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聯(lián)電2010年財(cái)報(bào)
鄭茜文 聯(lián)電2010年全年總出貨為約當(dāng)8吋晶圓452.2萬(wàn)片，營(yíng)收為1204.3億元，獲利 239 億元，每股盈余1.91 元，營(yíng)收獲利雙創(chuàng)新高。 從制程比重來(lái)看，0.5微米以上制程占營(yíng)收比重5%，0.25/0.35微米制程占12%，0.15/0.
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擴(kuò)充先進(jìn)制程 聯(lián)電今年資本支出18億美元
鄭茜文／臺(tái)北 為擴(kuò)充40奈米與28奈米先進(jìn)制程產(chǎn)能，聯(lián)電宣布2011年資本支出將達(dá)約18億美元，與2010年相當(dāng)，聯(lián)電預(yù)估，2011年12吋產(chǎn)能將增加25%，65奈米制程全年?duì)I收比重將提升至40%左右，40奈米制程下半年將提升到10%
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聯(lián)電去年EPS 1.91元 本季營(yíng)收估下滑12~14%
鄭茜文／臺(tái)北 聯(lián)電公布2010年第4季財(cái)報(bào)，整季的營(yíng)收下滑4.1%，然稅后凈利達(dá)新臺(tái)幣64.2億元，累計(jì)聯(lián)電2010全年獲利達(dá)238.99億元，年成長(zhǎng)5.16倍，每股稅后盈余1.91元。展望2011年，由于支援客戶產(chǎn)品和技術(shù)轉(zhuǎn)換需求，聯(lián)
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聯(lián)電下半年 40/45奈米比重達(dá)1成
聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉看好今年40/45奈米制程技術(shù)業(yè)績(jī)可望逐季攀高，預(yù)期下半年?duì)I收比重可望達(dá)1成水準(zhǔn)。聯(lián)電今年資本支出將約18億美元，40奈米將是擴(kuò)充重點(diǎn)。晶圓代工廠聯(lián)電今天召開(kāi)法人說(shuō)明會(huì)，孫世偉表示，去年聯(lián)電65奈
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聯(lián)電估Q1出貨季減1%至3%
受新臺(tái)幣升值及部份客戶產(chǎn)品與技術(shù)轉(zhuǎn)換影響，晶圓代工廠聯(lián)電預(yù)期，第1季出貨量恐將季減1%至3%，產(chǎn)品平均銷(xiāo)售價(jià)格也將較去年第4季下滑4%至6%。聯(lián)電今天召開(kāi)法人說(shuō)明會(huì)，由執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉主持；孫世偉表示，全球金融海嘯
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聯(lián)電2010年EPS 1.91元 營(yíng)收出貨雙創(chuàng)新高 毛利率30%
聯(lián)電(2303-TW)今(26)日公布去(2010)年第4季財(cái)務(wù)報(bào)告，營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣313.2億元，與上季的326.5億元相比減少4.1%，年增達(dá)12.9%；毛利率為32.1%，營(yíng)業(yè)凈利率21.1%，稅后凈利64.2億元，每股普通股獲利為新臺(tái)幣0.52 元
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庫(kù)存利空 晶圓雙雄拉回可布局
晶圓代工龍頭臺(tái)積電與聯(lián)電，未來(lái)二天將舉辦法說(shuō)會(huì)，在此同時(shí)，全球半導(dǎo)體廠財(cái)測(cè)已提前出爐，類(lèi)比IC大廠德州儀器第四季盡管獲利大增44％，但由于存貨水準(zhǔn)明顯走高，德儀周一盤(pán)后股價(jià)明顯下挫，凱基證券認(rèn)為，投資人可
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庫(kù)存利空 晶圓雙雄拉回可布局
晶圓代工龍頭臺(tái)積電與聯(lián)電，未來(lái)二天將舉辦法說(shuō)會(huì)，在此同時(shí)，全球半導(dǎo)體廠財(cái)測(cè)已提前出爐，類(lèi)比IC大廠德州儀器第四季盡管獲利大增44％，但由于存貨水準(zhǔn)明顯走高，德儀周一盤(pán)后股價(jià)明顯下挫，凱基證券認(rèn)為，投資人可
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聯(lián)電預(yù)計(jì)1月26日舉行99年度第四季法說(shuō)
聯(lián)電預(yù)計(jì)1月26日 (星期三)下午二時(shí)，假臺(tái)北市敦化南路二段遠(yuǎn)企2樓，舉辦2010年第四季營(yíng)運(yùn)結(jié)果法人說(shuō)明會(huì)。
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聯(lián)電盤(pán)后鉅額交易 成交2,689萬(wàn)元
聯(lián)電（2303）盤(pán)后股票配對(duì)鉅額交易成交153.7萬(wàn)股，成交總金額為2,689萬(wàn)多元。證交所表示，聯(lián)電鉅額交易方式為單一證券配對(duì)交易，成交153.7萬(wàn)股，每股成交價(jià)格17.5元，成交金額2,689萬(wàn)多元。
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全球晶圓今年?duì)I收要增14%
