DDR3

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DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

智能硬件
2011-08-24

電壓內(nèi)存 DDR4 DDR3
瀾起科技寄存緩沖器芯片獲Intel認(rèn)證

存儲(chǔ)緩沖器廠商瀾起科技近日宣布，其新一代DDR3寄存緩沖器通過了Intel的官方認(rèn)證，完全支持Intel將于今年第三季推出的新款服務(wù)器平臺(tái)Romley-EP。至此，瀾起的DDR3寄存緩沖器已全面通過Intel現(xiàn)有平臺(tái)Westmere-EP和下一

消費(fèi)電子
2011-08-17

Intel 芯片緩沖器 DDR3
DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于

智能硬件
2011-07-22

DRAM PC 內(nèi)存 DDR3
合約價(jià)跌跌不休 DRAM廠恐啟動(dòng)減產(chǎn)機(jī)制

目前各DRAM廠雖無積極擴(kuò)產(chǎn)，不過在加速制程轉(zhuǎn)換下，使得產(chǎn)出量大為提升，而隨著2Gb價(jià)格來到現(xiàn)金成本，大部分DRAM廠財(cái)務(wù)狀況與現(xiàn)金水位都尚未回復(fù)至金融風(fēng)暴前的水平，以及下半年P(guān)C內(nèi)存搭載未顯著提升、加上全球經(jīng)濟(jì)衰

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2011-07-15

DRAM GB 內(nèi)存 DDR3
DRAM報(bào)價(jià)直落爾必達(dá)逆勢(shì)大舉募資

DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品價(jià)格一再破底，但DRAM廠募資腳步卻從未停歇，像茂德計(jì)劃募資是為尋找活下去的救命錢，爾必達(dá)(Elpida)日前也宣布要發(fā)行500 億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣179億元)新股和近300億日?qǐng)A的可轉(zhuǎn)債，決定大舉投入30納米和25納

消費(fèi)電子
2011-07-13

DRAM 存儲(chǔ)器爾必達(dá) DDR3
本土華芯半導(dǎo)體下半年將推出1Gb/2Gb DDR3

位于山東濟(jì)南的華芯半導(dǎo)體是2008年剛成立的專業(yè)DRAM供應(yīng)商，目前可提供1Gb和2Gb DDR2，以及1/2/4/8GB DDR2模塊，產(chǎn)品已批量應(yīng)用于浪潮服務(wù)器、浪潮高端容錯(cuò)計(jì)算機(jī)、基于龍芯CPU的龍夢(mèng)一體電腦和刀片服務(wù)器、浪潮數(shù)字

消費(fèi)電子
2011-07-05

半導(dǎo)體平板電腦 GB DDR3
爾必達(dá)樣品供貨采用8Gbit DDR3 SDRAM

爾必達(dá)存儲(chǔ)器宣布，開始樣品供貨采用TSV（Through Silicon Via，硅貫通孔）技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必

消費(fèi)電子
2011-06-30

爾必達(dá) SDRAM GB DDR3
未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 2011 年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24

消費(fèi)電子
2011-06-30

DRAM PC 內(nèi)存 DDR3
未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去

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2011-06-30

DRAM PC 內(nèi)存 DDR3
爾必達(dá)宣布開始銷售采用TSV技術(shù)制作的DDR3 DRAM樣品芯片

日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)（TSV）制作的DDR3SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相當(dāng)1GB容量），該

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2011-06-29

DRAM 芯片爾必達(dá) DDR3
爾必達(dá)宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-29

DRAM 芯片爾必達(dá) DDR3
2011年和近期內(nèi)，DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于

智能硬件
2011-06-23

DRAM PC 內(nèi)存 DDR3
惠瑞捷高速記憶體平臺(tái)鎮(zhèn)獲韓國客戶采用

半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷（Verigy）22日宣布，其V93000高速記憶體（HSM）平臺(tái)獲得韓國客戶的新款GDDR5量產(chǎn)測(cè)試業(yè)務(wù)。惠瑞捷表示，V93000 HSM6800是一款運(yùn)行速度超過每接腳4Gbps GDDR5，超快圖像記憶體元件提供服務(wù)的

