單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過(guò)第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未有的最低導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
新的Si4628DY SkyFET通?？捎米鐾浇祲恨D(zhuǎn)換器中的低壓側(cè)功率MOSFET，降壓轉(zhuǎn)換器可用于筆記本電腦的內(nèi)核電壓和VRM應(yīng)用、圖形卡、負(fù)載點(diǎn)功率轉(zhuǎn)換，以及計(jì)算機(jī)和服務(wù)器當(dāng)中的同步整流。品質(zhì)因數(shù)(FOM)是導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積，是這些應(yīng)用的關(guān)鍵性能指標(biāo)，與采用SO-8封裝的最接近器件相比，該器件在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的FOM分別小26%和34%。
Si4628DY可改善用主電網(wǎng)供電的服務(wù)器或電池供電的筆記本電腦在輕負(fù)載條件下的功率轉(zhuǎn)換效率。在輕負(fù)載條件下，功率轉(zhuǎn)換器中的MOSFET是關(guān)閉的，電流通過(guò)肖特基二極管進(jìn)行傳輸。由于肖特基二極管與MOSFET集成在一起，其前向電壓降要遠(yuǎn)低于MOSFET內(nèi)部體二極管上的電壓降。因此，當(dāng)降壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被關(guān)斷時(shí)，該特性能夠大大減少功率損耗。
肖特基二極管的反向恢復(fù)電荷(QRP)比MOSFET體二極管的QRP要低，因此能夠進(jìn)一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技術(shù)使器件的QRP比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET體二極管減少了幾乎75%，可以提高輕負(fù)載條件下的轉(zhuǎn)換效率。
最后，將肖特基二極管集成進(jìn)MOSFET硅片可消除寄生電感。如果是以分立器件的形式將肖特基二極管和MOSFET安裝到PCB板上，或是把分立的MOSFET和肖特基二極管封裝在一起，均會(huì)引入寄生電感。
這些特性所帶來(lái)的效率改善，能夠直接降低能量消耗，降低服務(wù)器集群等設(shè)施的電費(fèi)開(kāi)支，延長(zhǎng)膝上計(jì)算機(jī)在兩次充電之間的電池壽命。
Si4628DY現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開(kāi)關(guān)為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字： 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...
關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制，使其成為...
關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)
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