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日本新金屬協(xié)會(huì)宣布將2010年的硅晶圓產(chǎn)量較上年度上調(diào)36％
日本新金屬協(xié)會(huì)硅分會(huì)于2010年7月21日公布了日本企業(yè)單結(jié)晶硅的產(chǎn)量、銷量以及會(huì)員企業(yè)相應(yīng)部門的業(yè)績等。單結(jié)晶硅的產(chǎn)量由2010年2月預(yù)測的比上年度增加30％再上調(diào)了6個(gè)百分點(diǎn)至增加36％，銷量由年初預(yù)測的比上年度增
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盛世高清 高清播放機(jī)億格瑞R1火熱促銷中
小到MP3、MP4，大到液晶、等離子電視、液晶顯示屏等，各種數(shù)碼產(chǎn)品只要有顯示屏的，都在與高清產(chǎn)生或多或少的聯(lián)系，因此高清硬盤播放機(jī)的問世自然也就順理成章，今天為大家介紹這款億格瑞R1便是一款高清播放機(jī)，可以
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“紫砂鍋”重出江湖
上月爆出“假紫砂”風(fēng)波后，市內(nèi)的各種紫砂鍋一夜間被撤架停售。不過，記者日前走訪市內(nèi)的百貨商場發(fā)現(xiàn)，“紫砂”又重出江湖了。據(jù)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，近日工商部門已經(jīng)對質(zhì)檢合格的紫砂產(chǎn)品解禁。不過重新上架的紫砂
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半導(dǎo)體“混血”納米設(shè)備可控制量子比特自旋
美國科學(xué)家使用其研發(fā)的獨(dú)特的金屬—半導(dǎo)體“混血”納米設(shè)備，演示了一種新的光和物質(zhì)的相互作用，且在僅為幾納米的膠體納米結(jié)構(gòu)中首次實(shí)現(xiàn)了對量子比特自旋進(jìn)行完全的量子控制，這些新進(jìn)展朝著制造出量子計(jì)算機(jī)邁開
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125家央企整合加速 中央級科研院所投身產(chǎn)業(yè)集團(tuán)
科技型央企重組正掀起今年第一輪央企整合高潮。本報(bào)獨(dú)家獲悉，北京有色金屬研究總院將并入中國鋼研科技集團(tuán)公司，中國水電工程顧問集團(tuán)公司將并入中國水利水電建設(shè)集團(tuán)公司，而其余十幾家同類科技型中央企業(yè)均已上報(bào)
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力矩電機(jī)在鋼絲表面設(shè)備中的應(yīng)用
YLJ、YDLJ系列力矩三相異步電動(dòng)機(jī)是一種具有軟機(jī)械特性和寬調(diào)速范圍的特種電機(jī)。當(dāng)負(fù)載增加時(shí)，電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速能自動(dòng)的隨之降低，而輸出力矩增加，保持與負(fù)載平衡。力矩電機(jī)的堵轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)矩高，堵轉(zhuǎn)電流小，能承受一定時(shí)間的
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權(quán)威機(jī)構(gòu)回應(yīng):美的5廠家紫砂煲抽檢結(jié)果合格
上月鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng)的“紫砂煲”“紫砂壺”事件，近日終于出現(xiàn)權(quán)威回應(yīng)。羊城晚報(bào)記者昨日獲悉，中國陶瓷工業(yè)協(xié)會(huì)與中國家用電器協(xié)會(huì)日前攜手在北京召開“家電用陶瓷內(nèi)膽生產(chǎn)應(yīng)用情況研討會(huì)”，來自高校、陶瓷科研院、
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IBM生產(chǎn)線俱樂部進(jìn)入高k介質(zhì)時(shí)代
為了超過競爭對手IBM的fabclub(生產(chǎn)線俱樂部)己經(jīng)實(shí)現(xiàn)了它們的之前預(yù)想。它的俱樂部包括ARM、IBM、Samsung、GlobalFoundries及Synopsys，據(jù)報(bào)道已能提供基于高k和金屬柵的32/28nm的工藝及設(shè)計(jì)平臺(tái)。IBM的fabclub包括
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美的九陽產(chǎn)品合格“可放心使用”
備受關(guān)注的紫砂煲產(chǎn)品究竟是否有害，終于有了明確的官方權(quán)威結(jié)論。6月17-18日，由中國陶瓷工業(yè)協(xié)會(huì)聯(lián)合中國家用電器協(xié)會(huì)在北京主持召開“家電用陶瓷內(nèi)膽生產(chǎn)應(yīng)用情況研討會(huì)”，包括中國陶瓷工業(yè)協(xié)會(huì)理事長何天雄、中
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東京大學(xué)等在厚度不到10μm的晶圓上形成FeRAM和邏輯電路
