DRAM

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3D IC技術(shù)與市場(chǎng)起飛仍需克服諸多挑戰(zhàn)

TSV 3D IC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展速度可說(shuō)是相當(dāng)緩慢，直至2007年?yáng)|芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術(shù)加以堆疊推出體積

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2012-02-17

IC 晶片 DRAM 半導(dǎo)體
美光與爾必達(dá)合并可能震動(dòng)DRAM市場(chǎng)

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)研究簡(jiǎn)報(bào)，美國(guó)美光與日本爾必達(dá)如果合并，可能導(dǎo)致DRAM產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生劇烈變化。目前關(guān)于二者將走向合并的傳言甚囂塵上。如果合并，則所形成的新企業(yè)將在全球DRAM市場(chǎng)排名第二，合計(jì)晶圓月

智能硬件
2012-02-16

美光晶圓爾必達(dá) DRAM
全球DRAM產(chǎn)業(yè)2011第四季營(yíng)收64.5億美元

集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查顯示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)2011年第四季營(yíng)收為64.5億美元，較第三季營(yíng)收衰退約1.7%，表現(xiàn)持平。雖然第四季合約價(jià)格較上季跌幅高達(dá)約25%，如一線DRAM大廠早已將標(biāo)準(zhǔn)型D

消費(fèi)電子
2012-02-14

美光爾必達(dá) EXCHANGE DRAM
全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠減DRAM產(chǎn)能

前陣子收購(gòu)國(guó)內(nèi)二線封測(cè)龍頭廠超豐的力成，已成為全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠，9日召開法說(shuō)，公布營(yíng)運(yùn)報(bào)告去年Q4營(yíng)收約為97億，每股稅后盈余(EPS)為1.7元，2011總營(yíng)收達(dá)395億，整體毛利率為23%，全年EPS達(dá)8元。從其業(yè)務(wù)組

消費(fèi)電子
2012-02-14

封裝 EPS DRAM 半導(dǎo)體
2012年快閃記憶體市場(chǎng)將首超DRAM市場(chǎng)

近日IC Insights發(fā)布報(bào)告稱，2012年全球主要IC產(chǎn)品將會(huì)得到穩(wěn)步增長(zhǎng)，據(jù)統(tǒng)計(jì)，在世界半導(dǎo)體貿(mào)易組織(WSTS)所定義的33項(xiàng)主要IC產(chǎn)品類別中，有27項(xiàng)會(huì)在2012年呈現(xiàn)正成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)；其中有11項(xiàng)產(chǎn)品類別的成長(zhǎng)幅度會(huì)高于7%；而

消費(fèi)電子
2012-02-13

元件 MCU IC DRAM
全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠力成減DRAM產(chǎn)能

前陣子收購(gòu)國(guó)內(nèi)二線封測(cè)龍頭廠超豐的力成，已成為全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠，其9日召開法說(shuō)，公布營(yíng)運(yùn)報(bào)告去年Q4營(yíng)收約為97億，每股稅后盈余(EPS)為1.7元，2011總營(yíng)收達(dá)395億，整體毛利率為23%，全年EPS達(dá)8元。從其業(yè)務(wù)

模擬
2012-02-13

封裝 EPS DRAM 半導(dǎo)體
掌握2012嵌入式技術(shù)趨勢(shì)與應(yīng)用 ATP參加嵌入式技術(shù)論壇

掌握2012嵌入式技術(shù)趨勢(shì)與應(yīng)用 ATP參加嵌入式技術(shù)論壇

嵌入式動(dòng)態(tài)
2012-02-13

嵌入式技術(shù) SATA MODULE DRAM
全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠力成減少DRAM產(chǎn)能

前陣子收購(gòu)國(guó)內(nèi)二線封測(cè)龍頭廠超豐的力成，已成為全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠，其今(9)日召開法說(shuō)，公布營(yíng)運(yùn)報(bào)告去年Q4營(yíng)收約為97億，每股稅后盈余(EPS)為1.7元，2011總營(yíng)收達(dá)395億，整體毛利率為23%，全年EPS達(dá)8元。從其

