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英飛凌成功推出第五代thinQ!TM SiC肖特基勢壘二極管
21ic訊 英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。英飛凌榮獲專利的擴散焊接工藝早已應(yīng)用于第三代產(chǎn)品，如今又成功地與更緊湊的全新設(shè)計和最新的薄晶圓技術(shù)有機結(jié)合
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羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo
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羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo
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揚杰電子依靠單一供應(yīng)商 業(yè)績受原材料價格影響較大
5月14日消息，據(jù)媒體報道，主營業(yè)務(wù)為分立器件芯片、功率二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品的研發(fā)、制造與銷售的揚州揚杰電子，被指出過度依賴單一供應(yīng)商，原材料成本高且波動大，進一步阻礙了該公司未來經(jīng)營發(fā)展。
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恩智浦推出低VF肖特基整流器DFN1608D-2
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移動設(shè)備市場的新一代低VF肖特基整流器，標志著其為小型化發(fā)展設(shè)立了新的重要基準。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封裝典型厚度僅為0.37 mm，尺寸為1.6
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恩智浦推出低VF肖特基整流器DFN1608D-2
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移動設(shè)備市場的新一代低VF肖特基整流器，標志著其為小型化發(fā)展設(shè)立了新的重要基準。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封裝典型厚度僅為0.37 mm，尺寸為1.6
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安森美半導(dǎo)體推出新系列100V溝槽型LVFR
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。新的NTST30100CT
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4款肖特基整流器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款提供eSMP®表面貼裝和軸向引線封裝選項的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，擴大其用于太陽能電池旁路應(yīng)用的TMBS® Trench MO
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4款新的30V肖特基勢壘二極管（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極管。這些新的肖特基勢壘二極管采用超小型0201雙硅片無引腳(DSN2)芯片級封裝，為便攜電子設(shè)計人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。
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單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未
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單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未
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Zetex高效率低漏泄肖特基二級管
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Zetex高效率低漏泄肖特基二級管
