DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐?
臺灣媒體報(bào)道,爾必達(dá)總裁兼CEO阪本幸雄日前表示,鑒于內(nèi)存市場供需將趨于平衡,他們計(jì)劃在3月初提升DRAM芯片價(jià)格。 阪本幸雄還舉例稱,2Gb DDR3芯片將從現(xiàn)在的2.10美元增長到2.30-2.50美元。 他反復(fù)強(qiáng)調(diào)了自己
有人說過,2009年的DRAM市場競爭慘烈,廠商們的收入都大幅度縮減,曾經(jīng)看好2010年市場。然而2010年的競爭則有過之而無不及,持續(xù)5個(gè)月的價(jià)格下跌簡直打亂了廠商們的陣腳,個(gè)別廠商甚至轉(zhuǎn)產(chǎn)去做SSD。據(jù)存儲器市場研究
新浪科技訊 北京時(shí)間2月16日晚間消息,臺灣南亞科技今天表示,今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價(jià)增長幅度至少達(dá)到5%,并以此開啟增長勢頭。此前他們預(yù)計(jì)DRAM芯片價(jià)格最早在一季度開始恢復(fù)增長。 市場調(diào)研公司集邦
存儲芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營收報(bào)告,去年四季度DRAM市場營收86.4億美元,相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價(jià)環(huán)比下降40%,但產(chǎn)能增長16%。集邦科技指出,廠商們在生產(chǎn)工藝
存儲芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營收報(bào)告,去年四季度DRAM市場營收86.4億美元,相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價(jià)環(huán)比下降40%,但產(chǎn)能增長16%。集邦科技指出,廠商們在生產(chǎn)工藝
企業(yè)級內(nèi)存模組及固態(tài)硬盤(SSD)設(shè)計(jì)制造商優(yōu)力勤(Unigen)與IC設(shè)計(jì)公司瀾起科技(Montage Technology)合作推出的DDR3-1333 8GB RDIMM產(chǎn)品,成功地通過了英特爾(Intel)Westmere 2 DPC(2 DIMM per Channel)企業(yè)平臺的正式
爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄已于本月6日、7日在臺洽談以瑞晶為控股公司,與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營。不過力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸,稱僅透過三方協(xié)商方式,恢復(fù)瑞晶對力晶的供貨,當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)進(jìn)DDR32Gb制造并
根據(jù)外電報(bào)導(dǎo),爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄已于本月6日、7日在臺洽談以瑞晶為控股公司,與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營。不過力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸,稱僅透過三方協(xié)商方式,恢復(fù)瑞晶對力晶的供貨,當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)
根據(jù)外電報(bào)導(dǎo),爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄已于本月6日、7日在臺洽談以瑞晶為控股公司,與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營。不過力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸,稱僅透過三方協(xié)商方式,恢復(fù)瑞晶對力晶的供貨,當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)
臺系DRAM大廠力晶與瑞晶之間的停止供貨事件6日出現(xiàn)大轉(zhuǎn)變,力晶正式與瑞晶和爾必達(dá)(Elpida)協(xié)商成功,開始恢復(fù)向瑞晶拿貨,且以目前力晶手上最缺的2Gb容量DDR3晶片為主,之前欠瑞晶的債款未來也會分期償還,借此行動(dòng)
2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾,年初報(bào)價(jià)大漲至1顆DDR3報(bào)價(jià)達(dá)3美元,但年底卻跌到1美元;但以獲利來看,2010年只有力晶和瑞晶有賺錢,南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢,南亞科和華亞科是因?yàn)橹瞥剔D(zhuǎn)換之故,沒有掌握到年初
臺北DDR3報(bào)價(jià)從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元,跌幅高達(dá)70%,力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨,透露臺DRAM廠財(cái)務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài),記憶體業(yè)者表示,由于1月DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)還有下跌空
李洵穎 DRAM的世代交替帶動(dòng)了先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展,以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品,其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP),自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA),延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代
受到年底ODM/OEM廠去化手中過多DRAM庫存的賣壓影響,近日內(nèi)DRAM價(jià)格呈現(xiàn)崩跌走勢,1Gb DDR3白牌顆粒價(jià)格已跌至1美元以下,2Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)也跌破2美元,已是賣一顆賠半顆,要求后段封測廠降價(jià)態(tài)度轉(zhuǎn)趨強(qiáng)硬。 封測
據(jù)iSuppli公司,12月DRAM價(jià)格繼續(xù)下降,跌勢不止,經(jīng)過幾個(gè)月的大幅下滑,價(jià)格已降到年內(nèi)最低水平。12月10日,2GB DDR3 DRAM模組合同價(jià)格為21.00美元,比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價(jià)格下跌,DDR2同樣跌
2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫,其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%,平均售價(jià)跌破20美元,低價(jià)來到17美元價(jià)格,相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期,2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過50%,市場預(yù)期供
泰科電子(TE)按照J(rèn)EDEC工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推出了新型超低型VLP (very low-profile)第三代雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR3)雙列直插式?存模組(DIMM)插槽。 該產(chǎn)品最高卡扣高度為16毫米,進(jìn)而減小了插槽的總高度,加上雙列直插式
DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用
11月下旬DRAM合約價(jià)跌幅超過10%,讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中,29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報(bào)價(jià)單日再跌7%,1Gb DDR3報(bào)價(jià)摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示,1Gb DDR3 eTT價(jià)格單日大跌超過7%,其實(shí)只是以補(bǔ)跌來