這一次SIA的晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告公布時(shí)間比平常晚了很多，通常第一季報(bào)告會(huì)在5月中或是5月底出爐；SIA并沒(méi)有解釋報(bào)告公布延遲的原因，但值得注意的是，SIA數(shù)據(jù)表格中很多前一季的數(shù)字都有更動(dòng)。這意味著該報(bào)告可能在 2011年第一季與 2010年第四季的數(shù)據(jù)比較上出現(xiàn)問(wèn)題，得做一些確認(rèn)與更正。

2010年第四季的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)變動(dòng)最多的，是在MOS制程技術(shù)中介于200奈米至120奈米節(jié)點(diǎn)之間的項(xiàng)目(主要是0.18微米、0.15微米與0.13微米制程)；此外還有晶圓代工廠的相關(guān)數(shù)據(jù)。

根據(jù)SICAS報(bào)告，全球 2011年第一季晶圓廠產(chǎn)能利用率為93.7%，上一季數(shù)據(jù)則為92.9%，但新舊制程節(jié)點(diǎn)，以及8寸、12寸晶圓廠的產(chǎn)能利用率狀況大相逕庭。0.13微米以上制程的產(chǎn)能利用率在80~90%之間；其中尖端的65奈米制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能利用率則較上一季的97%，微幅滑落到95.8%。

60奈米以下制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能達(dá)到每周9,875K片初始晶圓，較一年前同期成長(zhǎng)了38.9%；整體初始晶圓產(chǎn)能在第一季成長(zhǎng)了41%，產(chǎn)能利用率為98.9%。至于第一季整體8寸晶圓產(chǎn)能利用率為89.6%， 12寸晶圓產(chǎn)能利用率則為97%。

第一季晶圓代工廠產(chǎn)能在整體半導(dǎo)體制造產(chǎn)能中，占據(jù)19.6%的比例，產(chǎn)能穩(wěn)定成長(zhǎng)為每周441.9k片晶圓，較去年同期成長(zhǎng)15%；整體晶圓代工廠產(chǎn)能利用率為97.0%。

編譯：Judith Cheng

(參考原文： SIA releases Q1 SICAS fab capacity report，by Peter Clarke)