超微與阿布達(dá)米創(chuàng)投旗下的全球晶圓（Globalfoundries）預(yù)計(jì)今年?duì)I收成長(zhǎng)率上看14.28%，目標(biāo)超越聯(lián)電。在本周晶圓雙雄法說(shuō)之前，提前釋出今年展望，挑戰(zhàn)雙雄意味濃厚。聯(lián)電26日率先揭開(kāi)晶圓代工法說(shuō)序幕。臺(tái)積電27日接
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全球晶圓 今年?duì)I收要增14%
超微與阿布達(dá)米創(chuàng)投旗下的全球晶圓（Globalfoundries）預(yù)計(jì)今年?duì)I收成長(zhǎng)率上看14.28%，目標(biāo)超越聯(lián)電。在本周晶圓雙雄法說(shuō)之前，提前釋出今年展望，挑戰(zhàn)雙雄意味濃厚。聯(lián)電26日率先揭開(kāi)晶圓代工法說(shuō)序幕。臺(tái)積電27日接
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三星欲與代工老大臺(tái)積電“比肩”
市場(chǎng)研究公司IC Insights最新出具的2010年全球晶圓代工企業(yè)排名中，臺(tái)積電全年收入依舊位列全球第1，三星電子僅列全球第10。根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，三星2010年的晶圓代工業(yè)務(wù)收入達(dá)到4億美元，較2009年增長(zhǎng)38%,位居
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先探／謝金河：臺(tái)積電市值突破2兆的新啟發(fā)
半導(dǎo)體類(lèi)股在二○一○是休生養(yǎng)息的一年，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)在金融海嘯后跌到一六七．五五，到了去年九月才翻空為多，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)從三○五．七九一直漲到四五一．七三，漲幅達(dá)四九．七一，終于帶起臺(tái)灣半導(dǎo)體股的股價(jià)
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中國(guó)大陸晶圓代工價(jià)格便宜 IDM考慮轉(zhuǎn)向
為降低成本，集成元件大廠(IntegratedDeviceManufacturer；IDM)委外代工已成既定趨勢(shì)，然隨著大陸市場(chǎng)崛起，以及大陸本土晶圓代工廠實(shí)力逐漸增強(qiáng)，加上價(jià)格較為便宜，IDM未來(lái)恐進(jìn)一步將委外訂單釋出給大陸晶圓代工廠
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中國(guó)大陸晶圓代工價(jià)格便宜 將威脅臺(tái)積電訂單
為降低成本，集成元件大廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)委外代工已成既定趨勢(shì)，然隨著大陸市場(chǎng)崛起，以及大陸本土晶圓代工廠實(shí)力逐漸增強(qiáng)，加上價(jià)格較為便宜，IDM未來(lái)恐進(jìn)一步將委外訂單釋出給大陸晶圓代工廠
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聯(lián)電MEMS進(jìn)入量產(chǎn) 鑫創(chuàng)、利順可望今年出貨
胡皓婷／臺(tái)北 晶圓代工廠聯(lián)電宣布CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，而在聯(lián)電投片的臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者鑫創(chuàng)科技其產(chǎn)品也計(jì)畫(huà)在2011年7月時(shí)進(jìn)入正式出貨階段。法人預(yù)估，至2011年底時(shí)，鑫創(chuàng)MEMS麥克風(fēng)單月出貨
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中國(guó)大陸晶圓代工價(jià)格便宜 IDM考慮轉(zhuǎn)向
為降低成本，集成元件大廠(Integrated Device Manufacturer；IDM)委外代工已成既定趨勢(shì)，然隨著大陸市場(chǎng)崛起，以及大陸本土晶圓代工廠實(shí)力逐漸增強(qiáng)，加上價(jià)格較為便宜，IDM未來(lái)恐進(jìn)一步將委外訂單釋出給大陸晶圓代工
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聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)研發(fā)有成 預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，聯(lián)電)日前宣布成功為客戶產(chǎn)出微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)感測(cè)器晶片，預(yù)計(jì)于今年進(jìn)入量產(chǎn)；該公司表示其三年來(lái)投入 CMOS-MEMS 技術(shù)的研發(fā)，終于獲得豐碩的成果。
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聯(lián)電MEMS感測(cè)芯片 邁入量產(chǎn)
晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開(kāi)發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性
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