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如果你不理解為啥美光在存儲(chǔ)行業(yè)潛力巨大，那就來看看吧
在最近結(jié)束的一次對(duì)美光CFO Ernie Maddock的采訪中，他曾多次提到了關(guān)于“C”的觀點(diǎn)。所以，我們現(xiàn)在簡單整理一下這篇文章的論點(diǎn)。以便我們能夠從中獲取更多有價(jià)值的信息。具體而言，這篇文章主要是關(guān)于存儲(chǔ)行業(yè)的循環(huán)周期和盈利的觀點(diǎn)。
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美光計(jì)劃斥資20億美在廣島量產(chǎn)新世代DRAM
據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，美光科技計(jì)劃未來二至三年斥資20億美元，在位在日本廣島的工廠量產(chǎn)主要應(yīng)用在智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和自駕車的新世代DRAM。報(bào)導(dǎo)指出，美光已在這座廠房內(nèi)增設(shè)
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最大NOR Flash制造商美光/Cypress為啥在減量
繼美光后，全球第二大NOR Flash制造廠Cypress也在財(cái)報(bào)發(fā)布會(huì)上釋出將淡出中低容量的NOR Flash市場(chǎng)，專注高容量的車用和工規(guī)領(lǐng)域的消息，加上蘋果明年新手機(jī)全數(shù)導(dǎo)入OLED面板，同步得搭載NOR芯片維持手機(jī)色彩飽和度，明年缺口持續(xù)擴(kuò)大。
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打造臺(tái)灣DRAM中心 美光27億買下達(dá)鴻廠房
美光昨日以新臺(tái)幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達(dá)鴻臺(tái)中廠房。美光表示，標(biāo)下的臺(tái)中廠房未來將用于DRAM先進(jìn)封測(cè)技術(shù)發(fā)展，與美光中科及華亞科廠房進(jìn)行資源整合，打造中國臺(tái)灣地區(qū)DRAM中心。
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內(nèi)存、閃存漲勢(shì)一片大好，美光今年要賺更多錢了
從去年下半年到現(xiàn)在，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格就一直在上漲中，而且漲幅很猛，動(dòng)不動(dòng)就是20%、30%地漲，今年Q1季度還沒過完，DRAM內(nèi)存累計(jì)漲幅就有40%了，“漲勢(shì)一片大好”，以致于美光都不得不修正Q2財(cái)報(bào)預(yù)期，這個(gè)季度要賺更多的錢了。
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美光良心!強(qiáng)力擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能：內(nèi)存降價(jià)福音
內(nèi)存和SSD從去年中旬到今年連續(xù)漲價(jià)，最夸張的局面是，一塊SATA 3的固態(tài)盤，如今甚至要多花一倍的錢。
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美光追趕三星，擴(kuò)大在臺(tái)投資加快先進(jìn)制程布局
美國內(nèi)存大廠美光(Micron)合并華亞科技后，中國臺(tái)灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo)，并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進(jìn)制程腳步，去年及今年總計(jì)投資 20 億美元，將臺(tái)中廠(原瑞晶)的制程提升至 1x 納米，另外，集團(tuán)今年也將在中國臺(tái)灣地區(qū)擴(kuò)大招募 1,000 名員工，要在先進(jìn)制程技術(shù)上加快布局進(jìn)度以趕上三星。
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美光計(jì)劃出售 NOR Flash 業(yè)務(wù) 點(diǎn)名華邦電接手
近年來，企業(yè)加速整合并購，有一些企業(yè)也自我斷臂修整，以讓關(guān)鍵業(yè)務(wù)盈利能力更強(qiáng)，由于經(jīng)濟(jì)效益不明顯，美光計(jì)劃出售Nor Flash業(yè)務(wù)，全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根據(jù)
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終于等到你：美光GDDR6顯存規(guī)格敲定
業(yè)界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年，當(dāng)時(shí)的說法是2014年就將啟動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)制定，但GDDR5之后A/N兩家先后用上了HBM和GDDR5X，也不見GDDR6的蹤影。據(jù)外媒報(bào)道，繼三星之后，美光也談及了自己未來的存儲(chǔ)規(guī)劃，其中就涉及GDDR6顯存。美光計(jì)劃今年底將GDDR5的制程工藝從20nm推進(jìn)到1Xnm，預(yù)計(jì)是16nm。同時(shí)，他們表示G5X顯存的需求將迎來增長，考慮到市面僅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用，不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500顯卡將會(huì)采用。
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64層堆棧美光3D NAND閃存已在路上，小伙伴們期待么?
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
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美光科技調(diào)查顯示，基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型是應(yīng)對(duì)大數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)的最佳方法
美光科技有限公司近期委托Spiceworks對(duì)美國155位IT決策者進(jìn)行了關(guān)于大數(shù)據(jù)的調(diào)查，調(diào)查顯示：數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的量每兩年就會(huì)增加一倍，而我們大約只分析了全部數(shù)據(jù)的0.5%。我們收集的數(shù)據(jù)越多，這一比例就越小。
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DRAM頹勢(shì)，美光收購華亞科恐生變數(shù)
最近幾年半導(dǎo)體行業(yè)可謂是風(fēng)云變幻，并購案一波未平一波又起。美光本來應(yīng)該在2016年7月底完成對(duì)華亞科的收購，但卻宣布無法在預(yù)定時(shí)間內(nèi)完成收購，一時(shí)讓市場(chǎng)紛紛猜測(cè)美光收購華亞科項(xiàng)目恐生變數(shù)。
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美光打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)，3D NAND將出爐
記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大
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3D NAND大戰(zhàn)：美光奮起直追，三星直冒冷汗
報(bào)告稱，英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應(yīng)該很快就會(huì)上市。估計(jì)第3、4季3D NAND產(chǎn)品將會(huì)大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒，東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
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美光科技推出適用于下一代智能手機(jī)的移動(dòng) 3D NAND 解決方案
美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)今日推出了首項(xiàng)適用于移動(dòng)設(shè)備的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。
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美光處境不妙，被英特爾并購是互利互惠還是雪上加霜？
目前全球DRAM市場(chǎng)主要由三星、SK海力士和美光所壟斷，三家企業(yè)占有超過九成的市場(chǎng)份額，不過份額正在往三星和SK海力士兩家韓國企業(yè)集中，而美光的市場(chǎng)份額出現(xiàn)下降勢(shì)頭。不禁讓業(yè)界為其擔(dān)憂。
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雪上加霜！美光虧損，再陷DRAM巨變風(fēng)波
過去三、四年來，DRAM市場(chǎng)主要由三星電子、SK海力士與美光所壟斷，三巨頭在全球的合并市占率達(dá)90%，但情勢(shì)可能改變。在DRAM市場(chǎng)景氣不佳的局面下，排行第三的美光則開始虧損。
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收購美商美光失敗，清華紫光轉(zhuǎn)戰(zhàn)國內(nèi)廠商武漢新芯
據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)知情人士透露，中國兩大先進(jìn)內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠已在政府引導(dǎo)下合并在一起，以期強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，打造出實(shí)力更強(qiáng)的技術(shù)公司，縮小與西方國家在技術(shù)上的差距。據(jù)稱，一直活躍在海外半導(dǎo)體投資領(lǐng)域的清華紫光集團(tuán)已
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DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌 美光營收下滑
不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇
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三星18納米DRAM投產(chǎn) 海力士、美光面臨更大壓力
三星電子(Samsung Electronics)開始量產(chǎn)18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世
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