www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當前位置:首頁 > 廠商動態(tài) > 宜普電源轉換公司
[導讀]宜普電源轉換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應晶體管(EPC2066),為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面積受限的應用。

宜普電源轉換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應晶體管(EPC2066),為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面積受限的應用。

全球行業(yè)領先供應商宜普電源轉換公司 為業(yè)界提供增強型氮化鎵(eGaN®)功率場效應晶體管和集成電路,新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應晶體管,為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。

EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/DC轉換器次級側的理想開關器件。它也是電源供電和銀盒數(shù)據(jù)中心服務器中次級側同步整流至12 V的理想器件,而且適用于24 V~32V的高密度電機驅動應用。氮化鎵場效應晶體管可在高頻工作、具有高效率和13.9mm2的超小尺寸等優(yōu)勢,可以實現(xiàn)最高功率密度。

EPC2066的設計與EPC第4代產品EPC2024兼容。第五代產品在面積乘以導通電阻方面的改進使EPC2066在相同面積下的導通電阻降低了27%。

EPC公司的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow說:"在以上提及的導通電阻條件下,EPC2066的尺寸要比市場上任何其他場效應晶體管都要小得多。它與較早前推出的EPC2071匹配,用于高功率密度計算應用的LLC DC/DC轉換器?!?

參考設計

EPC9174參考設計板是一個1.2kW、48 V輸入、12V輸出的LLC轉換器。它采用EPC2071作為初級側全橋器件和EPC2066作為次級側器件。在22.9 mm x 58.4 mm x 10 mm的小尺寸內,實現(xiàn)1 MHz的開關頻率和1.2 kW的功率(功率密度為1472 W/in3)。550 W時的峰值效率為97.3%,12 V時的滿載效率為96.3%,可提供100 A輸出功率。

EPC2066用卷帶包裝,以1000片為單位批量購買,每片價格為3.75美元。EPC9174開發(fā)板的單價為780美元,可從Digi-Key立即發(fā)貨,有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設計人員可使用 EPC GaN Power Bench 的交叉參考工具,根據(jù)您所需的特定工作條件,我們會推薦合適的替代方案。

本站聲明: 本文章由作者或相關機構授權發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內容真實性等。需要轉載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內容侵犯您的權益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

-三款新器件助力提升工業(yè)設備的效率和功率密度-

關鍵字: SiC MOSFET 開關電源

在電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為一種常用的開關器件,其開關過程中的電磁干擾(EMI)問題備受關注。

關鍵字: MOSFET

【2025年8月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOS...

關鍵字: MOSFET 電動汽車 伏逆變器

7月18日,由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關村集成電路設計園、北航確信可靠性聯(lián)合實驗室協(xié)辦的第三屆用戶大會在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會以“開啟電子熱管理技術圈的正向設計之門”為主題,吸引了來自全...

關鍵字: SiC MOSFET 功率半導體

許多電源轉換應用都需要支持寬輸入或輸出電壓范圍。ADI公司的一款大電流、高效率、全集成式四開關降壓-升壓型電源模塊可以滿足此類應用的需求。該款器件將控制器、MOSFET、功率電感和電容集成到先進的3D集成封裝中,實現(xiàn)了緊...

關鍵字: 穩(wěn)壓器 控制器 MOSFET

在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為核心開關器件,其可靠性直接影響系統(tǒng)壽命。據(jù)統(tǒng)計,功率器件失效案例中,MOSFET占比超過40%,主要失效模式包括雪崩擊穿、熱失控、柵極氧化層擊穿等。本文從...

關鍵字: MOSFET 電力電子系統(tǒng)

在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進的進程中,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導通電阻、高頻開關特性及高溫穩(wěn)定性,成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而,其高速開關過程中產生的直流電磁干擾(EM...

關鍵字: 碳化硅 MOSFET 直流EMI

美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產,首款產品為150V MOSFET。同時,一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。

關鍵字: MOSFET 功率器件 IGBT

協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術與臺達智能節(jié)能解決方案,加速可持續(xù)應用開發(fā)

關鍵字: 碳化硅 電源管理 MOSFET

【2025年7月17日, 德國慕尼黑訊】全球領先的交通出行解決方案供應商DENSO在其年度北美商業(yè)合作伙伴大會(NABPC)上,為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQ...

關鍵字: 自動駕駛 可持續(xù)發(fā)展 MOSFET
關閉