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CMOS集成電路潛在缺陷的最小電壓檢測
引 言有潛在缺陷的芯片有可能通過生產(chǎn)測試，但是在實際應用中卻會引起早期失效的問題，進而引起質(zhì)量問題。為了避免這個問題，就需要在產(chǎn)品賣給客戶之前檢測出這種有問題的芯片。一般的檢測技術(shù)包括Burn—in、IDDQ測試
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CMOS集成電路潛在缺陷的最小電壓檢測
有潛在問題的芯片在正常的條件下缺陷不會顯現(xiàn)出來，但是在一定的條件下會產(chǎn)生失效或者間歇性失效，從而造成芯片早期失效的質(zhì)量問題。最小電壓是芯片正常運行所需要的最小電壓值，合格芯片與不合格芯片的最小電壓值是不一樣的，因此利用最小電壓檢測原理可以檢測出有潛在缺陷的芯片。
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CMOS集成電路設計中電阻設計方法的研究
討論了集成電路設計中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實現(xiàn)方法，論述了他們各自的優(yōu)點、缺點及其不同的作用
