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聯(lián)電：明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片
據(jù)悉，臺灣代工廠聯(lián)電(UMC)計劃于2011年年中開始，使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產(chǎn)。聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù)，是聯(lián)電與日本爾必達(dá)、臺灣力成
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曹興誠：出庭萬難從命
和艦案昨（22）日再度開庭，先前怒嗆不再出庭的聯(lián)電榮譽董事長曹興誠，雖然人已到了法院，卻因法官拒絕將背信和違反商業(yè)會計法分開審理，所以一直待在高院律師室，并未出席法庭。而后曹興誠與另一背告、聯(lián)電榮譽副董
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聯(lián)電、爾必達(dá)第2階段合作朝交*持股進(jìn)行
邏輯和DRAM技術(shù)跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場，聯(lián)電、爾必達(dá)(Elpida)攜手開發(fā)TSV技術(shù)的簽約儀式將于21日召開記者會對外宣布；值得注意的是，業(yè)界透露，雙方技術(shù)合作僅是第1階段，未來第2階段考慮以交*持股的方式，讓雙方的
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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布聯(lián)手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)
隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3D IC時代來臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會對外宣布共同開發(fā)矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以
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聯(lián)電私募 傳爾必達(dá)策略結(jié)盟
聯(lián)電昨日與爾必達(dá)、力成簽訂直通硅晶穿孔（TSV）技術(shù)合作開發(fā)合約，市場則再度傳出，爾必達(dá)將是聯(lián)電私募案引進(jìn)策略合作伙伴的口袋名單之一，且雙方未來不排除朝向交叉持股的合作方向進(jìn)行。唯聯(lián)電及爾必達(dá)對此一市場消
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聯(lián)電爾必達(dá)力成 合攻3D IC
聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結(jié)合在三維（3D）IC的設(shè)計、制造與封裝等優(yōu)勢，投入開發(fā)整合邏輯芯片及動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生
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聯(lián)電：3D IC會全面擴(kuò)及各應(yīng)用 拼完整解決方案
晶圓代工業(yè)者聯(lián)電(2303)執(zhí)行長孫世偉于今(21)日表示，聯(lián)電將以自身在先進(jìn)邏輯制程上的技術(shù)優(yōu)勢，與日商Elpida、力成(6239)等兩大業(yè)者在3D IC領(lǐng)域上進(jìn)行廣泛的技術(shù)合作，且預(yù)計會以TSV(Through-Silicon Via,直通硅晶穿
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聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作 最快2012年量產(chǎn)
晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(dá)(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對包括28奈米先進(jìn)制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進(jìn)行合作。 聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，有鑒于摩爾定律的成長已經(jīng)趨緩
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簽訂3D IC技術(shù)合約 蔡篤恭：技術(shù)到位后自然有市場需求
力成董事長蔡篤恭今日表示，只要3D IC的TSV技術(shù)率先達(dá)成熟階段，市場需求自然會浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠爾必達(dá)(6665-JP)，臺灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測大廠力成(6239-TW)今(21
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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布連手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)
隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3DIC時代來臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會對外宣布共同開發(fā)硅穿孔(TSV)3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏
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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片
聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作
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臺重量級半導(dǎo)體企業(yè)一致看好今年產(chǎn)業(yè)發(fā)展
臺積電、聯(lián)電、矽品、聯(lián)發(fā)科等臺灣4家重量級半導(dǎo)體企業(yè)15日同時召開股東會，一致看好今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。晶圓代工龍頭企業(yè)臺積電董事長張忠謀在股東會上表示，今年臺積電營業(yè)收入與獲利將雙雙創(chuàng)下歷史新高。他對半導(dǎo)
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聯(lián)電通過私募案 將貼近市價發(fā)行
聯(lián)電15日召開股東會，會中通過私募增資案，聯(lián)電董事長洪嘉聰指出，為維護(hù)股東權(quán)益，目前的股價不會發(fā)行，未來發(fā)行價格將貼近市價，而大股東也不會參與。對于第3季狀況，財務(wù)長劉啟東表示，第3季產(chǎn)能依然吃緊，其中以
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產(chǎn)能過剩？ 聯(lián)電：訂單已到第三季
聯(lián)華電子公司今天召開股東常會，通過普通股每股配發(fā)0.5元股利；因應(yīng)景氣變化，會中也通過辦理「私募發(fā)行普通股、發(fā)行新股參與海外存托憑證或發(fā)行海外或國內(nèi)可轉(zhuǎn)換公司債」，董事長洪嘉聰說，這是給公司營運預(yù)留彈
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臺積電上修半導(dǎo)體預(yù)估,聯(lián)電產(chǎn)能供不應(yīng)求
* 臺積電上修今年全球半導(dǎo)體業(yè)成長率至約30%,原為22% * 臺積電估半導(dǎo)體業(yè)2011年至2016年年平均成長率7% * 聯(lián)電稱第二季營收料優(yōu)于預(yù)估,第三季產(chǎn)能供不應(yīng)求 * 聯(lián)電私募案目前不考慮,未來發(fā)行價格一定貼近市價
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XBOX拉貨、 聯(lián)電產(chǎn)能力挺 硅統(tǒng)5月營收月增29%
受微軟(MSFT-US)游戲機(jī)XBOX芯片拉貨力道強(qiáng)勁帶動，IC設(shè)計硅統(tǒng)(2363-TW) 5 月營收達(dá)3.07億元，較 4 月成長了29.4%，表現(xiàn)亮眼，累積至 5 月營收達(dá)11.4億元，較去年同期小幅衰退2.6%。 硅統(tǒng)今(12)日表示，微軟每年約
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聯(lián)電重拾月營收百億風(fēng)光 臺積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高
聯(lián)電5月營收恢復(fù)成長態(tài)勢，達(dá)到新臺幣100.9億元，創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄，由于聯(lián)電6、8及12寸廠產(chǎn)能處于滿載，預(yù)期2010年下半單月營收仍有高點可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺積電近期亦將公布營運實績，預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新
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聯(lián)電重拾月營收百億風(fēng)光 臺積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高
聯(lián)電5月營收恢復(fù)成長態(tài)勢，達(dá)到新臺幣100.9億元，創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄，由于聯(lián)電6、8及12寸廠產(chǎn)能處于滿載，預(yù)期2010年下半單月營收仍有高點可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺積電近期亦將公布營運實績，預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新
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聯(lián)電重拾月營收百億，臺積電望續(xù)創(chuàng)新高
聯(lián)電5月營收恢復(fù)成長態(tài)勢，達(dá)到新臺幣100.9億元，創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄，由于聯(lián)電6、8及12吋廠產(chǎn)能處于滿載，預(yù)期2010年下半單月營收仍有高點可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺積電近期亦將公布營運實績，預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新
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聯(lián)電五月營收 突破100億元
晶圓代工大廠聯(lián)電，昨日公布5月營收，盡管臺灣IC設(shè)計龍頭聯(lián)發(fā)科，五月營收呈現(xiàn)走軟情形，但聯(lián)電五月營收仍較四月成長8.27%，來到百億元規(guī)模，是2007年11月以來最高水平，封測大廠日月光五月營收154.9億元，也創(chuàng)下歷史
