美國(guó)賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。

SuperQ是過(guò)去25年來(lái)硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電區(qū)域擴(kuò)大至高達(dá)95%，并將開(kāi)關(guān)損耗較競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品降低高達(dá)2.1倍。

該結(jié)構(gòu)不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時(shí)保留了硅材料的諸多優(yōu)勢(shì)，包括高強(qiáng)度、量產(chǎn)能力強(qiáng)以及在175°C結(jié)溫下的可靠性。

iDEAL首款150V MOSFET產(chǎn)品——iS15M7R1S1C，為一款典型導(dǎo)通電阻為6.4mΩ的器件，現(xiàn)已可通過(guò)5 x 6 mm的PDFN封裝交付。該表貼封裝采用外露引腳設(shè)計(jì)，便于客戶(hù)裝配并提升板級(jí)可靠性。

200V產(chǎn)品系列包含iS20M6R1S1T，一款典型導(dǎo)通電阻為6.1mΩ的MOSFET，采用11.5 x 9.7 mm的TOLL封裝。其RDS(on)比目前的業(yè)界領(lǐng)先產(chǎn)品低10%，比第二梯隊(duì)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低36%。公司目前還提供TOLL、TO-220、D2PAK-7L與PDFN等封裝形式的200V樣品。

250V、300V與400V MOSFET平臺(tái)即將推出——這些電壓等級(jí)在當(dāng)前主流半導(dǎo)體技術(shù)中仍處于服務(wù)不足狀態(tài)。iDEAL的新一代器件將提供遠(yuǎn)低于現(xiàn)有方案的導(dǎo)通電阻，釋放全新的效率與性能潛力。

iDEAL Semiconductor聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官M(fèi)ark Granahan表示：“在過(guò)去的25年里，業(yè)界依賴(lài)于如Superjunction這類(lèi)的‘減表電場(chǎng)(RESURF)’技術(shù)，但這類(lèi)架構(gòu)的性能已經(jīng)趨于瓶頸。若要實(shí)現(xiàn)電源傳輸與效率的躍升，就必須引入新的架構(gòu)——這正是SuperQ的使命。”

“對(duì)高性能電源解決方案的需求從未如此強(qiáng)烈。SuperQ將推動(dòng)包括工業(yè)自動(dòng)化、AI數(shù)據(jù)中心以及全球電氣化趨勢(shì)等關(guān)鍵新興應(yīng)用的發(fā)展。今天，iDEAL為設(shè)計(jì)工程師提供了前所未有的150V至400V成本×性能比平臺(tái)?！?

該技術(shù)可應(yīng)用于MOSFET、IGBT、二極管、電源IC，甚至未來(lái)的半導(dǎo)體材料，使SuperQ有望成為下一代電力電子的基礎(chǔ)性平臺(tái)。

iDEAL的硅基功率器件由美國(guó)本土研發(fā)、設(shè)計(jì)并制造，提供廣泛的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、即插即用型封裝，包括TO-220、ITO-220、TO-247、D2PAK-3L、D2PAK-7L、DPAK、TOLL、TOLT及PDFN 5x6等。產(chǎn)品覆蓋豐富的電壓等級(jí)與應(yīng)用領(lǐng)域。