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-02-12

封裝 EPS DRAM 半導(dǎo)體
全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠力成，減DRAM產(chǎn)能加速3D IC制程

前陣子收購(gòu)國(guó)內(nèi)二線封測(cè)龍頭廠超豐的力成，已成為全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠，其今(9)日召開法說(shuō)，公布營(yíng)運(yùn)報(bào)告去年Q4營(yíng)收約為97億，每股稅后盈余(EPS)為1.7元，2011總營(yíng)收達(dá)395億，整體毛利率為23%，全年EPS達(dá)8元。

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2012-02-10

封裝 IC DRAM 半導(dǎo)體
力成Q4毛利率持平 EPS 1.69元去年EPS 8.01元

DRAM封測(cè)廠力成(6239-TW)今(9)日舉行法說(shuō)會(huì)并公布去年財(cái)報(bào)，第 4 季單季毛利率走穩(wěn)在22.3%水準(zhǔn)，每股稅后盈余為1.69元，全年毛利率為23.4%，較2010年27.1%下滑3.7個(gè)百分點(diǎn)，每股稅后盈余為8.01元。力成第 4 季合

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2012-02-10

Flash EPS DRAM
臺(tái)灣內(nèi)存模塊廠因新年業(yè)績(jī)下降

臺(tái)灣各大DRAM模組和NAND設(shè)備制造商的收入，在2012年1月錄得雙位數(shù)字的連續(xù)下跌，主因是由于農(nóng)歷新年假期造成工作天數(shù)下降。威剛科技已公布1月份業(yè)績(jī)?yōu)樾屡_(tái)幣21.1億元（7140萬(wàn)美元），同比下降23.8％。該公司預(yù)計(jì)其出

消費(fèi)電子
2012-02-08

內(nèi)存模塊 SSD NAND閃存 DRAM
Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

外電報(bào)導(dǎo)，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財(cái)報(bào)：受內(nèi)存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2

消費(fèi)電子
2012-02-07

內(nèi)存 NI NAND DRAM
內(nèi)存價(jià)格在一月下旬停止下跌

內(nèi)存行業(yè)調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新報(bào)告顯示，DDR3內(nèi)存條的合約報(bào)價(jià)在連續(xù)下跌的狀態(tài)下，終于在今年一月下旬穩(wěn)定下來(lái)，第一次不再下滑。據(jù)專業(yè)人士分析，單條4GB的需求量已經(jīng)超過了2GB。2GB DDR3內(nèi)存條在一月下半月

消費(fèi)電子
2012-02-03

內(nèi)存內(nèi)存條 GB DRAM
1月下旬合約價(jià)4GB率先起漲 DRAM廠虧損可望收斂

根據(jù)集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，雖然1月下旬DRAM合約價(jià)在2GB仍以持平價(jià)位開出，均價(jià)維持在9.25美元，但4GB最高成交價(jià)已超越上旬的17美元，成交價(jià)在17.25美元區(qū)間，由于內(nèi)存模塊需

消費(fèi)電子
2012-02-02

4G GB BSP DRAM
爾必達(dá)上季本業(yè)恐虧400億日?qǐng)A 全年恐大虧千億

爾必達(dá)(Elpida)2011年度前三季(2011年4-12月)的本業(yè)虧損額(營(yíng)損額)預(yù)估將達(dá)900億日?qǐng)A，全年度(2011年4月-2012年3月)營(yíng)損額則預(yù)估將達(dá)1,000億日?qǐng)A左右的規(guī)模。報(bào)導(dǎo)指出，因PC銷售不振導(dǎo)致DRAM需求下滑，拖累爾必達(dá)