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2011-06-23

自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 CRC GBPS DDR3
面向高端市場：三星量產(chǎn)30nm制程內(nèi)存

韓國三星公司近日宣布將開始量產(chǎn)基于30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的32GB內(nèi)存條，這款內(nèi)存條產(chǎn)品將主要面向云計(jì)算以及高檔服務(wù)器應(yīng)用。相比之前的40nm制程4GbDDR3產(chǎn)品,三星30nm制程4GbDDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)出量可提升大約

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2011-06-02

三星 GB 內(nèi)存 DDR3
iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長

IHSiSuppli(IHS-US)最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)整體出貨量彈升10.8%，今年全球的DRAM模塊市場成長仍將持續(xù)增長，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長。該項(xiàng)報(bào)告指出，全球DRAM模塊的整體出貨量，預(yù)估今年

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2011-05-31

DRAM AC ISUPPLI DDR3
DRAM價(jià)格終升破1美元關(guān)卡

2010年底以來，跌落到1美元以下的DRAM價(jià)格，終恢復(fù)到1美元線上。DRAM代表性產(chǎn)品DDR3 1Gb 128Mx8 1066MHz，在2010年5月寫下2.72美元最高紀(jì)錄后，9月后半跌至2美元、12月后半跌破1美元等，價(jià)格急速下滑，進(jìn)入2011年后

智能硬件
2011-05-13

DRAM HZ MX DDR3
IDT 推出 DDR3 內(nèi)存模塊溫度傳感器

21ic訊 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.)推出針對(duì) DDR2 和 DDR3 內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤 (SSD) 和電腦主板的低功耗、高精度溫度傳感器產(chǎn)品系列。這些新器件進(jìn)一步補(bǔ)充了 IDT 的 PCI Express®、信號(hào)

工業(yè)控制
2011-05-11

溫度傳感器內(nèi)存模塊 IDT DDR3
DRAM價(jià)跌，茂德9月營收月減7.6%

因DRAM價(jià)格下滑，茂德(5387)9月營收22.25億元，自8月的近兩年新高24.07億下滑7.6%，仍為今年單月第三高，也比去年同期成長119.54%。今年前9月營收為176.31億元，比去年同期成長163.22%。 DRAM價(jià)格走跌，中止茂德營

顯示光電
2011-04-20

DRAM 爾必達(dá) GB DDR3
DRAM價(jià)格攀升廠商產(chǎn)能轉(zhuǎn)往Flash及DDR3

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，四月上旬DDR3合約價(jià)再度呈現(xiàn)價(jià)格上揚(yáng)的趨勢(shì)，DDR32GB均價(jià)自17美元上漲至18美元(2Gb$2.03)，漲幅約5.88%，DDR34GB均價(jià)亦上漲至35美元(2Gb$2.03)，漲幅約在6.1%，從市場面來觀察，由于日本東北

智能硬件
2011-04-14

DRAM Flash 硅晶圓 DDR3
DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國

測(cè)試測(cè)量
2011-04-02

測(cè)試技術(shù) 時(shí)序 DDR DDR3

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DDR3

DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

瀾起科技寄存緩沖器芯片獲Intel認(rèn)證

DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

合約價(jià)跌跌不休 DRAM廠恐啟動(dòng)減產(chǎn)機(jī)制

DRAM報(bào)價(jià)直落爾必達(dá)逆勢(shì)大舉募資

本土華芯半導(dǎo)體下半年將推出1Gb/2Gb DDR3

爾必達(dá)樣品供貨采用8Gbit DDR3 SDRAM

未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

爾必達(dá)宣布開始銷售采用TSV技術(shù)制作的DDR3 DRAM樣品芯片

爾必達(dá)宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

2011年和近期內(nèi)，DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

惠瑞捷高速記憶體平臺(tái)鎮(zhèn)獲韓國客戶采用

面向高端市場：三星量產(chǎn)30nm制程內(nèi)存

iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長

DRAM價(jià)格終升破1美元關(guān)卡

IDT 推出 DDR3 內(nèi)存模塊溫度傳感器

DRAM價(jià)跌，茂德9月營收月減7.6%

DRAM價(jià)格攀升廠商產(chǎn)能轉(zhuǎn)往Flash及DDR3

DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？

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