東京大學(xué)在半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會(huì)議“2010 Symposium on VLSITechnology”上宣布，該公司與富士通微電子（現(xiàn)富士通半導(dǎo)體）、大日本印刷、富士通研究所以及迪思科（Disco）共同在厚度降至10μm以下的半導(dǎo)體晶圓上形成
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單金屬片觸摸開關(guān)和電阻橋觸摸開關(guān)原理及電路
單金屬片觸摸開關(guān)原理及電路圖集 工作原理：圖1所示的電路只使用了一片觸摸金屬片，電路中采用了2只四二輸入端(內(nèi)部有四個(gè)完全相同的，具有兩個(gè)輸入端)施密特觸發(fā)器4093(如CD4093、 TC4093等等)。通常IC2-a的輸
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工信部：5月份工業(yè)生產(chǎn)保持平穩(wěn)較快增長
5月份，工業(yè)生產(chǎn)保持平穩(wěn)較快增長，受高耗能行業(yè)生產(chǎn)減緩影響，重工業(yè)增速繼續(xù)回落；工業(yè)出口加快回升，已恢復(fù)到國際金融危機(jī)前水平。原材料、燃料、動(dòng)力購進(jìn)價(jià)格繼續(xù)上漲，企業(yè)生產(chǎn)成本壓力加大。5月份，全國規(guī)模以
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Microchip推出以金屬為前面板的電容式觸摸傳感技術(shù)
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出業(yè)界第一個(gè)也是唯一的一項(xiàng)可以以金屬為前面板的電容式觸摸傳感技術(shù)。這一免版稅的穩(wěn)健技術(shù)基于最初成功發(fā)布的mTouch電容式觸摸傳感技術(shù)，目前能夠透過手套和
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量價(jià)齊升 LED顯示屏受熱捧
進(jìn)入2010年以來，LED顯示屏持續(xù)火熱。而LED顯示屏價(jià)格在近階段由于短期脫貨等原因有所上漲。雖然總體趨勢是穩(wěn)中有降，但LED顯示屏價(jià)格的在短期內(nèi)的上下浮動(dòng)是經(jīng)常性的。影響這段時(shí)間LED顯示屏價(jià)格上升的原因有幾點(diǎn)：
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基于表面等離子激元的新型可調(diào)諧微共振環(huán)濾波器分析
本文分析了基于表面等離子激元的可調(diào)諧共振環(huán)濾波器結(jié)構(gòu)原理，并分別對環(huán)半徑R為1.0μm和1.1 μm時(shí)進(jìn)行了仿真。
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IT業(yè)被指重金屬污染超標(biāo) 蘋果等巨頭拒回應(yīng)
在化工、冶煉、皮革等行業(yè)排放重金屬成為司空見慣之時(shí)，IT業(yè)的重金屬污染在過去的很長時(shí)間，一度為人忽視。 直至不久前，一份《2010IT品牌供應(yīng)鏈重金屬污染調(diào)研》報(bào)告出爐，才將IT業(yè)由來已久的重金屬污染，橫陳
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實(shí)驗(yàn)顯示iPhone 4一米落下即可摔破(圖)
北京時(shí)間6月10日下午消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，雖然蘋果特意強(qiáng)調(diào)iPhone 4所采用的玻璃外殼非常堅(jiān)固，但根據(jù)科技博客iFixYouri的實(shí)驗(yàn)，事實(shí)并非如此。蘋果在發(fā)布會(huì)上表示，iPhone 4的正面和背面都采用了特質(zhì)的玻璃外殼，
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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基于Ptl00鉑熱電阻的溫度變送器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
針對空壓機(jī)專用變頻器系統(tǒng)中溫度檢測的要求，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種三線制Ptl00溫度傳感器。利用Ptl00鉑熱電阻的電阻-溫度函數(shù)關(guān)系，將溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，經(jīng)過兩級放大電路對電壓信號(hào)進(jìn)行放大，再將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)的電流信號(hào)輸出。在A／D溫度采集時(shí)，利用精密電流電壓轉(zhuǎn)換芯片，將電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)的電壓信號(hào)。實(shí)踐證明，該傳感器有較高的穩(wěn)定性和靈活性，性能良好且容易實(shí)現(xiàn)，成本低，值得推廣應(yīng)用。
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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