消費(fèi)電子
2012-02-02

爾必達(dá) PID MICRON DRAM
增進(jìn)產(chǎn)能利用率　海力士接下大量晶圓代工訂單

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)為提升近期產(chǎn)能利用率較低的晶圓工廠的產(chǎn)能，近期已開始大量接受其他韓國(guó)業(yè)者的晶圓代工訂單，目前海力士的代工業(yè)者已達(dá)7~8家。根據(jù)韓國(guó)IT業(yè)者表示，海力士位在忠清北道清州的M8工

消費(fèi)電子
2012-02-02

晶圓代工 Silicon 海力士 DRAM
美光傳砸150億入股爾必達(dá)

美光(Micron)傳將斥資至少5億美元(約新臺(tái)幣150億元)入股爾必達(dá)(Elpida)，最快2月定案，成為此波DRAM市況不振下，首樁業(yè)界整合案例。美光、爾必達(dá)分別是南科、華亞科，以及力晶、瑞晶合作伙伴，兩強(qiáng)整并有助臺(tái)廠迎

消費(fèi)電子
2012-02-02

美光爾必達(dá) 海力士 DRAM
2012-2015年全球Pseudo SRAM市場(chǎng)預(yù)測(cè)

根據(jù)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院，從Pseudo SRAM產(chǎn)品容量來(lái)看，2011年以64Mb的出貨量最大，約有2.3億顆，而32Mb與128Mb的市場(chǎng)量都約有8千萬(wàn)顆。預(yù)估2010年~2015年的主流容量仍為64Mb與128Mb?！?2010~2015全球Pseudo SRAM市場(chǎng)

消費(fèi)電子
2012-02-02

SRAM PSE DRAM
智慧機(jī)與平板出貨量增加利基型DRAM需求依然強(qiáng)勁

利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線的主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。Mobile DRAM最主要應(yīng)用為智慧型手機(jī)，功能手機(jī)與正進(jìn)入高速成長(zhǎng)期的平板裝置亦為Mobile DRAM重要

消費(fèi)電子
2012-02-01

平板 MOBILE GRAPHICS DRAM
報(bào)告稱今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收增幅將僅為3.3%

北京時(shí)間2月1日早間消息，根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IHS iSuppli發(fā)布的最新報(bào)告，今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到3128億美元，同比增長(zhǎng)3.3%。IHS iSuppli稱，今年半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至3128億美元。相比去年的1.3%增幅，今年的

消費(fèi)電子
2012-02-01

存儲(chǔ)芯片 ISUPPLI DRAM 半導(dǎo)體

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DRAM

3D IC技術(shù)與市場(chǎng)起飛仍需克服諸多挑戰(zhàn)

美光與爾必達(dá)合并可能震動(dòng)DRAM市場(chǎng)

全球DRAM產(chǎn)業(yè)2011第四季營(yíng)收64.5億美元

全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠減DRAM產(chǎn)能

2012年快閃記憶體市場(chǎng)將首超DRAM市場(chǎng)

全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠力成減DRAM產(chǎn)能

掌握2012嵌入式技術(shù)趨勢(shì)與應(yīng)用 ATP參加嵌入式技術(shù)論壇

全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠力成減少DRAM產(chǎn)能

全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠力成，減DRAM產(chǎn)能加速3D IC制程

力成Q4毛利率持平 EPS 1.69元去年EPS 8.01元

臺(tái)灣內(nèi)存模塊廠因新年業(yè)績(jī)下降

Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

內(nèi)存價(jià)格在一月下旬停止下跌

1月下旬合約價(jià)4GB率先起漲 DRAM廠虧損可望收斂

爾必達(dá)上季本業(yè)恐虧400億日?qǐng)A 全年恐大虧千億

增進(jìn)產(chǎn)能利用率　海力士接下大量晶圓代工訂單

美光傳砸150億入股爾必達(dá)

2012-2015年全球Pseudo SRAM市場(chǎng)預(yù)測(cè)

智慧機(jī)與平板出貨量增加利基型DRAM需求依然強(qiáng)勁

報(bào)告稱今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收增幅將僅為3.3%

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