種形式。但這

可用絕緣體觸控的投射電容式面板正式問世

投射電容式觸控技術自從被 iPhone采用之后，其不延遲的操作感與多點觸控的優(yōu)勢，很快便引起市場的關注。只不過，投射電容式觸控的優(yōu)點，也正是他的缺點。與電阻式比較，會發(fā)現(xiàn)投射電容式觸控只能使用人體皮膚或特

電力變壓器固體絕緣故障診斷

當變壓器內(nèi)部故障涉及固體絕緣時，無論故障的性質(zhì)如何，通常認為是相當嚴重的。因為一旦固體材料的絕緣性能受到破壞，很可能進一步發(fā)展成主絕緣或縱絕緣的擊穿事故。所以纖維材料劣化引起的影響在故障診斷中格外受到

從接線端子基礎知識看接線端子未來發(fā)展

隨著端子產(chǎn)品在接線領域的使用日益頻繁，越來越多的用戶對其提出了更多的要求。為此，端子的結構和接線方式發(fā)生了很大的變化，由最初的單一結構變化延伸出多種接線結構，分門別類，適合各種接線環(huán)境，極大的方便了我

英首次將石墨烯變成絕緣體 有望替代硅芯片

據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)10月10日（北京時間）報道，英國曼徹斯特大學的科學家們在《自然·物理學》上撰文，描述了他們用兩塊硝酸硼和兩塊石墨烯組裝成一個“巨無霸漢堡”，這是科學家們首次將石墨烯變成絕緣體，這個“

懷“下五洋捉鱉”豪情，載人潛水器“中國蛟龍”起航

昨日，中國載人潛水器“蛟龍?zhí)枴彪S著“向陽紅09”母船一聲汽笛長鳴，從江蘇蘇南國際碼頭起航起航，未來47天，它將載著中國人“上九天攬月、下五洋捉鱉、攀登科學高峰、探索深海奧妙”的科學夢想奔赴東北太平洋，潛向

雨季汽車也會自燃，了解汽車自燃前征兆

夏季的到來，很多人都在擔心自己的愛車會不會受不了高溫而自燃。但如果夏季下了雨，車主們便松了口氣，覺得雨季汽車就不用擔心自燃了。如果你這么想，那就大錯特錯了。雨季也要提防汽車自燃，而且，應該掌握些汽車自

半導體材料標準工作會議將在青海召開

2011年9月6日-9日將在青海省西寧市遠東大酒店召開半導體材料標準工作會。會議將對二十三項半導體材料標準進行審定、預審、任務落實。會議將對二十三項半導體材料標準進行審定、預審、任務落實。《鍺單位產(chǎn)品能源消耗

全球LED照明產(chǎn)品驅(qū)動電源的發(fā)展趨勢

1、背景： LED半導體照明作為一種新型的行業(yè)領域，現(xiàn)行認證的引用標準已不能滿足快速的發(fā)展趨勢。2009年11月18日UL發(fā)布的第一版UL870為業(yè)界提供了一個的用于LED發(fā)光器件為光源的燈具安規(guī)標準。在UL8750中規(guī)定電源模塊

廣東抽查手機充電器60款，僅3款合格

手機已經(jīng)成為人們生活或不可缺的一部分，但小小的充電器，可是真讓人頭痛。近日，廣東省工商局對廣東市場上流通的手機充電器進行抽查。但抽查的結果讓人大跌眼鏡，60款手機充電器只有3款合格，合格率不到1成。此外，

艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應用

艾克賽利（Accelicon），器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術領導者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會（2011 IEEE International SOI Conference），并在會

高壓LED基本結構及關鍵技術分解

隨著LED應用的升級，市場對于LED的需求，也朝更大功率及更高亮度的方向發(fā)展，對于高功率LED的設計，目前各大廠多以大尺寸單顆低壓DC LED為主，做法有二，一為傳統(tǒng)水平結構，另一則為垂直導電結構。

“80后女孩考上副局長”何以質(zhì)疑不多

　1984年出生的唐莉，在基層做了3年教師后，考上紅安縣教育局副局長的崗位。去年11月，筆試、面試、綜合成績都排第一名的唐莉，經(jīng)公示后就任紅安縣教育局副局長，成為“班子”中最年輕的成員，分管職業(yè)教育

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記歷史上烏魯木齊首次變電站帶電檢修

7月13日是烏魯木齊入夏以來最熱的一天。上午11時30分，烈日當頭。位于烏魯木齊騎馬山地區(qū)的烏魯木齊電業(yè)局老滿城220千伏變電站內(nèi)，電業(yè)局總工程師張偉奎和該局變電運行工區(qū)、變電檢修工區(qū)、輸電運檢工區(qū)的35名搶修人

可在同一真空下形成所有high-k積層膜，AMAT投產(chǎn)新型ALD裝置

美國應用材料公司（AMAT）目前已開始投產(chǎn)用于22nm邏輯IC的柵極絕緣膜ALD（atomic layer deposition）裝置“Centura Integrated Gate Stack”。該裝置的特點是可在同一真空環(huán)境下形成所有高介電率柵極絕緣膜（high-

通用變頻器的絕緣測試

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相對介電常數(shù)2.2、強度為2倍！AMAT發(fā)布第3代low-k膜專用裝置

美國應用材料（AMAT）發(fā)布了可形成適用于22nm～14nm邏輯IC的低介電率（low-k）層間絕緣膜的兩款制造裝置。分別是成膜裝置“Producer Black Diamond 3”和紫外線（UV）固化裝置“Producer Nanocure 3”。 由發(fā)