產(chǎn)生復(fù)雜碼序列的新LFSR基電路

用線性反饋移位寄存器(LFSR)產(chǎn)生碼序列對(duì)于流加密/解密是有用的。然而，這涉及冗長(zhǎng)的LFSR，而且所產(chǎn)生的碼對(duì)防止竊聽還不夠復(fù)雜。本文給出一個(gè)產(chǎn)生冗長(zhǎng)和復(fù)雜碼序列的非常簡(jiǎn)單的技術(shù)，適合于采用較小長(zhǎng)度LFSR的密碼應(yīng)

數(shù)字式頻移解調(diào)器(CA3020、MC723、MC724)

如圖所示為數(shù)字式頻移解調(diào)電路。該電路可以適用在1kHz到10kHz的頻率范圍，并能解調(diào)到1％的頻偏。電路的輸入級(jí)由寬頻帶放大器CA3020構(gòu)成。它的差分輸出加到J-K觸發(fā)器的J-K輸入端。門電路MC724構(gòu)成單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。單

數(shù)字式頻移解調(diào)器(CA3020、MC723、MC724)

如圖所示為數(shù)字式頻移解調(diào)電路。該電路可以適用在1kHz到10kHz的頻率范圍，并能解調(diào)到1％的頻偏。電路的輸入級(jí)由寬頻帶放大器CA3020構(gòu)成。它的差分輸出加到J-K觸發(fā)器的J-K輸入端。門電路MC724構(gòu)成單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。單

光觸發(fā)器電路圖

光電控制觸發(fā)器電路圖

與非門組成的寬延時(shí)觸發(fā)器

如圖所示是一個(gè)負(fù)脈沖觸發(fā)的寬延時(shí)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，它提供了數(shù)秒的延時(shí)時(shí)間，用于定時(shí)精度要求不高的場(chǎng)合。圖中延時(shí)主要決定于電容C。對(duì)于TTL電路來說，R的阻值一般為5～10kΩ。下表中列出了R=5.1kΩ時(shí)，延時(shí)的實(shí)測(cè)數(shù)

可控硅過零觸發(fā)器KJ007零電流觸發(fā)電路圖

　　可控硅過零觸發(fā)器KJ007能使雙向可控硅的開關(guān)過程在電源電壓為零或電流為零的瞬間進(jìn)行觸發(fā)。這樣，負(fù)載的瞬態(tài)浪涌電流和射頻干擾最小，可控硅的使用壽命也可以提高。該電路可用于恒溫箱的溫度控制、單相或三相電機(jī)

可控硅移相觸發(fā)器KJ006外電路接線圖

　　KJ006主要適用于交流供電的雙向可控硅或反并聯(lián)可控硅線路的交流相位控制。能由交 流電網(wǎng)直接供電并無需外加同步信號(hào)、輸出變壓器和直流工作電源，并且能直接與可控硅控制極直接耦合觸發(fā)。具有鋸齒波線性好、移相

可控硅過零觸發(fā)器KJ009組成的應(yīng)用電路圖

　　KJ009的基本性能與KJ004相同，可以互換使用。由于器件內(nèi)部采用了反向阻斷四級(jí)硅晶閘管作脈沖記憶，提高了抗干擾能力和觸發(fā)脈沖的前沿陡度，脈沖的寬度有較大的調(diào)節(jié)范圍。該電路適用于單相、三相全控橋式供電裝置

可控硅過零觸發(fā)器KJ008作為零電流觸發(fā)應(yīng)用電路圖

可控硅移相觸發(fā)器KJ005外電路接線圖

　　KJ005是KJ006的一種特殊情況。沒有白生電源，不能直接用于交流供電的場(chǎng)合。該器件主要適用于雙向可控硅或反并聯(lián)可控硅線路的交流相位控制。需外加同步信號(hào)和外接直流工作電源。具有鋸齒波線性好、移相范圍寬、控