www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當(dāng)前位置:首頁(yè) > 廠商動(dòng)態(tài) > ROHM
[導(dǎo)讀]應(yīng)用于牽引逆變器,助力續(xù)航里程和性能提升

中國(guó)上海,2025年6月24日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布,搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊,已應(yīng)用于豐田汽車公司(TOYOTA MOTOR CORPORATION.,以下簡(jiǎn)稱“豐田”)面向中國(guó)市場(chǎng)的全新跨界純電動(dòng)汽車(BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。

“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動(dòng)車科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“BTET”)、一汽豐田汽車有限公司(以下簡(jiǎn)稱“一汽豐田”)聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動(dòng)汽車,由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。

此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團(tuán)的合資企業(yè)——上海海姆??瓢雽?dǎo)體有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI)Co., Ltd.)進(jìn)行量產(chǎn)供貨,其中以SiC MOSFET為核心的羅姆功率解決方案,為這款新型純電動(dòng)汽車的續(xù)航里程和性能提供了重要保障。

羅姆目前正加速推進(jìn)SiC功率元器件的研發(fā)進(jìn)程,計(jì)劃于今年完成下一代(即第5代)SiC MOSFET的生產(chǎn)線建設(shè),并提前布局第6代和第7代產(chǎn)品的市場(chǎng)投放規(guī)劃。

未來(lái),羅姆將繼續(xù)致力于元器件性能和生產(chǎn)效率的提升,通過強(qiáng)化裸芯片、分立器件、功率模塊等各種形態(tài)的全方位SiC供應(yīng)體系,進(jìn)一步推動(dòng)SiC技術(shù)的普及,為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)交通貢獻(xiàn)力量。

關(guān)于“bZ5”

豐田與BTET、一汽豐田等企業(yè)聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動(dòng)汽車,以“Reboot”為開發(fā)理念,采用動(dòng)感且具標(biāo)志性的造型設(shè)計(jì)。針對(duì)Z世代年輕用戶需求,著力打造兼具個(gè)性化與舒適性的駕乘空間。續(xù)航能力方面,低配版本可達(dá)550公里,高配版本則實(shí)現(xiàn)了630公里(CLTC標(biāo)準(zhǔn))的續(xù)航表現(xiàn)。

該車已于2025年4月22日(第二十一屆上海國(guó)際汽車工業(yè)展覽會(huì)開幕前日)開啟預(yù)訂,引發(fā)廣泛關(guān)注。

關(guān)于上海海姆??瓢雽?dǎo)體有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.)

上海海姆希科半導(dǎo)體有限公司是由正海集團(tuán)有限公司(中方)與羅姆株式會(huì)社(日方)共同成立的中日合資企業(yè)。HAIMOSIC(海姆希科)主要從事碳化硅半導(dǎo)體功率模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造及銷售,預(yù)期產(chǎn)能36萬(wàn)個(gè)/年。項(xiàng)目總投資額為4.5億元人民幣,注冊(cè)資金2.5億元人民幣。

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

-三款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度-

關(guān)鍵字: SiC MOSFET 開關(guān)電源

在電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種常用的開關(guān)器件,其開關(guān)過程中的電磁干擾(EMI)問題備受關(guān)注。

關(guān)鍵字: MOSFET

【2025年8月1日,德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOS...

關(guān)鍵字: MOSFET 電動(dòng)汽車 伏逆變器

這些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封裝,提供了低電容電荷和3.2 mm的較大最小爬電距離

關(guān)鍵字: SiC 肖特基二極管 服務(wù)器

7月18日,由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園、北航確信可靠性聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦的第三屆用戶大會(huì)在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會(huì)以“開啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門”為主題,吸引了來(lái)自全...

關(guān)鍵字: SiC MOSFET 功率半導(dǎo)體

許多電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用都需要支持寬輸入或輸出電壓范圍。ADI公司的一款大電流、高效率、全集成式四開關(guān)降壓-升壓型電源模塊可以滿足此類應(yīng)用的需求。該款器件將控制器、MOSFET、功率電感和電容集成到先進(jìn)的3D集成封裝中,實(shí)現(xiàn)了緊...

關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓器 控制器 MOSFET

在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為核心開關(guān)器件,其可靠性直接影響系統(tǒng)壽命。據(jù)統(tǒng)計(jì),功率器件失效案例中,MOSFET占比超過40%,主要失效模式包括雪崩擊穿、熱失控、柵極氧化層擊穿等。本文從...

關(guān)鍵字: MOSFET 電力電子系統(tǒng)

在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進(jìn)的進(jìn)程中,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性,成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而,其高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EM...

關(guān)鍵字: 碳化硅 MOSFET 直流EMI

美國(guó)賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn),首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí),一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。

關(guān)鍵字: MOSFET 功率器件 IGBT

協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術(shù)與臺(tái)達(dá)智能節(jié)能解決方案,加速可持續(xù)應(yīng)用開發(fā)

關(guān)鍵字: 碳化硅 電源管理 MOSFET
關(guān)閉