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上海全市醫(yī)保信息系統(tǒng)短時癱瘓
據(jù)新華社電 3月31日上午9時10分左右，上海全市醫(yī)保結(jié)算系統(tǒng)一度因技術(shù)原因出現(xiàn)中斷，部分醫(yī)院門診擁擠。對此，上海市人力資源和社會保障局相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，系統(tǒng)已于當(dāng)日9時30分左右恢復(fù)正常，故障原因主要是網(wǎng)絡(luò)負(fù)
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一種RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的自適應(yīng)學(xué)習(xí)算法
建立了一種RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的自適應(yīng)學(xué)習(xí)模型。該模型事先不需要確定隱層節(jié)點的中心位置和數(shù)量，而是在學(xué)習(xí)過程中，根據(jù)相應(yīng)的添加策略和刪除策略，自適應(yīng)地增加或減少隱層節(jié)點的數(shù)量。最終形成的網(wǎng)絡(luò)不僅結(jié)構(gòu)簡單，精度高，而且具有較好的泛化能力。
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Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點制程工藝細(xì)節(jié)
據(jù)消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來源還稱Intel&ldq
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傳Intel近期將公布22nm節(jié)點制程工藝細(xì)節(jié)
據(jù)消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來源還稱Intel“很
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盛美12英寸單片清洗技術(shù)用于清洗10nm超微顆粒
盛美半導(dǎo)體（上海）有限公司日前在中國半導(dǎo)體國際展上發(fā)表了十二英寸單片兆聲波清洗設(shè)備的最新工藝，本工藝用于45nm技術(shù)及以下節(jié)點的十二英寸高端硅片清洗。盛美獨家具有自主知識產(chǎn)權(quán)的清洗技術(shù)可以去除數(shù)十納米超微
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分析師：賽靈思可能領(lǐng)先于Altera進(jìn)入28納米節(jié)點
據(jù)華爾街分析師，繼在40納米節(jié)點上落后于Altera之后，可編程邏輯器件廠商賽靈思有望取得明顯成長，可能在28納米節(jié)點再度從Altera手中奪回技術(shù)領(lǐng)先地位。 FBR Capital Markets的分析師Hans Mosesmann在上周二(3月15日
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應(yīng)用材料公司推出Applied DFinder檢測系統(tǒng)
應(yīng)用材料公司推出Applied DFinder檢測系統(tǒng)，用于在22納米及更小技術(shù)節(jié)點的存儲和邏輯芯片上檢測極具挑戰(zhàn)性的互連層。作為一項突破性的技術(shù)，該系統(tǒng)是首款采用深紫外(DUV)激光技術(shù)的暗場檢測工具，使芯片制造商具有前
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一種HCI自適應(yīng)的解決辦法
摘要： 在嵌入式系統(tǒng)工程開發(fā)及現(xiàn)場施工實踐中，為了解決由于嵌入式系統(tǒng)資源退化引起的人機交互復(fù)雜性和不確定性問題，從可適應(yīng)性角度討論，分析了嵌入式系統(tǒng)中人機交互界面（HCI）的可適應(yīng)性需求，應(yīng)該針對資源退化
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一種HCI自適應(yīng)的解決辦法
一種HCI自適應(yīng)的解決辦法
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一種面向可適應(yīng)性的嵌入式設(shè)備HCI方案
在嵌入式系統(tǒng)工程開發(fā)及現(xiàn)場施工實踐中，為了解決由于嵌入式系統(tǒng)資源退化引起的人機交互復(fù)雜性和不確定性問題，從可適應(yīng)性角度討論，分析了嵌入式系統(tǒng)中人機交互界面(HCI)的可適應(yīng)性需求，應(yīng)該針對資源退化提供一種HCI自適應(yīng)的解決辦法，故時于嵌入式設(shè)備交互特點進(jìn)行了研究，詳細(xì)描述了嵌入式設(shè)備的HCI模型和內(nèi)存結(jié)構(gòu)的建立，并給出具有實踐意義的HCI可適應(yīng)性策略，最后以一個工程實例進(jìn)行了驗證。從實例可知，為嵌入式系統(tǒng)的項目開發(fā)提供了一種可行性解決方案。
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一種面向可適應(yīng)性的嵌入式設(shè)備HCI方案
一種面向可適應(yīng)性的嵌入式設(shè)備HCI方案
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一種基于統(tǒng)計信息的網(wǎng)格資源組織及任務(wù)調(diào)度
摘要：對分布的網(wǎng)格資源進(jìn)行有效地組織與調(diào)度是實現(xiàn)網(wǎng)格計算的關(guān)鍵?；诜謱拥乃枷?，提出了一種改進(jìn)的網(wǎng)格資源組織方式，引入了資源統(tǒng)計信息表及負(fù)載信息表。在資源調(diào)度的過程中，通過維護(hù)并匹配相關(guān)的統(tǒng)計信息，能
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分布式嵌入系統(tǒng)中的交互一致性
分布式嵌入系統(tǒng)中的交互一致性
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半導(dǎo)體技術(shù)評析：通向14nm、5nm節(jié)點的挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 對于邏輯電路，STMicro的ThomasSkotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當(dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理
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半導(dǎo)體技術(shù)評析：通向14nm、5nm節(jié)點的挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當(dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk
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通向14/15nm節(jié)點技術(shù)的挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)
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通向14nm和5nm節(jié)點技術(shù)的挑戰(zhàn)
對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當(dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，
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通向14/15nm節(jié)點的技術(shù)挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當(dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk
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通向14nm、5nm節(jié)點技術(shù)的挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當(dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk
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DB2備份及恢復(fù)操作步驟
DB2備份及恢復(fù)操作步驟
